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公开(公告)号：CN111834732A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910321996.9
申请日：2019-04-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器及其探测方法。其探测器包括多频表面等离子体共振天线和晶体管；多频表面等离子体共振天线由两个对称设置的天线单元构成，天线单元包括扇形环嵌套接收面和水平振子，扇形环嵌套接收面包括同心设置的内半圆和外扇形环，水平振子与内半圆在圆心处垂直连接；晶体管设置在两个天线单元的水平振子之间且垂直于天线单元所在的平面；晶体管的栅极与多频表面等离子体共振天线位于同一多晶硅层。该探测器可以采用标准集成电路工艺技术，在单个探测器上实现一芯多频的功能，具有体积小、重量轻、高精度、高可靠、低功耗和低成本等突出优势，有利于实现太赫兹多频探测的微型化与小型化。
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公开(公告)号：CN110274889A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810213972.7
申请日：2018-03-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体共振天线的多通道太赫兹光谱探测单元。该探测单元包括表面等离子体共振天线和晶体管；表面等离子体共振天线由两个对称设置的天线单元构成，天线单元包括半圆形的头部和矩形的杆部，杆部与头部在半圆形的圆心处垂直连接；晶体管设置在两个天线单元的杆部之间且垂直于天线单元所在的平面；晶体管的栅极与共振天线位于同一金属层。由上述探测单元构成的多通道太赫兹光谱探测芯片，不仅能实现对多波长太赫兹信号进行探测，同时实现了太赫兹波段的单频分光，能大幅度提高光谱探测效率，具有体积小、重量轻、高精度、高频响，高可靠、长寿命、低功耗、低成本等突出优势，有利于实现光谱探测系统的微型化与小型化。
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公开(公告)号：CN109192796A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811242157.X
申请日：2018-10-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种UVC增强型PIN结构的4H-SiC紫外探测器，上电极4H-SiC欧姆接触层采用非均匀掺杂的掺杂分布，在该层欧姆接触层内形成一个内建电场，有效降低了光生载流子在该层欧姆接触层内的复合几率，提升了电极的收集效率，在保持PIN结构4H-SiC紫外探测器二极管整流特性、低欧姆接触电阻、低暗电流的同时，有效提升了PIN结构4H-SiC紫外探测器在UVC波段的响应度。
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公开(公告)号：CN106645323B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201611079255.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。
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公开(公告)号：CN106129204B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610627269.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119980456A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510224531.7
申请日：2025-02-27
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明公开了一种基于叔丁醇前驱体的常压MOCVD外延生长α‑ Ga2O3薄膜的方法。包括以下步骤：清洗衬底，将清洗过的衬底置于金属有机化学气相沉积设备的反应室基座上；向反应室中通入氮气，将反应室的气压调至常压；对反应室中的衬底进行高温预处理，高温预处理的条件为1000~1200℃、15~30 min；将衬底降温到570~630℃，以三乙基镓为镓源前驱体，叔丁醇为氧源前驱体，在衬底上生长α‑Ga2O3薄膜样品；对α‑Ga2O3薄膜样品进行降温至室温，同时通入氮气，得到α‑Ga2O3薄膜。利用本发明的方法能够制备得到高质量、高速生长的纯相亚稳态α‑Ga2O3薄膜。
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公开(公告)号：CN119936623A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510104344.5
申请日：2025-01-23
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供了一种面向阵列器件连续测试的系统、电子设备及存储介质，包括第一上位机和探针台；第一上位机发送扫描路径至探针台，控制探针台对待测阵列器件进行扫描测试：探针台的托盘按照扫描路径设定的路径点进行移动，到达指定位置后，上移托盘使探针和待测阵列器件的电极连接，通过电子测试设备按照第二上位机发送的测试指令对待测阵列器件进行测试，重复上述过程直到待测阵列器件的所有电极测试完毕。可以对任意阵列器件实现任意测试参数的扫描测试，进而结合检测位置坐标和该位置的测试结果进行数据可视化，为不同形状阵列器件提供全面且有效的测试数据。
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公开(公告)号：CN119584582B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510131104.4
申请日：2025-02-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基器件及其制备方法，属于半导体技术领域。包括衬底层、氮化镓层、势垒层，势垒层上设置有栅极P型氮化镓层和第一栅极金属层。栅极P型氮化镓层的两侧设置有源极欧姆金属层、漏极欧姆金属层，以及各自上方连接的源极场板金属层和漏极场板金属层，栅极P型氮化镓层和漏极欧姆金属层之间设置有空穴注入结构，空穴注入结构包括矩形P型氮化镓层、第二栅极金属层，以及穿设于矩形P型氮化镓层和第二栅极金属层中部并连接氮化镓层的欧姆金属柱，欧姆金属柱与漏极场板金属层连接。通过引入该特殊结构，可实现空穴的注入，进而有效地释放硬开关工作时器件表面陷阱和缓冲层陷阱中俘获的电子，提升器件长期工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN115295661B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202210893162.7
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H10F30/225 , H10F30/223 , H10F71/10 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为弧形钝化介质终端。本发明终端通过区域离子注入和高温氧化工艺形成一种弧形钝化介质终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面制备工艺窗口小、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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公开(公告)号：CN119300372A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411797000.9
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构的氧化镓基异质结双极晶体管及其制造方法，晶体管包括从下至上依次排列的Ga2O3集电极、NiO基极和Ga2O3发射极；NiO基极上位于Ga2O3发射极两侧均设置有基极电极；Ga2O3集电极与NiO基极形成n‑p结，NiO基极与Ga2O3发射极形成p‑n结。在有效地提升了电流增益的同时，增强了器件耐压能力。本发明为目前尚缺乏深入研究的氧化镓基双极晶体管提供了基础，有助于高压大功率双极晶体管的发展。
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