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公开(公告)号：CN102326458A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080007113.4
申请日：2010-01-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32275 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 一种通过微波使气体激励而对基板(G)进行等离子体处理的微波等离子体处理装置(10)，包括：处理容器(100)，所述处理容器(100)由金属形成；微波源(900)，所述微波源900)输出微波；第一电介质(305)，第一电介质(305)面向处理容器(100)的内壁，将从微波源(900)输出的微波向处理容器内透射；第二电介质(340)，所述第二电介质(340)被设置在处理容器(100)的内表面，抑制沿处理容器(100)的内表面传播的微波。
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公开(公告)号：CN102057762A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121686.7
申请日：2009-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/265 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , C03C17/002 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/32229
Abstract: 提供含有在分支部分非垂直地延伸的同轴管的同轴管分配器。等离子体处理装置(10)，通过微波激发气体来对被处理体进行等离子体处理，其具备：处理容器(100)；输出微波的微波源(900)；传输从微波源(900)输出的微波的传输线路(900a)；被设置在处理容器(100)的内壁，用于将微波释放到处理容器内的多个介电体板(305)；与多个介电体板(305)邻接，将微波向多个介电体板(305)传输的多个第1同轴管(610)；将沿传输线路(900a)传输的微波分配传输给多个第1同轴管(610)的1段或者2段以上的同轴管分配器(700)，同轴管分配器(700)包括具有输入部(In)的第2同轴管(620)和与第2同轴管连结的3根以上的第3同轴管(630)，第3同轴管分别相对于第2同轴管(620)呈非垂直地延伸。
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公开(公告)号：CN102037423A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118159.0
申请日：2009-03-10
Applicant: 株式会社富士金 , 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G05D7/0635 , G01F1/42 , G01F7/005 , Y10T137/0379
Abstract: 本发明是使用了流量范围可变型流量控制装置的流体流量控制方法，该装置使得压力式流量控制装置的控制阀的下游侧和流体供给用管道之间的流体通道为至少两个以上的并列状流体通道，并且使流体流量特性不同的孔口分别位于所述各并列状的流体通道中，在第1流量域的流体的流量控制中，使所述第1流量域的流体流过一个孔口，并且在第2流量域的流体的流量控制中使所述第2流量域的流体流过至少另一个孔口，选定所述各孔口的流量特性，使得所述小流量的第1流量域的流体的最大控制流量小于所述大流量的第2流量域的最大控制流量的10％，在规定的流量控制误差内流量控制将第1流量域中的可能的最小流量降低。
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公开(公告)号：CN101903562A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122240.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。
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公开(公告)号：CN101529563B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200780038770.3
申请日：2007-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(106)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。
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公开(公告)号：CN101779279A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880103082.5
申请日：2008-08-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76807 , H01L21/76819 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L21/7684 , H01L21/76897 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明使用绝缘性涂布膜形成层间绝缘膜，所述绝缘性涂布膜具有2.5以下的介电常数k，且由通式((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(式中，n＝1～3、x≤1)所表示的一种或二种以上的氧化物构成。利用旋涂涂布得到的绝缘性涂布膜不反映基底的凹凸，是平坦的，而且，经热处理的膜的表面粗糙度以Ra计为1nm以下，以P-V值计为20nm以下。含有绝缘性涂布膜的层间绝缘膜无需CMP工艺，仅通过蚀刻就可以形成布线结构及电极。
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公开(公告)号：CN100559567C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200580033312.1
申请日：2005-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/318
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L29/513
Abstract: 提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布，得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法，是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法，包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离子体处理装置内，由等离子体生成氧氮化种，在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序，所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全部气体量为0.00001～0.01%的NO气体。
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公开(公告)号：CN101521151A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910118365.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，能够使气体的供给位置优化。微波等离子体处理装置(10)具备：在内部激励等离子体的容器(100)；向容器内供给用于激励等离子体的微波的微波源(900)；传播从微波源(900)供给的微波的同轴管(600，315等)；以面向容器(100)的内侧的状态与同轴管(315)邻接，使各同轴管传播的微波透过并放出到容器(100)内部的多个电介质板(305)；向容器内供给用于激励等离子体的气体的气体供给源(800)；气体流路(810)，其贯通多个电介质板(305)每一个的内部，从作为其贯通口的气孔(A)向容器内导入气体。贯通金属电极(310)的气孔(B)和(A)等间距地配置。
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公开(公告)号：CN101521147A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910007679.6
申请日：2009-02-20
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法。已知道存在一种微波等离子体处理装置，其在使用Kr作为等离子体生成用气体时也仅能得到与使用Ar等其他稀有气体时相同的特性的氧化膜、氮化膜。在本发明中，构成微波等离子体处理装置的电介质窗部件不是只用陶瓷部件来构成的，在该陶瓷部件的处理空间侧的表面上，涂布了通过热处理可以得到化学计量上的SiO2的组成的平坦化涂布膜后，通过热处理形成具有极其平坦且致密的表面的平坦化涂布绝缘膜。在该平坦化涂布绝缘膜上形成耐腐蚀性膜。
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公开(公告)号：CN101491164A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027037.1
申请日：2007-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供可以更为彻底地防止等离子体倒流的产生、能够实现效率良好的等离子体激发的喷淋板。喷淋板(105)配置于等离子体处理装置的处理室(102)中，具备为了在处理室(102)中产生等离子体而放出等离子体激发用气体的多个气体放出孔(113a)，将气体放出孔的长度与孔径的纵横比(长度/孔径)设定为20以上。气体放出孔(113a)形成于与喷淋板(106)分立的陶瓷构件(113)上，将该陶瓷构件(113)安装于开设在喷淋板(106)上的纵孔(105)中。
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