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公开(公告)号：CN103745942B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201310749790.9
申请日：2013-12-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法，装置包括测量模块，对功率半导体模块基板的表面进行取点操作，在其表面测取三个以上的测量点，并将其空间位置数据传送至处理模块；处理模块，根据测量点的空间位置数据，经过计算处理得到基准面空间位置数据，进而得到并输出功率半导体模块基板表面与基准面空间位置数据的差值数据至显示模块，输出平面度数据，计算基板的最高点位置数据，并判断数据是否合格；显示模块，接收处理模块传送的差值数据并生成图形，判断图形是否合格，结合处理模块的数据判断结果输出最终结果。本发明能满足对功率半导体模块基板轮廓进行判断的需求，快速简单地对基板的平面度，以及凹面和凸面进行判断。
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公开(公告)号：CN103390642B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310331846.9
申请日：2013-08-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件及整晶圆IGBT芯片的封装方法，所述IGBT器件包括：整晶圆IGBT芯片，其上表面包括：中心栅极连接区以及包围所述中心栅极连接区的多个发射极连接区，其下表面包括：集电区，其中，位于所述芯片失效元胞区表面的发射极连接区经过减薄处理；固定在所述芯片下表面的集电极垫片以及固定在所述芯片上表面的发射极垫片；与所述集电极垫片电接触的集电极电极以及与所述发射极垫片电接触的发射极电极；与所述中心栅极连接区连接的栅极引出线，所述栅极引出线与所述发射极垫片以及发射极电极绝缘。所述IGBT器件避免了整晶圆芯片中失效元胞区对IGBT器件性能的不良影响。
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公开(公告)号：CN104949814A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113149.0
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G01M7/08
Abstract: 本发明公开了一种用于功率半导体模块机械冲击试验的工装及试验方法，该工装包括方形的底板和四块侧板，所述四块侧板与底板垂直并分别位于底板的一条侧边上，所述底板上设有用来固定试验样品的样品安装孔，所述四块侧板中两两平行形成一组，其中一组的侧板上设有用来在试验台安装台面X轴方向安装的第一固定安装孔，另外一组的侧板上设有用来在试验台安装台面Y轴方向安装的第二固定安装孔，所述底板上设有用来在试验台安装台面Z轴方向安装的第三固定安装孔。该方法是基于上述工装的试验方法。本发明具有结构原理简单、操作更加简便、试验数据更加精确可靠、能够有效防止试验样品损坏等优点。
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公开(公告)号：CN103579143A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310536700.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构，它包括芯片、钼片、门极和外壳组件，所述外壳组件包括外壳和电极铜块，所述电极铜块的周侧设置用来导热绝缘的散热体组件，所述散热体组件呈包裹状围绕在电极铜块的周侧。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、散热效果好、散热速度快、安全可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN103579071A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310537229.4
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L2221/68372
Abstract: 本发明公开了一种用来取放IGBT衬板的装置，包括左夹臂和右夹臂，所述左夹臂和右夹臂的中部铰接在一起，所述左夹臂和右夹臂的底部呈相对状并形成衬板夹持部，所述衬板夹持部与IGBT衬板的边缘处形成配合。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、操作方便、通用性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103390642A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310331846.9
申请日：2013-08-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件及整晶圆IGBT芯片的封装方法，所述IGBT器件包括：整晶圆IGBT芯片，其上表面包括：中心栅极连接区以及包围所述中心栅极连接区的多个发射极连接区，其下表面包括：集电区，其中，位于所述芯片失效元胞区表面的发射极连接区经过减薄处理；固定在所述芯片下表面的集电极垫片以及固定在所述芯片上表面的发射极垫片；与所述集电极垫片电接触的集电极电极以及与所述发射极垫片电接触的发射极电极；与所述中心栅极连接区连接的栅极引出线，所述栅极引出线与所述发射极垫片以及发射极电极绝缘。所述IGBT器件避免了整晶圆芯片中失效元胞区对IGBT器件性能的不良影响。
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公开(公告)号：CN101634814B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910166484.6
申请日：2009-08-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原始对中装置和原始对中系统，其中，所述原始对中装置的上表面开有第一圆槽孔，用于容置晶圆片，所述第一圆槽孔的深度低于晶圆片的厚度；所述装置上表面还具有直径大于第一圆槽孔且与第一圆槽孔同心的标记线，所述装置上的标记线与光刻板上的标记线在原始对中时重合。本发明的原始对中装置和系统在容置晶圆片的第一圆槽孔外和光刻板上都设置有标记线，通过将第一圆槽孔外的标记线与光刻板上的标记线对准，实现晶圆片和光刻板上图案的良好原始对中，改善原始对中同心度。
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公开(公告)号：CN1869284B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200610031477.1
申请日：2006-04-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/302 , C23F1/24
Abstract: 一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法及装置，在电力电子器件硅片表面进行选择性精密刻蚀加工制作中采用旋喷法进行加工。先将硅片置在底座上，加工时硅片是旋转的，酸液从硅片上部经喷嘴雾化后向下喷向硅片。具体制作方法是：采用旋转腐蚀法在硅片表面形成梳条的操作。先将置于下部的硅片作均速旋转，再通过压缩空气利用虹吸原理将酸性腐蚀液从酸液储罐中吸出，通过喷嘴使酸性腐蚀液雾化，并以一定的张角均匀地喷到硅片表面。在硅片加工过程中还设有水保护部分，分成底喷水保护和顶喷水保护。顶喷水设置成当喷酸刚停止时启动。底喷水设置成与当硅片旋转时同步供给，与顶喷水同时停止。每个工位一次加工一个硅片，一个工作周期中酸、水交替起作用。
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公开(公告)号：CN100587906C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710035781.8
申请日：2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/02
Abstract: 半导体器件芯片台面喷腐方法及装置，在芯片台面喷腐处理时，对芯片上需要保护的表面部分采取遮盖式保护方式，保护芯片上需要保护的表面部分不受损害。通过一套遮盖式保护系统，盖住芯片上需要保护的表面部分，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会有酸液溅浸到芯片中心需要保护的部位。整个装置至少包括一个保护罩，遮盖在芯片台面喷腐处理时，正好盖在芯片中心需要保护的部位，保护罩与芯片一起形成一个密封面，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会受到酸液溅浸。所述的保护罩可以是通过吸附方式吸附在芯片表面上的，也可以是直接通过外力装置紧贴在芯片表面的。
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公开(公告)号：CN101634814A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910166484.6
申请日：2009-08-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原始对中装置和原始对中系统，其中，所述原始对中装置的上表面开有第一圆槽孔，用于容置晶圆片，所述第一圆槽孔的深度低于晶圆片的厚度；所述装置上表面还具有直径大于第一圆槽孔且与第一圆槽孔同心的标记线，所述装置上的标记线与光刻板上的标记线在原始对中时重合。本发明的原始对中装置和系统在容置晶圆片的第一圆槽孔外和光刻板上都设置有标记线，通过将第一圆槽孔外的标记线与光刻板上的标记线对准，实现晶圆片和光刻板上图案的良好原始对中，改善原始对中同心度。
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