公开(公告)号：CN102757220A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210243618.1

申请日：2012-07-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  段成辉 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  王如志 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种Bi0.5Na0.5TiO3基三元体系无铅压电陶瓷及制备，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域，该陶瓷的组成为x BNT-y BT-zBZT，x、y、z为被包含在用BNT、BT和BZT三元组成图的各组成点A、B、C、D连线所包围的区域内的BNT、BT和BZT的摩尔含量，A为(0.95,0,0.05)，B为(0.97,0,0.03)，C为(0.98,0.02,0)和D为(0.93,0.07,0)。制备时Bi2O3的量在其按照化学计量比所需的基础上再增加0.05%-1.00%。本发明所提供的三元无铅压电陶瓷体系具有优良的压电性能，具有实用性。

公开(公告)号：CN103102154B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310042848.6

申请日：2013-02-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  段成辉 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  王如志 ,  刘立英 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3–BiMg0.5Ti0.5O3无铅压电陶瓷材料，涉及一类多元体系无铅压电陶瓷化合物，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域。本发明提供的组合物可用通式xBi0.5Na0.5TiO3-yBaTiO3-zBiMg0.5Ti0.5O3表示,其中x，y，z的取值范围由图示三元相图的阴影区域所示(该区域包括边界线）。该无铅压电陶瓷组合中还可含有氧化物Bi2O3，其含量为组合物中Bi离子含量的1%。该体系矫顽场在20-40kV/cm之间随着三元体系组分的变化而改变，压电系数d33和机电耦合系数Kp在可极化的组分范围内随着y值的增大而增大，d33从100-170pC/N不等，而Kp从0.1-0.3不等。陶瓷退极化温度在80-120°C之间随着y值的增大而略有减小。

公开(公告)号：CN102757220B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210243618.1

申请日：2012-07-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  段成辉 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  王如志 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种Bi0.5Na0.5TiO3基三元体系无铅压电陶瓷及制备，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域，该陶瓷的组成为x BNT-y BT-zBZT，x、y、z为被包含在用BNT、BT和BZT三元组成图的各组成点A、B、C、D连线所包围的区域内的BNT、BT和BZT的摩尔含量，A为(0.95,0,0.05)，B为(0.97,0,0.03)，C为(0.98,0.02,0)和D为(0.93,0.07,0)。制备时Bi2O3的量在其按照化学计量比所需的基础上再增加0.05%-1.00%。本发明所提供的三元无铅压电陶瓷体系具有优良的压电性能，具有实用性。

公开(公告)号：CN103102154A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310042848.6

申请日：2013-02-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  段成辉 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  王如志 ,  刘立英 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3–BiMg0.5Ti0.5O3无铅压电陶瓷材料，涉及一类多元体系无铅压电陶瓷化合物，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域。本发明提供的组合物可用通式xBi0.5Na0.5TiO3-yBaTiO3-zBiMg0.5Ti0.5O3表示,其中x，y，z的取值范围由图示三元相图的阴影区域所示(该区域包括边界线）。该无铅压电陶瓷组合中还可含有氧化物Bi2O3，其含量为组合物中Bi离子含量的1%。该体系矫顽场在20-40kV/cm之间随着三元体系组分的变化而改变，压电系数d33和机电耦合系数Kp在可极化的组分范围内随着y值的增大而增大，d33从100-170pC/N不等，而Kp从0.1-0.3不等。陶瓷退极化温度在80-120°C之间随着y值的增大而略有减小。