公开(公告)号：CN104459420B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410841720.0

申请日：2014-12-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 苏梅英 ,  万里兮 ,  曹立强 ,  陆原 ,  王启东 ,  周云燕

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括：将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中，晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水，并测量去离子水的流量；检测TSV孔内的液面高度，当去离子水注满TSV孔时，停止注入去离子水，记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥，除去TSV孔内的去离子水；将晶圆反向放置，TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞，并测量汞的流量，控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量；采用汞探针C‑V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法，能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。

公开(公告)号：CN105575938A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610108370.6

申请日：2016-02-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 周云燕 ,  宋崇申 ,  王启东

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L23/492 ,  H01L21/4871

Abstract: 本发明提供了一种硅基转接板及其制备方法，硅基转接板包括绝缘层、第一聚合物层和第一再布线层，第一聚合物层形成于绝缘层上，第一再布线层形成于第一聚合物层上，绝缘层开设有缺口，缺口的位置与第一再布线层地线位置至少部分重叠，以形成一不完整结构的绝缘层，本发明改善了转接板的信号传输特性，减小了信号的传输损耗，对高频信号的改善尤其明显，提高了传输线的信号完整性，提升了硅基转接板的整体性能，仅通过在绝缘层开设的缺口就提升了硅基转接板的传输性能，结构和工艺流程简单、易于实现。

公开(公告)号：CN104051432A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410265859.5

申请日：2014-06-13

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 曹立强 ,  王启东

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种电子元件封装体，包含：基板，具有用来安装电子元件的安装表面，所述安装表面上布置有地平面；对电磁辐射敏感的第一有源器件，安装在基板的安装表面上，屏蔽转接板，安装在第一有源器件的表面上，其不与第一有源器件相邻的表面上具有金属屏蔽层，所述金属屏蔽层通过多条屏蔽线焊连接到所述地平面。调整该金属屏蔽层的屏蔽线焊的线型、密度，可以起到电磁场的屏蔽作用。本发明的可以有效、低复杂度、低成本地解决位于相同平面或不同平面电路与电路、电路与环境之间的电磁干扰问题，并且兼容整体工艺。

公开(公告)号：CN103487176A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310439556.6

申请日：2013-09-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 周云燕 ,  宋见 ,  王启东 ,  曹立强 ,  万里兮

IPC: G01L1/16 ,  G01L9/08

Abstract: 本发明公开了一种压力传感器的封装结构及方法，属于微电子封装技术领域。所述结构包括：上盖板、下盖板和压力传感器芯片；下盖板上设置有第一、第二矩形凹槽；第二矩形凹槽内嵌入第一矩形凹槽的底部，使第一矩形凹槽和第二矩形凹槽连通形成两级空腔结构；第一矩形凹槽的底部设置有贯穿下盖板的通孔；通孔的上下表面连接焊盘和布线层；压力传感器芯片凸点与下盖板的通孔连接；上盖板上设置有第三矩形凹槽；压力传感器芯片位于上盖板与下盖板连接所形成的空间内部。本发明还公开了一种压力传感器的封装方法。本发明提高了压力传感器芯片耐恶劣环境的能力、受力的均匀性、可靠性和准确性，能满足高温、高湿等特殊环境的应用。

公开(公告)号：CN102646654A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201110042195.2

申请日：2011-02-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 丹尼尔吉多蒂 ,  于大全 ,  王启东

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种位于不同平面电路间的垂直电连接结构及其制作方法。所述垂直电连接结构包括第一绝缘层，所述第一绝缘层上具有多个通孔，所述通孔内设置有导体柱，所述导体柱的高度和通孔的深度相同，所述导体柱完全嵌入在第一绝缘层内。本发明位于不同平面电路之间的垂直电连接结构的生产成本低，通孔密度高，通孔位置精确，而且基板的材料和通孔中的导体材料选择范围也非常广。

公开(公告)号：CN119965570A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510088951.7

申请日：2025-01-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 郑宇翔 ,  王启东 ,  曹立强 ,  张鑫

IPC: H01Q19/06 ,  H01Q15/24 ,  H01Q3/30 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/50 ,  H01Q21/00 ,  H01Q21/06

