公开(公告)号：CN104465935B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410602442.3

申请日：2012-01-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 勝野弘 ,  三木聪 ,  岡俊行 ,  布上真也

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。

公开(公告)号：CN103311393B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201210558342.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L29/205 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7783 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0

公开(公告)号：CN104282810A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410309048.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  斎藤真司 ,  桥本玲 ,  黄钟日 ,  布上真也

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括第一电极、第一和第二发光单元、第一和第二导电层、第一连接电极、第一电介质层、第一和第二衬垫、以及第一发光单元间电介质层。第一发光单元包括第一和第二半导体层以及第一发光层。第一半导体层包括第一半导体部分和第二半导体部分。第二发光单元包括第三半导体层、第四半导体层以及第二发光层。第四半导体层电连接到第一电极。第一导电层电连接到第三半导体层。第二导电层电连接到第二半导体层。第一连接电极电连接第一导电层和第一半导体部分。

公开(公告)号：CN104253180A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410301753.6

申请日：2014-06-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  名古肇 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体元件包括：层叠体；以及功能层。所述层叠体包括第一GaN层、第一层和第二GaN层。第一GaN层包括第一凸起。所述第一层设于第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种。第二GaN层设于所述第一层上并且包括第二凸起。所述第二凸起的底部的长度小于所述第一凸起的底部的长度。功能层设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。

公开(公告)号：CN103113883B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201210319801.5

申请日：2012-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三石严 ,  松田直寿 ,  福田由美 ,  K·阿尔贝萨 ,  冈田葵 ,  加藤雅礼 ,  平松亮介 ,  服部靖 ,  布上真也

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H05B33/12 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据一个实施方案，提供了一种发光材料，当用发射峰在250-520nm的波长范围内的光激发时，所述发光材料发出发光峰在550-590nm的波长范围内的光。所述发光材料具有下式1表示的组成：(Sr1-xEux)aSibAlOcNd 式1，其中x、a、b、c和d满足以下条件：0

公开(公告)号：CN104037281A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410079574.2

申请日：2014-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 桥本玲 ,  木村重哉 ,  黄钟日 ,  胜野弘 ,  斋藤真司 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括光反射层、第一至第四半导体层、第一和第二发光层、以及第一光传输层。第二半导体层设置在第一半导体层和光反射层之间。第一发光层设置在第一和第二半导体层之间。第一光传输层设置在第二半导体层和光反射层之间。第三半导体层设置在第一光传输层和光反射层之间。第四半导体层设置在第三半导体层和光反射层之间。第二发光层设置在第三和第四半导体层之间。光反射层电连接到从第三和第四半导体层中选择的一个。

公开(公告)号：CN103985800A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410046022.1

申请日：2014-02-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  三木聪 ,  伊藤俊秀 ,  布上真也

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016 ,  H01L33/44

Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光器件包含：第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元以及绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接到第一金属层，并且该第二金属层是反光的。第二金属层包含接触金属部分和外周金属部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含内部分、中间部分以及外部分。绝缘单元包含第一绝缘部分、第二绝缘部分以及第三绝缘部分。

公开(公告)号：CN103682008A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310331614.3

申请日：2013-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉田学史 ,  彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。一种氮化物半导体晶片包括硅衬底、层叠的多层单元、含硅单元和上层单元。所述硅衬底具有主表面。所述层叠的多层单元在所述主表面上提供。所述层叠的多层单元包括N个缓冲层。所述缓冲层包括第i缓冲层和在所述第i缓冲层上提供的第(i+1)缓冲层。所述第i缓冲层在平行于所述主表面的第一方向上具有第i晶格长度Wi。所述第(i+1)缓冲层在所述第一方向上具有第(i+1)晶格长度W(i+1)。所有所述缓冲层满足关系(W(i+1)-Wi)/Wi≤0.008。所述含硅单元在所述层叠的多层单元上提供。所述上层单元在所述含硅单元上提供。

公开(公告)号：CN103681794A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310206392.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原田佳幸 ,  彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  洪洪 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L29/205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体晶片、半导体器件和用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种半导体晶片包括衬底、AlN缓冲层、基础层、第一高Ga成分层、高Al成分层、低Al成分层、中间单元和第二高Ga成分层。所述第一层在所述基础层上提供。所述高Al成分层在所述第一层上提供。所述低Al成分层在所述高Al成分层上提供。所述中间单元在所述低Al成分层上提供。所述第二层在所述中间单元上提供。所述第一层具有第一拉伸应变以及所述第二层具有大于所述第一拉伸应变的第二拉伸应变。备选地，所述第一层具有第一压缩应变，所述第二层具有小于所述第一压缩应变的第二压缩应变。

公开(公告)号：CN103594574A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310328701.3

申请日：2013-07-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 黄钟日 ,  斋藤真司 ,  桥本玲 ,  布上真也

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：第一半导体层、第二半导体层、以及设于第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。第一半导体层包括氮化物半导体，并且是n型的。第二半导体层包括氮化物半导体，并且是p型的。所述发光层包括：第一阱层；设于第一阱层与第二半导体层之间的第二阱层；设于第一和第二阱层之间的第一势垒层；以及在第一势垒层与第二阱层之间接触第二阱层并且包括含Alx1Ga1-x1N（0.1≤x1≤0.35）的层的第一含Al层。