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公开(公告)号：CN1168538A
公开(公告)日：1997-12-24
申请号：CN97103164.9
申请日：1997-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L27/1222 , H01L27/127 , H01L2029/7863
Abstract: 在一包括整体地形成于单个衬底上的n沟道薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管的电路结构中，轻掺杂漏(LDD)区选择地形成于n沟道薄膜晶体管中，在注入杂质离子时造成的半导体层损伤对于n和p沟道薄膜晶体管来说是平衡的。这种结构可实现n和p沟道薄膜晶体管间的平衡，从而可提供高性能CMOS电路。
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公开(公告)号：CN1166047A
公开(公告)日：1997-11-26
申请号：CN97104977.7
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0688 , G02F1/1362 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L21/02675 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1112 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L29/04 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , H01L2924/0002 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10S257/903 , Y10S257/904 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。
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公开(公告)号：CN1110004A
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：CN94112820.2
申请日：1994-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/208 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L29/045 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , Y10S148/016
Abstract: 制造高稳定性的和高可靠性的半导体的方法，包括：在非晶硅膜表面覆盖以含有能加速非晶硅膜晶化的催化元素的溶液，并在此之后对非晶硅膜热处理以使此膜晶化。
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公开(公告)号：CN100517798C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510128685.9
申请日：2000-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/28 , B05D1/32 , B05D1/40 , B05D5/12 , C23C14/04 , C23C14/042 , C23C14/044 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/564 , H01L51/0008 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种用于形成膜厚非常均匀的薄膜的设备。使用的是一个蒸发源，在蒸发源中有一个或多个具有纵向的蒸发单元，而通过沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源，就可以在基片上沉积薄膜。通过增大蒸发源的长度，可以提高纵向上膜厚的均匀度。移动蒸发源，在整个基片上进行薄膜成形，因而整个基片上的膜厚均匀度就可以提高。
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公开(公告)号：CN100481352C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610004120.4
申请日：2000-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/1277 , H01L29/78645
Abstract: 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100468696C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510083684.7
申请日：2000-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/56
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，其包括：在基材上形成至少第一和第二源信号线，所述源信号线在第一方向中延伸，其中第一源信号线被连接到许多的薄膜晶体管，并且第二源信号线被连接到许多的薄膜晶体管；在第一源信号线上形成至少第一条形堤状物，并且在第二源信号线上形成至少第二条形堤状物，其中第一和第二条形堤状物在第一方向中延伸；和在第一和第二条形堤状物之间，在沿着第一方向延伸的至少两个像素上施加包含有机材料的溶液。
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公开(公告)号：CN100464239C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200610101676.5
申请日：1997-04-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13392 , G02F1/1341 , G02F1/1362 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F2001/133388
Abstract: 本发明提供了一种制造高像质液晶显示装置的技术，根据像素间距的宽度限定保持液晶层的单元间距的设定范围，尤其，设定单元间距的宽度为像素间距的十分之一，从而可获得高像质的液晶显示装置，它不会产生由于电场影响而引起的像显示失败，例如畸变。
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公开(公告)号：CN100437907C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410069654.6
申请日：1993-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , G09G2300/0408 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。
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公开(公告)号：CN100415063C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200410088072.2
申请日：2000-06-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供了一种能够进行清晰的多级灰度彩色显示的EL显示器件和配置有EL显示器件的电子设备，其中根据时分法执行灰度显示，在该方法中，设置在一个象素(104)中的发光或非发光的EL元件(109)受时间控制，并且可以避免电路控制TFT(108)的可变性的影响。当采用此法时，数据信号侧驱动电路(102)和栅极信号侧驱动电路(103)与TFT形成在一起，而TFT是利用一种具有特有的晶体结构的硅膜，显示极高的工作速度。
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公开(公告)号：CN100388636C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410054415.3
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04B1/38 , H01L21/30 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02672 , G02B27/017 , G02B2027/0138 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/8221 , H01L27/1277 , H01L29/045 , H01L29/665 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78654 , H01L29/78675
Abstract: 一种薄膜半导体晶体管结构具有带有电介质表面的衬底和由半导体薄膜构成的有源层，半导体薄膜呈现相当于单晶的结晶度。为制作此晶体管，半导体薄膜形成在衬底上，此膜包括多种晶体的混合物，晶体可是大体上与衬底平行的柱状和/或毛发状晶体。然后，所得结构在含卤素的选定气氛中进行热氧化，从而除去在膜中含有的任何金属元素。这就能形成单畴区，在单畴区中各柱状或发毛状晶体接触任何相邻晶体并且能大体认为是其中不存在或包含任何晶界的单晶区。此区用于形成晶体管的有源层。
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