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公开(公告)号：CN103928569A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410140916.7
申请日：2014-04-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02628
Abstract: 本发明涉及一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法，包括如下步骤：（a）空气条件下稳定的前躯体溶液制备（b）采用旋涂法制备前躯体薄膜（c）干燥（d）旋涂多次、干燥（e）最后退火处理。本发明不需要使用昂贵的原材料和设备，采用二甲基亚砜这种易挥发，低碳有机物作为溶剂，可以克服以往铜锌锡硫纳米晶墨水合成过程中碳，氧元素的引入。各工艺步骤的控制性好，有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的吸收层薄膜，其工艺简单，可重复性强，易实现大规模生产。本发明中配制稳定的前躯体溶液所采用的试剂物化性质稳定，为发展绿色环保、低成本、高转换效率的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池技术提供新思路，可促进Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池产业化快速发展。
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公开(公告)号：CN103923515A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410140917.1
申请日：2014-04-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09D11/00
Abstract: 本发明公开了一种可用于制备Cu2ZnSnS4太阳能电池吸收层薄膜的墨水的配制方法。该墨水是以二甲基亚砜作为溶剂配制的，墨水中包含铜、锌、锡、硫四种元素，墨水的配制包括如下步骤：首先将一定比例的氯化铜、氯化锌、氯化锡分别溶入二甲基亚砜中；然后将上述三种溶液混合到一起并加入一定量的硫代乙酰胺；最后向上述溶液逐滴滴加乙醇胺，溶液变为黑色时停止滴加，最终配得稳定的墨水。本发明配制的墨水比较稳定，不需要使用昂贵的原材料，可以用于制备Cu2ZnSnS4太阳能电池吸收层薄膜，为发展绿色环保、低成本、高转换效率的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池技术提供新思路，可促进Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池产业化快速发展。
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公开(公告)号：CN103903851A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410135609.X
申请日：2014-04-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备耐腐蚀钕铁硼永磁体的方法，属于稀土磁性材料领域。将钕铁硼粉末除油、酸洗、活化、置于镀液中进行化学镀，然后干燥、磁场中取向成型初压、煅烧，即可。本发明方法制备的钕铁硼永磁体耐腐蚀性能强，表层的破损不影响其整体耐腐蚀性能，并具有很高的剩磁Br、矫顽力Hc和很大的磁能积BH。
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公开(公告)号：CN103102154B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310042848.6
申请日：2013-02-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3–BiMg0.5Ti0.5O3无铅压电陶瓷材料，涉及一类多元体系无铅压电陶瓷化合物，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域。本发明提供的组合物可用通式xBi0.5Na0.5TiO3-yBaTiO3-zBiMg0.5Ti0.5O3表示,其中x，y，z的取值范围由图示三元相图的阴影区域所示(该区域包括边界线）。该无铅压电陶瓷组合中还可含有氧化物Bi2O3，其含量为组合物中Bi离子含量的1%。该体系矫顽场在20-40kV/cm之间随着三元体系组分的变化而改变，压电系数d33和机电耦合系数Kp在可极化的组分范围内随着y值的增大而增大，d33从100-170pC/N不等，而Kp从0.1-0.3不等。陶瓷退极化温度在80-120°C之间随着y值的增大而略有减小。
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公开(公告)号：CN102874870B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210404477.7
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低温制备LaAlO3-BiAlO3雪花状纳米粉体的方法，属电子陶瓷领域。采用摩尔比为x：（1-x）：1：6的Bi(NO3)3·5H2O、La(NO3)3·6H2O、Al(NO3)3·9H2O、NaOH为原料，通过混料球磨、烘干、350～700℃下预烧2-6h、洗涤等即可。本发明利用熔盐化学法于较低温度制备出陶瓷粉体的同时，使其粉体颗粒尺寸更均匀，并呈现独特的雪花状纳米形貌。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102674435B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210144130.3
申请日：2012-05-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种铜锌锡硫纳米晶的溶剂热合成方法属于功能纳米材料的制备技术领域。本发明在较低的温度范围内，使用吡啶作为溶剂，可以克服以往铜锌锡硫纳米晶合成过程中碳，氧元素的引入。本发明步骤：称取一定量的氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫代乙酰胺，其摩尔比为2:1:1:5;在吡啶中依次加入氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫代乙酰胺，持续搅拌溶液，搅拌均匀后，将溶液移入密闭反应釜中；放在130-140℃的烘箱中加热15h-20h，之后随炉冷却至室温；取出粉体，依次用乙醇和蒸馏水离心；之后在真空烘箱中烘干；即制得铜锌锡硫纳米晶。该方法工艺简单，无氧低碳，成本低廉，具有大规模生产的潜力。
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公开(公告)号：CN102719252B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201210193736.6
申请日：2012-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/85 , C23C14/06 , C23C14/30 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种同时具有上下转光的高透非晶氟化物薄膜及其制备方法，属于固体发光材料领域。薄膜的材料组成为：YbF3、ErF3，其中ErF3摩尔分数为0.5%~15%。制备方法是在YbF3粉体中加入ErF3粉体，球磨混合，烘干后压片，并用碳包覆的方法在600℃~750℃煅烧6h~8h，烧制成陶瓷靶材;利用电子束沉积方法：以硅片和石英为衬底，在真空条件下，衬底温度为400℃~500℃，靶间距为25cm~32cm,沉积束流为3mA~6mA，沉积时间为15min~90min。非晶薄膜实现上下转换两种机制的结合,有效地把紫外光波段（300nm~400nm）和红外光波段（980nm附近）转换到可见光波段（656nm附近），薄膜透过率均在95%以上，有望应用到太阳能电池提高其光电效率。
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公开(公告)号：CN103484823A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310254474.4
申请日：2013-06-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料的制取与生成领域。本发明步骤：GaN粉体通过掺胶、研磨，通过80目网筛后压片，在560℃煅烧2小时，烧制成粉靶；将清洗烘干后的硅片在离子溅射仪沉积5‐60s,得到表面有厚度约为5‐40nm金膜的衬底；采用以上制备的GaN粉靶和衬底，利用激光脉冲沉积法：反应压强2x10‐3Pa，衬底温度850℃，激光能量380mJ/Pulse，激光频率6Hz，沉积时间为10min‐60min。本发明无任何气体参与反应，在设备腔体中直接反应，生成实心、线形的氮化镓纳米线，生成的纳米线密度均匀，直径变化范围小，定向性好，大部分垂直衬底生长。
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公开(公告)号：CN102992761A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210536187.8
申请日：2012-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 一种应用于能量收集器件的具有高能量密度和高断裂韧性的压电陶瓷材料及制备方法，属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基体化学组成为PbxSr1-x(Zn1/15Nb2/15ZryTi0.8-y)O3，并在其中掺杂基体材料质量z wt%的CoCO3，其中x的数值为0.90~1.00，y的数值为0.30~0.50，z的数值为0.00~1.00。以ZnO、Nb2O5、Pb3O4、SrCO3、ZrO2、TiO2和CoCO3为原料，采用湿磨、烘干、煅烧，二次球磨、造粒、压制成型、烧结步骤。本发明应用于能量收集器件，可以有效地回收再利用废弃的能量，且节能、环保、安全，具有显著的经济和社会价值。
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