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公开(公告)号：CN100594591C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200710175969.2
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，然后在进行表面预处理后的器件表面淀积氮化硅和富氧氮化硅复合介质层，对氮化镓基场效应晶体管进行钝化。利用本发明，解决了AlGaN表面长期存在的表面原始氧化层，消除了表面氧化层诱生的AlGaN表面态，并解决了AlGaN和氮化硅界面存在的表面态和表面原始氧化层诱生的电流崩塌效应以及常规钝化引起的栅反向漏电大幅度增加的问题，提高了GaN基HEMT的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN100505304C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610127867.9
申请日：2006-09-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/40 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种GaN基场效应管，该GaN基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成有细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有AlN或Al2O3薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或Al2O3薄膜上。本发明同时公开了一种GaN基场效应管的制作方法。利用本发明，有效地解决了AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅反向漏电增大的问题。
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公开(公告)号：CN109545699B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811381345.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括：提供具有不同面积的多个SiC衬底，所述SiC衬底的正反两面分别具有接触金属层；分别测量每个SiC衬底在正反两面之间的I‑V特性，得到每个SiC衬底的I‑V测试曲线；根据所述I‑V测试曲线拟合求出每个SiC衬底的总电阻R(S)，所述总电阻R(S)与所述SiC衬底的面积S相关；以及根据所述多个SiC衬底的总电阻R(S)和面积S推导计算所述接触金属层与所述SiC衬底之间的比接触电阻率ρc。本发明可以减少工艺步骤，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN102214568A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110146097.3
申请日：2011-06-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3065 , H01L21/30 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种SiC衬底的减薄方法，其包括匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaNHEMT器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。根据本发明提供的SiC衬底的减薄方法，可以有效缩短SiC衬底的减薄时间，提高工作效率，减少减薄时间。另外，由于整个衬底减薄过程中没有机械剪切力，器件的性能不会有明显的降低。
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公开(公告)号：CN101414562A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710175969.2
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，然后在进行表面预处理后的器件表面淀积氮化硅和富氧氮化硅复合介质层，对氮化镓基场效应晶体管进行钝化。利用本发明，解决了AlGaN表面长期存在的表面原始氧化层，消除了表面氧化层诱生的AlGaN表面态，并解决了AlGaN和氮化硅界面存在的表面态和表面原始氧化层诱生的电流崩塌效应以及常规钝化引起的栅反向漏电大幅度增加的问题，提高了GaN基HEMT的稳定性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101383268A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121502.X
申请日：2007-09-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束对准标记的制作方法，包括：A.对衬底材料进行光刻，同时形成电子束对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B.对衬底材料进行光刻，在电子束对准标记周围形成方形标记区域；C.对衬底材料进行表面刻蚀；D.腐蚀电子束对准标记处的掩膜金属，形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法。利用本发明，有效避免了高温退火中容易发生形貌变化的金属对准标记，利用衬底材料的高度差作为对准标记；同时解决了多步光刻形成电子束标记图形和源漏图形引入的机械误差和人为误差，避免了电子束光刻过程中出现的对准偏差。
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公开(公告)号：CN101150144A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610127867.9
申请日：2006-09-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/40 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种GaN基场效应管，该GaN基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成有细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有AlN或Al2O3薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或Al2O3薄膜上。本发明同时公开了一种GaN基场效应管的制作方法。利用本发明，有效地解决了AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅反向漏电增大的问题。
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公开(公告)号：CN109545699A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811381345.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L22/14 , H01L29/456
Abstract: 一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括：提供具有不同面积的多个SiC衬底，所述SiC衬底的正反两面分别具有接触金属层；分别测量每个SiC衬底在正反两面之间的I-V特性，得到每个SiC衬底的I-V测试曲线；根据所述I-V测试曲线拟合求出每个SiC衬底的总电阻R(S)，所述总电阻R(S)与所述SiC衬底的面积S相关；以及根据所述多个SiC衬底的总电阻R(S)和面积S推导计算所述接触金属层与所述SiC衬底之间的比接触电阻率ρc。本发明可以减少工艺步骤，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN101707184A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910303939.4
申请日：2009-07-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/338 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，属于半导体材料器件制作技术领域。所述方法包括：对氮化镓基场效应晶体管进行清洗；在氮气保护下对清洗后的所述氮化镓基场效应晶体管进行高温存储。通过本发明，提高了氮化镓基场效应晶体管的肖特基势垒高度，降低了氮化镓基场效应晶体管肖特基的反向漏电，提高了氮化镓基场效应晶体管的功率特性和击穿特性，解决了氮化镓基场效应晶体管在工作中参数漂移的问题，提高了氮化镓基场效应晶体管的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN101459080A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710179353.2
申请日：2007-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；高温退火合金；光刻形成屏蔽有源区图形，离子注入形成有源区隔离；湿法腐蚀二氧化硅保护层；在GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；电子束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的GaN基材料层形成栅槽结构，蒸发栅金属，金属布线。本发明避免了GaN基材料表面裸露在空气中，防止了GaN基材料表面在制作工艺过程中被污染，抑制了AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应。
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