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公开(公告)号：CN210052757U
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201921464381.3
申请日：2019-09-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种LED外延片和半导体器件，在第一N型半导体层和第二N型半导体层之间嵌入有N型电子阻挡层，且N型电子阻挡层为N型AlInGaN/GaN层，由于N型AlInGaN/GaN层中AlInGaN和GaN晶格失配较小，通过应力调制，减小了量子阱区域的极化电场，进而能够降低效率骤降带来的不利影响，同时还增加了LED外延片侧向电流扩展能力，使得半导体器件具有良好的电流扩展能力。以及，本实用新型通过的LED外延片移除了P型电子阻挡层，进而能够增加空穴注入，并缓解了载流子在量子阱中的不均匀分布，使多量子阱有源层发光更加均匀，提高了LED外延片的发光效率，且提高了半导体器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN203589069U
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201320597060.7
申请日：2013-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本实用新型采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。
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公开(公告)号：CN209087895U
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201821295248.5
申请日：2018-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层，其中所述半导体芯片包括一衬底、一N型氮化镓层、一电流扩展层、一量子阱层、一P型氮化镓层、一N型电极和一P型电极，所述N型氮化镓层层叠于所述衬底，所述电流扩展层层叠于所述N型氮化镓层，其中所述电流扩展层包括相互层叠的至少一N‑GaN层和至少一U‑GaN层，所述量子阱层层叠于所述电流扩展层，所述P型氮化镓层层叠于所述量子阱层，所述N型电极被电连接于所述电流扩展层，所述P型电极被电连接于所述P型氮化镓层。所述电流扩展层能够削弱所述半导体芯片的纵向电流扩展能力和提高横向电流扩展能力，这样，有利于电流的均匀分布，从而提高所述半导体芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN204144308U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420392581.3
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有防扩层的外延结构和发光二极管，所述的外延结构和发光二极管都包括：有源层一侧依次为第一型限制层、第一型电流扩展层及第一电极，在有源层另一侧依次形成第二型限制层、第二型电流扩展层、衬底及第二电极；在第二型电流扩展层与衬底之间形成防扩层，所述防扩层至少包括第二防扩层，第二防扩层被氧化为氧化物介质膜，防扩层为无导电型掺杂的绝缘层；所述的发光二极管还包括：在防扩层中形成导电通道，且在防扩层上形成金属反射镜，金属反射镜位于防扩层与衬底之间。本实用新型可以使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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