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公开(公告)号：CN105047669A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510354385.6
申请日：2010-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1052 , G11C16/0433 , H01L27/115 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 目的之一是提供可以抑制其功耗的存储器装置和包括该存储器装置的半导体装置。对该存储器装置中的每个存储器单元，作为用于保持积累在起存储器元件作用的晶体管中的电荷的开关元件，提供有包括氧化物半导体膜作为有源层的晶体管。用作存储器元件的晶体管具有第一栅电极、第二栅电极、位于第一栅电极和第二栅电极之间的半导体膜、位于第一栅电极和半导体膜之间的第一绝缘膜、位于第二栅电极和半导体膜之间的第二绝缘膜、以及与半导体膜接触的源电极和漏电极。
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公开(公告)号：CN102656691B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201080059846.2
申请日：2010-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/105 , G11C11/401 , G11C11/405 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/1052 , G11C16/0433 , H01L27/115 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 目的之一是提供可以抑制其功耗的存储器装置和包括该存储器装置的半导体装置。对该存储器装置中的每个存储器单元，作为用于保持积累在起存储器元件作用的晶体管中的电荷的开关元件，提供有包括氧化物半导体膜作为有源层的晶体管。用作存储器元件的晶体管具有第一栅电极、第二栅电极、位于第一栅电极和第二栅电极之间的半导体膜、位于第一栅电极和半导体膜之间的第一绝缘膜、位于第二栅电极和半导体膜之间的第二绝缘膜、以及与半导体膜接触的源电极和漏电极。
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公开(公告)号：CN104282687A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410327173.4
申请日：2014-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0809 , G09G2310/0286 , G09G2310/0291 , G11C19/28 , H01L27/1222 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供一种通过栅极驱动器电路的设计实现窄边框化的半导体装置。显示装置的栅极驱动器包括移位寄存器单元、解复用器电路以及n个信号线。通过使移位寄存器单元的每一级与传输时钟信号的n个信号线连接，能够输出（n-3）个输出信号，n越大，传输无助于输出的时钟信号的信号线的比例越小，所以与移位寄存器单元的每一级输出1个输出信号的现有的结构相比，移位寄存器单元部分的占有面积变小，由此能够实现栅极驱动器电路的窄边框化。
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公开(公告)号：CN104103321A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410136414.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的课题之一是通过栅极驱动器的布局设计缩短显示装置的边框宽度。将两个栅极驱动器设置在像素部的左右侧。栅极线按每M行交替地连接于左右侧的栅极驱动器。两个栅极驱动器包括由单一导电型的晶体管构成的移位寄存器和多路分配器。移位寄存器包括级联连接的k个第一单元电路。多路分配器包括从第一单元电路输入信号且连接于M条栅极线的k个第二单元电路。第二单元电路从M条栅极线中选择一条或多条输出来自第一单元电路的输入信号的布线，并对所选的布线输出来自第一单元电路的信号。由于可以从1级的移位寄存器对M条栅极线输出栅极信号，因此可以缩短移位寄存器的宽度。
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公开(公告)号：CN103918025A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280055035.4
申请日：2012-10-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3685 , G09G2300/0434 , G09G2300/0469 , G09G2320/046 , G09G2330/022
Abstract: 本发明的目的在于防止由于场效应晶体管的泄漏电流所引起的误动作。设置有：移位寄存器(101)；选择电路(112)，该选择电路(112)具有决定以与从该移位寄存器输入的脉冲信号相同的电位电平来输出第一脉冲信号或第二脉冲信号的功能；以及多个驱动信号输出电路(113)，每个驱动信号输出电路(113)都具有生成并输出驱动信号的功能。多个驱动信号输出电路的每个都包括锁存器部、缓冲器部以及用来控制储存在该锁存器部中的数据的改写的开关部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103855170A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310625431.2
申请日：2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1244 , H01L27/0296 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：像素部；设置在像素部的外侧的驱动电路部；以及与像素部和驱动电路部中的一方或双方连接且包括一对电极的保护电路，其中，像素部包括配置为矩阵状的像素电极和与像素电极电连接的晶体管，晶体管包括包含氮和硅的第一绝缘层和包含氧、氮和硅的第二绝缘层，并且，保护电路在一对电极之间具有第一绝缘层。
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公开(公告)号：CN102918650A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180028292.4
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的之一是提供一种具有新的电极结构的晶体管，该晶体管即使降低在源电极（漏电极）与栅电极的重叠部分产生的寄生电容，也可以大致保持通态电流。通过将晶体管的源电极和漏电极形成为梳形，降低寄生电容。此外，通过控制梳形电极层的端部的宽度和电极齿形部分之间的间隔，可以产生从电极齿形部分的侧边流过的曲线电流。因为该曲线电流补偿因将电极形成为梳形而降低的线性电流，所以即使降低寄生电容，也可以保持与降低寄生电容以前大致相同的通态电流。
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公开(公告)号：CN102136250B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110032377.1
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136286 , G09G3/20 , G09G3/2022 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3275 , G09G3/342 , G09G3/3426 , G09G3/3677 , G09G3/3685 , G09G2300/043 , G09G2300/0852 , G09G2310/0248 , G09G2310/0262 , G09G2310/027 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , G09G2310/0297 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2330/021 , G09G2340/02 , G09G2352/00 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/156 , H01L27/3232 , H01L27/3276 , H01L29/42384 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及显示装置和电子装置。本发明的目的是提供一种电路技术，其能够减少显示装置的功耗并具有高清晰度。为晶体管的栅电极提供由启动信号控制的开关，所述晶体管的栅电极连接至自举晶体管的栅电极。当输入该启动信号时，电势通过该开关提供到该晶体管的栅电极，并且晶体管关闭。该晶体管关闭，从而可以防止从该自举晶体管的栅电极的电荷泄漏。相应地，可以缩短用于存储该自举晶体管的栅电极中的电荷的时间，并且可以高速地执行操作。
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公开(公告)号：CN102656691A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080059846.2
申请日：2010-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/105 , G11C11/401 , G11C11/405 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/1052 , G11C16/0433 , H01L27/115 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 目的之一是提供可以抑制其功耗的存储器装置和包括该存储器装置的半导体装置。对该存储器装置中的每个存储器单元，作为用于保持积累在起存储器元件作用的晶体管中的电荷的开关元件，提供有包括氧化物半导体膜作为有源层的晶体管。用作存储器元件的晶体管具有第一栅电极、第二栅电极、位于第一栅电极和第二栅电极之间的半导体膜、位于第一栅电极和半导体膜之间的第一绝缘膜、位于第二栅电极和半导体膜之间的第二绝缘膜、以及与半导体膜接触的源电极和漏电极。
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公开(公告)号：CN102213882A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110096348.1
申请日：2011-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , G09G3/342 , G09G3/3659 , G09G3/3677 , G09G2300/0443 , G09G2300/0814 , G09G2310/0205 , G09G2310/0235 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/78696
Abstract: 本发明液晶显示器和用于驱动该液晶显示器的方法。在液晶显示器中，图像信号同时供应给提供在像素部分中采用矩阵设置的像素之中的多行中的像素，其中图像信号的输入由在沟道形成区中包括非晶半导体或微晶半导体的晶体管控制。从而，图像信号到每个像素的输入的频率可以增加而不改变包括在该液晶显示器中的晶体管或其类似物的响应速度。
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