公开(公告)号：CN106796391B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201580046926.7

申请日：2015-09-18

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 高村一夫 ,  种市大树 ,  河关孝志 ,  小野阳介 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明 ,  大久保敦 ,  佐藤泰之 ,  广田俊明

IPC分类号： G03F1/64 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：配置有防护膜的第1框体；支持上述第1框体的第2框体；贯通上述第1框体的贯通孔；以及在上述第1框体的配置有上述防护膜的面侧覆盖上述贯通孔的过滤器。上述贯通孔可以贯通上述防护膜，上述过滤器可以配置在上述防护膜上。此外，上述过滤器可以与上述防护膜相邻地配置在上述第1框体上。

公开(公告)号：CN102971673B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201180033339.6

申请日：2011-06-29

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 种市大树 ,  河关孝志 ,  小出哲裕

IPC分类号： G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  C09J133/00 ,  C09J153/00

CPC分类号： G03F1/62 ,  C08L23/20 ,  C08L57/02 ,  C08L91/06 ,  C08L2205/02 ,  C09J135/06 ,  C09J153/025 ,  G03F1/64

摘要： 本发明的课题是提供一种具有在进行曝光的温度区域内特别容易塑性变形，自掩模剥离时几乎没有糊残留，操作性良好的掩模粘接剂层，且可抑制图案的位置偏移的防护膜组件。为了解决上述课题，而制成具备防护膜框架14、防护膜12、包含掩模粘接剂的掩模粘接剂层15的防护膜组件10。掩模粘接剂包含tanδ峰值温度为-20℃～30℃的热塑性弹性体（A）100质量份和增粘树脂（B）20质量份～150质量份，热塑性弹性体（A）为选自由苯乙烯系热塑性弹性体、(甲基)丙烯酸酯系热塑性弹性体和烯烃系热塑性弹性体所组成的组中的至少一种，掩模粘接剂的tanδ峰值温度为-10℃～30℃。

公开(公告)号：CN107924117B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201680047788.9

申请日：2016-08-15

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 高村一夫 ,  河关孝志 ,  种市大树 ,  前川真太朗 ,  小野阳介 ,  美谷岛恒明

IPC分类号： G03F1/64

摘要： 本发明的目的在于提供一种即便照射准分子光等短波长光也难以劣化，进而难以产生逸气或异物的防护膜组件框、使用其的防护膜组件。为了实现上述目的，设为如下的防护膜组件框，其为支撑防护膜的外周的防护膜组件框，包括框架和形成于所述框架的表面的含有聚酰亚胺树脂的膜。

公开(公告)号：CN102472960B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201080031601.9

申请日：2010-07-06

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 村上修一 ,  河关孝志

IPC分类号： G03F1/64 ,  G03F1/62

CPC分类号： G03F1/64 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31529

摘要： 本发明的目的在于提供硫酸根离子或脱气的产生少、并且具有适度的膜强度和高的耐药品性的防护膜组件。本发明为支持防护膜的外周的防护膜框架，在所述防护膜框架的表面形成有环氧系树脂的涂装膜，在所述环氧系树脂的涂装膜的红外吸收光谱中，在1450～1550cm-1的范围内存在的峰的吸光度相对于在1200～1275cm-1的范围内存在的峰的吸光度的比值为0.5～3，并且在1450～1550cm-1的范围内存在的峰的吸光度相对于在905～930cm-1的范围内存在的峰的吸光度的比值为1以上且小于7。

公开(公告)号：CN102959468A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030269.9

申请日：2011-06-29

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 河关孝志

IPC分类号： G03F1/48 ,  G03F1/62

CPC分类号： G03F1/62

摘要： 本发明的目的是更简便地制造抑制了由于光刻曝光所致的光劣化或光分解的防护膜。具体而言，提供一种防护膜，是含有非晶质氟聚合物的光刻用防护膜，其含有5～800质量ppm的氟系溶剂。另外，提供一种防护膜的制造方法，其包括：使包含非晶质氟聚合物与氟系溶剂的溶液形成涂布膜的工序A；以及除去上述涂布膜中的氟系溶剂的工序B，在上述工序B中，使上述涂布膜中残留5～800质量ppm的氟系溶剂。

公开(公告)号：CN117941037A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280059769.3

申请日：2022-08-29

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 茅场靖刚 ,  中村雄三 ,  河关孝志

IPC分类号： H01L21/312 ,  C08G73/10

摘要： 本发明是用于形成半导体用膜的组合物及其应用，所述组合物包含：特定结构的线形的硅氧烷化合物(A)，其包含选自伯氨基和仲氨基的氨基、硅原子以及与硅原子结合的非极性基团；特定结构的硅烷化合物(B)，其包含选自伯氨基和仲氨基的氨基、硅原子以及与硅原子结合的非极性基团；以及，特定结构的交联剂(C)，其在分子内至少包含‑C(＝O)OH基，重均分子量为200以上2000以下。

公开(公告)号：CN117897799A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280059797.5

申请日：2022-08-29

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 茅场靖刚 ,  中村雄三 ,  河关孝志

IPC分类号： H01L21/312 ,  C08G73/10

摘要： 本发明是用于形成半导体用膜的组合物及其应用，所述组合物包含：脂肪族二胺(A)，其包含含有伯氨基和仲氨基以及碳原子的主链，伯氨基和仲氨基的合计为2个以上，构成所述主链的碳原子的数量为2以上180以下；以及交联剂(D)，其在分子内包含3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，重均分子量为200以上2000以下。

公开(公告)号：CN116583595A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180084225.8

申请日：2021-12-06

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 江刺家胜弘 ,  宫回宽 ,  河关孝志 ,  天野仰 ,  西条任信 ,  矢内久阳

IPC分类号： C12N5/077

摘要： 本发明的课题在于提供能够对细胞等进行培养而形成球状体的培养构件和培养器具。本发明的解决方法是一种培养构件，其为在其培养面上对细胞、组织或器官进行培养的培养构件，上述培养构件含有4‑甲基‑1‑戊烯聚合物(X)，上述培养面的水接触角大于100°且为160°以下，在温度23℃、湿度0％时的氧透过度为4500～90000cm3/(m2×24h×atm)。

公开(公告)号：CN107924117A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680047788.9

申请日：2016-08-15

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 高村一夫 ,  河关孝志 ,  种市大树 ,  前川真太朗 ,  小野阳介 ,  美谷岛恒明

IPC分类号： G03F1/64

CPC分类号： G03F1/64 ,  B32B15/08 ,  B32B2311/24 ,  B32B2379/08 ,  C25D11/22

摘要： 本发明的目的在于提供一种即便照射准分子光等短波长光也难以劣化，进而难以产生逸气或异物的防护膜组件框、使用其的防护膜组件。为了实现上述目的，设为如下的防护膜组件框，其为支撑防护膜的外周的防护膜组件框，包括框架和形成于所述框架的表面的含有聚酰亚胺树脂的膜。

公开(公告)号：CN106796391A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046926.7

申请日：2015-09-18

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 高村一夫 ,  种市大树 ,  河关孝志 ,  小野阳介 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明 ,  大久保敦 ,  佐藤泰之 ,  广田俊明

IPC分类号： G03F1/64 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：配置有防护膜的第1框体；支持上述第1框体的第2框体；贯通上述第1框体的贯通孔；以及在上述第1框体的配置有上述防护膜的面侧覆盖上述贯通孔的过滤器。上述贯通孔可以贯通上述防护膜，上述过滤器可以配置在上述防护膜上。此外，上述过滤器可以与上述防护膜相邻地配置在上述第1框体上。