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公开(公告)号：CN101983223A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200980112061.4
申请日：2009-03-30
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C08L83/04 , C08J9/28 , C09D5/25 , C09D7/12 , C09D183/04 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5329 , C08K3/08 , C09D7/61 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L2924/0002 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种组合物，含有烷氧基硅烷化合物的水解产物、下述通式(1)表示的硅氧烷化合物的水解产物、表面活性剂和电负性为2.5以下的元素。通式(1)中，RA及RB分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或-CdH2d-1基。其中，RA及RB不同时为氢原子。RC及RD表示将硅原子和氧原子相互连接形成环状硅氧烷结构的单键，或者分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或者-CdH2d-1基。a表示1～6的整数，b表示0～4的整数，c表示0～10的整数，d表示2～4的整数，n表示3以上的整数。
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公开(公告)号：CN100339302C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200480011066.5
申请日：2004-04-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C01B33/12 , C09D183/00
Abstract: 本发明涉及一种多孔质二氧化硅形成用涂布液，其特征为：较佳含有烷氧基硅烷化合物的部分水解缩合物、界面活性剂、和有机两性电解质，且其金属含量为50ppb或其以下。以往的多孔质二氧化硅形成用涂布液，一旦保存期间变长，就会有所得到的多孔质二氧化硅膜的细孔的排列规则性变低的情形。与此相反，若根据本发明的多孔质二氧化硅形成用涂布液，则可提供一种具有优良的保存稳定性的涂布液。即，所得到的多孔质二氧化硅的性能不易受到上述涂布液的保存期间的影响。因此，期望能贡献于稳定地生产一种多孔质二氧化硅，即使将其暴露于电场，也不会引起电容、电压的偏移，并且具有规则排列的均匀的细孔，可适合用作为光功能材料或电子功能材料的多孔质二氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN115398334B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202180027875.9
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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公开(公告)号：CN116594258A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310652861.7
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为50nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述碳纳米管片具有面内取向的所述捆彼此缠绕的网状结构，该网状结构具有基于以特定观察倍率拍摄的特定范围的SEM图像或AFM图像观察到的、3根以上的捆缠绕而连结的捆的连结点。
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公开(公告)号：CN116594257A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310652312.X
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比RB为0.40以上，上述防护膜具有50％以上的透射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115136072A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015498.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本公开的目的在于提供一种具有平坦性良好的粘着剂层的防护膜组件、及用于再现性良好地制造该防护膜组件的方法。所述目的通过如下的防护膜组件来达成，所述防护膜组件具有：防护膜组件框、铺设于防护膜组件框的一端面的防护膜以及设置于防护膜组件框的另一端面的粘着剂层，粘着剂层包含树脂组合物的固化物，所述树脂组合物包含固化性聚合物(A)、固化剂(B1)以及固化剂(B2)，固化剂(B1)及固化剂(B2)为固化条件不同的固化剂。
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公开(公告)号：CN109416505B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201780042244.8
申请日：2017-06-30
Abstract: 本发明提供：一种能够有效地抑制因贴附防护膜组件(1)而引起的曝光原版(8)的变形、且不具有复杂形状的防护膜框架(2)；使用该防护膜框架的防护膜组件；以及，能够降低在聚光灯下表面晃眼的缺陷、且为了容易地进行使用前的异物附着检查等而黑色化的防护膜框架的制造方法。一种防护膜框架，其特征在于：在铝合金制框架的表面具有阳极氧化膜，该铝合金制框架由铝合金构成，该铝合金含有5.0～10.0质量％的Ca且剩余部分为铝和不可避免的杂质，该铝合金中作为分散相的Al4Ca相的面积(体积)率为25％以上，该Al4Ca相的一部分的晶体结构是单斜晶，并且，分散于阳极氧化膜的Al4Ca相被阳极氧化，阳极氧化膜被黑色染料染色。
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公开(公告)号：CN106662806B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201580046947.9
申请日：2015-09-17
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: G03F1/64 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：第1框体，该第1框体配置有防护膜；第2框体，该第2框体具有厚部和第2面，并将上述防护膜和上述第1框体从外侧包围，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与上述第1框体的配置有上述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与上述第1面连接并承接上述第1框体的侧面；贯通孔，该贯通孔配置在上述第2框体的上述厚部；以及过滤器，该过滤器配置在与配置有上述防护膜的上述第1框体的面交叉的上述第2框体的外侧的侧面，并覆盖上述贯通孔。
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公开(公告)号：CN107533283B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201680023233.0
申请日：2016-04-11
Abstract: 本发明的课题是抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜组件。本发明涉及的防护膜组件的制造方法是制造包含防护膜和支撑该防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：在基板上形成防护膜(101)，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片(106，107)粘贴于基板的两面侧，在粘贴有粘着片的部分的基板的内部形成切口，维持粘贴有粘着片的状态，将基板的形成了上述切口的部分的外侧的基板外周部(111)分离从而形成防护膜组件框，对粘着片给予刺激而剥离粘着片。
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