公开(公告)号：CN100423290C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410064274.3

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管，所述第一和第二晶体管各自包括：结晶半导体，具有源区和漏区、源区和漏区间的沟道区、以及分别在沟道区和源区之间以及沟道区和漏区之间的一对杂质区，其中包含于该对杂质区内的一种导电类型杂质的浓度小于源区和漏区内杂质的浓度；位于沟道区上的栅绝缘膜；以及位于栅绝缘膜之上的栅电极，其中，第二晶体管中的那对杂质区至少部分地与栅电极重叠，而第一晶体管中的那对杂质区与栅电极之间没有重叠，其中，第一和第二晶体管的源区和漏区包括硅化镍。

公开(公告)号：CN1877799A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610091544.9

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  物江滋春 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明的目的是不通过形成侧壁间隔并不增加工艺数量，而以自对准方式提供至少具有一个LDD区域的TFT。在本发明中，将提供有由衍射光栅图案或半透明膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模适用于栅电极形成用光蚀刻工艺中，形成包括厚度厚的区域和在其一边上的比所述区域更薄的区域的左右不对称的抗蚀剂图案；形成具有台阶结构的栅电极；将杂质元素经过栅电极的厚度薄的区域添加到半导体层，而以自对准方式形成LDD区域。

公开(公告)号：CN1770405A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107058.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  森谷幸司 ,  坂倉真之 ,  大沼英人

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。目的在于形成具有绝缘性和平坦性的绝缘膜。通过在包含不活泼气体作为其主要成分并具有5％或更低的氧气浓度和1％或更低的水浓度的气氛中对涂敷后的包含硅氧烷聚合物的树脂进行加热处理，形成绝缘膜。优选地，氧气浓度是1％或更低，水浓度为0.1％或更低。包含硅氧烷的树脂包含甲基和苯基。而且，不活泼气体是氮气。

公开(公告)号：CN1700825A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510073702.3

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  安西彩 ,  坂仓真之 ,  乡戶宏充

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/02 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5262

Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光器件，其中使得取决于观察发射的光所通过的表面的角度的发射光谱的变化减小。本发明的发光器件包括形成在衬底上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第二绝缘层以及形成在第二绝缘层上的半导体层。另外，形成栅绝缘层以覆盖第二绝缘层和半导体层。栅电极形成在栅绝缘层上。形成第一层间绝缘层以覆盖栅绝缘层和栅电极。开口形成在第一层间绝缘层、栅绝缘层和第二绝缘层中。形成第二层间绝缘层以覆盖第一绝缘层和开口。发光元件形成在开口上。

公开(公告)号：CN1160759C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN99121306.8

申请日：1994-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

Abstract: 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后，经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲，在退火结晶工艺中，将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区区结晶，形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后，在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照，完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化，在硅膜上形成氧化膜，然后腐蚀掉氧化膜。结果去掉硅膜中的镍。

公开(公告)号：CN1038885C

公开(公告)日：1998-06-24

申请号：CN94117935.4

申请日：1994-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

Abstract: 在薄膜晶体管的栅电极上形成掩模，以较低电压在栅电极两侧形成多孔阳极氧化膜。以较高电压在栅电极和多孔阳极氧化层之间和栅电极上面形成阻挡阳极氧化层，并用它作为掩模腐蚀栅绝缘膜。腐蚀阻挡阳极氧化层后，选择地腐蚀多孔阳极氧化层，以获得其上有栅绝缘膜的有源层区和其上无栅绝缘膜的其它有源层区。至少把氧、氮、碳中的一种元素掺入到浓度比其它有源层区的高的有源层区域P型杂质掺入到有源层中。

公开(公告)号：CN1151085A

公开(公告)日：1997-06-04

申请号：CN96110920.3

申请日：1994-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

Abstract: 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后，经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲，在退火结晶工艺中，将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区结晶，形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后，在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照，完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化，在硅膜上形成氧化膜，然后腐蚀掉氧化膜，结果去掉硅膜中的镍。

公开(公告)号：CN105185817A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510670490.0

申请日：2006-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  大沼英人

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L33/36 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明揭示一种发光装置及其制造方法，其目的在于解决如下问题：由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化，由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良。本发明的技术要点如下：通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边，形成具有膜厚不同的部分的隔离壁，而不增加工序。

公开(公告)号：CN102593380B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210063018.7

申请日：2006-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  大沼英人

IPC: H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L33/36 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，其目的在于解决如下问题：由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化，由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良。本发明的技术要点如下：通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边，形成具有膜厚不同的部分的隔离壁，而不增加工序。

公开(公告)号：CN101419943B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200810169153.3

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  小山润

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1266 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3482 ,  C03C2218/32 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772 ,  Y10S438/938 ,  Y10S438/961

Abstract: 如果所附着的单晶硅层的尺寸不合适，即使使用大玻璃基板，也无法使将要获得的面板的个数达到最大。因此，在本发明中，从大致呈圆形的单晶半导体晶片中，形成了大致呈四边形的单晶半导体基板，并且通过用离子束照射到单晶半导体基板中，形成了破损层。在支撑基板的一个表面上，排列多个单晶半导体基板，以便彼此分离。通过热处理，在破损层中产生了破裂，并且使单晶半导体基板分离，同时单晶半导体层留在支撑基板上。之后，从接合到支撑基板的单晶半导体层中，制造出一个或多个显示面板。