Abstract: 本发明公开一种双面波束扫描透射阵列天线，涉及无线通信技术领域，用于解决现有技术中的方案只能实现平面一侧的波束赋形，难以获得更大范围的波束覆盖，不利于大规模的通信数据传输的问题。包括：第一透射阵列，第二透射阵列以及馈源天线阵；第一透射阵列以及第二透射阵列均包括具有相位补偿能力的透射单元；馈源天线阵包括馈源天线单元，且馈源天线阵与第二透射阵列集成。采用具有双向透射功能的阵列天线组合，用馈源天线阵进行激励，实现了透射阵列天线的双面波束扫描功能，扩大了波束扫描的范围，提升了天线阵的性能，利于大规模的通信数据传输。

公开(公告)号：CN119108339A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411029068.2

申请日：2024-07-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李雨兴 ,  戴风伟 ,  刘丰满 ,  王启东

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔转接板及其制造方法、2.5D集成模组及其制造方法，该硅通孔转接板的制造方法中载片的Si O2层与硅通孔接触，形成Cu‑SiO2混合键合界面，用来代替临时键合，降低了硅通孔转接板背面工艺的难度。所述方法包括：提供一裸晶圆；在所述裸晶圆的正面上形成深孔；形成第一绝缘层；在所述深孔中填充金属铜，形成硅通孔；提供一载片，所述载片包括SiO2层；将所述载片上的S iO2层和所述硅通孔接触，形成Cu‑Si O2混合键合界面；对所述裸晶圆的背面减薄，以使所述硅通孔底部露出裸晶圆的背面；形成第二绝缘层；形成多层金属互连单元和第一凸点单元；去除载片；形成第二凸点单元。

公开(公告)号：CN114256616B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202111651375.0

申请日：2021-12-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 郑宇翔 ,  万伟康 ,  王启东

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/50 ,  H01Q15/00 ,  H01Q15/14 ,  H01Q21/28 ,  H01Q1/24

Abstract: 本申请公开一种天线单元和天线阵列，涉及无线通信技术领域。天线单元包括由上至下依次叠放的第一介质板、第二介质板、金属反射地板和第三介质板，还包括微带馈线、中心辐射贴片、贴片阵列和人工磁导体结构；贴片阵列和人工磁导体结构均位于第一介质板的上表面，人工磁导体结构间隔分布在贴片阵列的外侧；中心辐射贴片位于第二介质板上，第一介质板覆盖中心辐射贴片；金属反射地板具有沿上下方向延伸的通孔，中心辐射贴片在金属反射地板上的投影与通孔相交，在中心辐射贴片的宽度方向上，投影位于通孔所限定的范围内；微带馈线位于第三介质板的下方。

公开(公告)号：CN118678865A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410799912.3

申请日：2024-06-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 孙占兴 ,  侯峰泽 ,  苏梅英 ,  尤祥安 ,  王启东

IPC: H10N10/82 ,  H10N10/01 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种用于芯片的微铜柱结构，所述微铜柱结构的铜柱顶部表面复合有铜纳米颗粒。本发明提出的微铜柱结构，其顶部具有铜纳米颗粒，增加一个复合铜纳米颗粒层，铜柱无需进行焊料电镀或铜膏浸渍转移即可进行之后的互连，而且使用时，纳米颗粒表面的防氧化层会阻挡氧的进一步向内扩散，从而实现空气气氛烧结。本发明的铜纳米颗粒经历“表面预氧化‑还原为中间产物‑烧结升温热分解”的转换过程，预氧化的氧化层以及后续其还原成的中间产物可以有效地避免纳米颗粒在转移、存储、烧结时的进一步氧化；中间产物可重新热分解为铜，同时形成烧结颈，使得烧结可在空气气氛下进行。本发明整体工艺与常规半导体工艺流程兼容，易于实现。

公开(公告)号：CN118471963A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410470463.8

申请日：2024-04-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李孟鑫 ,  戴风伟 ,  丁飞 ,  金仁喜 ,  杨宇东 ,  张宇 ,  王启东

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明涉及一种超薄存储芯片三维堆叠器件及其制备方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有存储芯片三维堆叠器件制备工艺复杂、容易污损芯片的问题。方法包括：提供多个具有TSV电连接件的芯片，以及具有TSV电连接件的晶圆；将芯片的正面与晶圆的正面贴合，芯片的TSV电连接件与晶圆的TSV电连接件对应；将芯片的背面减薄，使TSV电连接件底部凸出芯片背面；在晶圆表面和芯片表面沉积介质层；减薄介质层，使TSV电连接件底部露出；将得到的器件作为重构晶圆，重复上述步骤，直至完成目标层数芯片的堆叠。该方法工艺简单，不容易污损芯片。