公开(公告)号：CN102136500B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110044658.9

申请日：2009-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/167 ,  G09F21/04 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G11C19/28 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。

公开(公告)号：CN101728275B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN200910206584.7

申请日：2009-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/167 ,  G09F21/04 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G11C19/28 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。

公开(公告)号：CN1614743B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200410092710.8

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  楠山义弘 ,  小野幸治 ,  小山润

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/4846 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/02367 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。

公开(公告)号：CN101479777B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200780024166.5

申请日：2007-05-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 惠木勇司 ,  西毅 ,  荻野清文 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  须泽英臣

IPC: G02B1/11 ,  G09F9/00 ,  G02B5/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: G02B1/118 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/185 ,  G02F1/133502 ,  G02F2201/38 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5281 ,  H05B33/22

Abstract: 一种显示设备，其包括抗反射膜，该抗反射膜具有在显示屏幕表面之上的多个凸起，由该多个凸起中的每个凸起的基底与斜面所成的角度为大于等于84度且小于90度。

公开(公告)号：CN1881537B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200610100376.5

申请日：2000-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  小野幸治

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 布线及其制造方法、包括所说布线的半导体器件及干法腐蚀方法。提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。

公开(公告)号：CN100502046C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510054408.8

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上包括硅的半导体膜，所述半导体膜包括沟道区；在所述半导体膜中的一对高电阻率区，所述沟道区介于所述一对高电阻率区之间，其中所述一对高电阻率区包括第一浓度的一种导电类型的杂质；在所述半导体膜中与所述一对高电阻率区相邻的一对杂质区，其中所述一对杂质区包括高于所述第一浓度的第二浓度的同样导电类型的杂质；在所述沟道区上的栅电极，栅绝缘膜介于其间，其中所述栅电极部分地与每个所述一对高电阻率区重叠，其中每个所述一对杂质区包括镍硅化物。

公开(公告)号：CN100375243C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200410047429.2

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  竹村保彦 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，可减少源极和漏极之间的漏电流。用湿法蚀刻技术蚀刻硅膜以获得具有锥形边缘的岛状硅半导体区域。另外，用干法蚀刻技术形成具有锥形边缘部分的岛状半导体区域，并用蚀刻例如氢或氢氟氮酸蚀刻边缘部分。结果，在岛状半导体区域中，可除去干法蚀刻时已被等离子体破坏的部分。减少由这一部分引起的源极和漏极之间的漏电流和减少当栅极横断岛状硅区域时发生断开的缺陷。

公开(公告)号：CN101026172A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710085810.1

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  楠山义弘 ,  小野幸治 ,  小山润

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。

公开(公告)号：CN1311558C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN02106559.4

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  楠山义弘 ,  小野幸治 ,  小山润

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/13 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L21/4846 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/02367 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。

公开(公告)号：CN1251331C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN99110777.2

申请日：1995-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/302

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有绝缘表面的衬底；在衬底上形成的第一绝缘膜，为氮化硅膜；在第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，为氧化硅膜；在第二绝缘膜上的结晶半导体膜，具有沟道区及源和漏区；在结晶半导体膜上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成的栅电极；层间绝缘膜，设置在所述结晶硅上；以及象素电极，通过层间绝缘膜与漏区电连接。本发明还提供了其他种类的半导体器件。这些半导体器件是借助本发明的一种腐蚀设备制成的，由于不发生等离子损伤，因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现，于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动，因而半导体器件中的截止电流值减小。