公开(公告)号：CN113341662B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202110558121.8

申请日：2021-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  翁明晖 ,  訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/32

Abstract: 本公开涉及光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成光致抗蚀剂层；以及使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案。所述潜在图案是通过将显影剂组合物施涂到所述选择性地暴露的光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成图案来显影的。所述显影剂组合物包括：汉森溶解度参数为18>δd>3、7>δp>1和7>δh>1的第一溶剂；酸解离常数pKa为‑11

公开(公告)号：CN111123643B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201911043986.X

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开涉及保护组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种方法包括在衬底边缘上方形成保护层并在衬底上方形成光致抗蚀剂层。去除保护层并将光致抗蚀剂层曝光于辐射。保护层由包括酸生成剂和具有悬挂的不耐酸基团的聚合物的组合物制成。悬挂的不耐酸基团包括极性官能团；不耐酸基团包括极性开关官能团；不耐酸基团，其中大于5％的悬挂的不耐酸基团具有以下结构：#imgabs0#其中，R1为C6‑C30烷基基团、环烷基基团、羟烷基基团、烷氧基基团、烷氧基烷基基团、乙酰基基团等；R2为C4‑C9烷基基团、环烷基基团、羟烷基基团、烷氧基基团、烷氧基烷基基团、乙酰基基团等；具有悬挂的不耐酸基团和悬挂的内酯基团的聚合物；或具有悬挂的不耐酸基团和悬挂的羧酸基团的聚合物。

公开(公告)号：CN109585277B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201810957232.4

申请日：2018-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子扬 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 形成开口于下方层中的方法包括：形成光致抗蚀剂层于基板上的下方层上；曝光光致抗蚀剂层；以显影溶液显影曝光的光致抗蚀剂层，以形成光致抗蚀剂图案，且光致抗蚀剂图案覆盖欲形成开口的下方层的区域；形成液体层于光致抗蚀剂图案上；在形成液体层后，进行烘烤工艺以将液体层转变为固体型态的有机层；进行回蚀刻工艺以移除高于光致抗蚀剂图案的有机层的一部分；移除光致抗蚀剂图案，以经由有机层的其余部分露出下方层的部分；采用有机层的其余部分作为蚀刻掩模，形成所述多个开口于下方层中；以及移除有机层的其余部分。

公开(公告)号：CN108121160B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201711115745.2

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/09

Abstract: 本公开实施例提供光刻图案化方法，包括涂布底层于基板上，其中底层包含富碳材料；形成中间层于底层上，其中中间层的硅浓度大于42重量％；涂布光敏层于中间层上；对光敏层进行曝光工艺；以及显影光敏层以形成图案化的光敏层。

公开(公告)号：CN110554568B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201910189674.3

申请日：2019-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张雅晴 ,  张庆裕 ,  林进祥 ,  陈彦豪

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一光刻胶层于一基板之上，其中所述光刻胶层包括与一光酸产生剂混合的一聚合物，所述光酸产生剂与一或多个极性增强基团键结，所述极性增强基团被配置以增加光酸产生剂的一偶极矩；将所述光刻胶层曝光在一辐射光源下；以及显影所述光刻胶层，产生图案化光刻胶层。曝光可将光酸产生剂分离成阳离子和阴离子，使得与阳离子键结的一极性增强基团增加阳离子的极性，且与阴离子键结的一极性增强基团增加阴离子的极性。

公开(公告)号：CN115410989A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210590272.6

申请日：2022-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄景弘 ,  赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/768

Abstract: 本文涉及多层结构的下层及使用其的方法。所述方法包括：在衬底上提供分层结构，该分层结构包含在衬底上方形成的底层和在底层上方形成的光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层暴露于辐射源；显影光致抗蚀剂层；图案化底层；以及穿过在图案化的底层中的开口而去除部分衬底。在一些实施方案中，在底层和光致抗蚀剂层之间提供中间层。底层的材料包含至少一种交联剂，该交联剂已被官能化以降低其对底层中其他材料的亲和力。

公开(公告)号：CN106318002B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN201510836671.6

申请日：2015-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑雅玲 ,  张庆裕

IPC: B05D1/00 ,  B05D5/12 ,  B05D7/00 ,  C09D7/20

Abstract: 本发明提供一种用于衬底涂布的上底漆材料。在例示性实施例中，所述涂布技术包含接收衬底及将上底漆材料涂覆到所述衬底。所述上底漆材料的所述涂覆可包含旋转所述衬底以在所述衬底上径向分散所述上底漆材料。在所述实施例中，所述上底漆材料包含每分子具有至少六个碳原子的溶剂。成膜材料涂覆到所述衬底的所述上底漆材料上，且所述涂覆包含旋转所述衬底以在所述衬底上径向分散所述成膜材料。所述上底漆材料及所述成膜材料经蒸发以留下呈固态形式的所述成膜材料的组分。在各种实施例中，所述上底漆材料是基于以下各者中的至少一者来选择：蒸发速率、粘度或所述上底漆材料与所述成膜材料之间的分子间力。

公开(公告)号：CN110609442B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201810989869.1

申请日：2018-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  郑雅如 ,  张庆裕

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 在晶圆上方形成光刻胶层。光刻胶层包括金属光刻胶材料和一种或多种添加剂。使用光刻胶层实施极紫外(EUV)光刻工艺。一种或多种添加剂包括：沸点高于约150摄氏度的溶剂、光酸产生剂、光碱产生剂、猝灭剂、光分解碱、热酸产生剂或光敏交联剂。本发明的实施例还涉及通过添加剂的EUV金属光刻胶性能增强。

公开(公告)号：CN115202155A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210690784.X

申请日：2022-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  翁明晖 ,  张庆裕

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本揭露是关于一种降低光阻消耗(RRC)的方法及半导体结构的形成方法。降低光阻消耗的方法包含利用RRC组合物处理基材的表面；以及形成包括含金属材料的光阻层于经RRC组合物处理后的表面上。RRC组合物包含溶剂，以及酸或碱。溶剂具有10至25的分散参数。酸具有‑20至6.8的酸解离常数，且碱具有7.2至45的酸解离常数。

公开(公告)号：CN115050633A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110891053.7

申请日：2021-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  郑雅如 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  G03F7/004

Abstract: 一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料，在此叙述的光阻材料可包括具有一或多种配位基的多个种类的锡(Sn)簇合物。作为一实例，在此叙述的光阻材料可包括带有两个或以上不同种类的羧酸盐配位基的锡簇合物。作为另一实例，在此叙述的光阻材料可包括氧化锡簇合物，氧化锡簇合物包括碳酸根配位基。此两个或以上不同种类的羧酸盐配位基与碳酸根配位基可减少、最小化及/或防止在此叙述的光阻材料的结晶，从而可增加光阻材料的涂布效能并降低使用在此叙述的光阻材料所形成的光阻层的表面粗糙度。