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公开(公告)号：CN104345286A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310340677.5
申请日：2013-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种积分电路及所适用的超导量子干涉传感器。根据本发明所述的传感器，在所述积分电路中配置受外部控制信号的选通器，并根据所述控制信号改变所述积分电路，使得所述积分电路能够进行正极性积分、负极性积分、复位和调试中的一种。由此使超导量子干涉器件能够获得最佳工作参数，并灵活选定工作点，简化了现有超导量子干涉传感器读出电路中的积分电路。
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公开(公告)号：CN104297703A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310306933.9
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉传感器及所适用的磁探测器。根据本发明所述的磁探测器，由偏置电路向所述超导量子干涉传感器中的放大器提供偏置电压，所述放大器经分压电阻分压，将分压后的偏置电压提供给超导量子干涉传感器中的超导量子干涉器件，同时，利用所述偏置电压将所述超导量子干涉器件输出的电信号予以放大并输出，其中，所述超导量子干涉传感器还被浸放在使超导量子干涉器件处于超导状态的容器中。本发明所述的磁探测器由放大器向超导量子干涉器件提供偏置电压能够有效解决现有的放大器和超导量子干涉器件分用偏置电路而使所述干涉器件的集成度低、电路结构复杂等问题。
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公开(公告)号：CN103935999A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410196412.7
申请日：2014-05-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，其特征在于以天然石墨为原料，极性溶剂为分散介质，在石墨烯量子点辅助下通过机械剥离方法制备高质量石墨烯，主要利用石墨烯量子点在极性溶剂中良好的分散性，及其与石墨烯/石墨烯片层之间较强的非共价键结合，促进天然石墨的剥离和石墨烯纳米片在极性溶剂中的分散，从而获得高质量的石墨烯。本发明是在在不引入表面活性剂、无机盐类、有机盐类等其他杂质的情况下从天然石墨直接获得石墨烯粉体。与已有方法报道不同，本发明所述的方法工艺简单，可在多种极性溶剂中进行，所得石墨烯产率最高可达50％，质量好，且用作辅助剥离的石墨烯量子点可循环使用，因此这种方法非常适合大批量制备石墨烯。
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公开(公告)号：CN103839835A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410114348.3
申请日：2014-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/66045
Abstract: 本发明提供一种基于石墨烯场效应管的微区加方法及结构，所述微区加热结构包括以下步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电压，调制窄边微区结构的电阻，从而实现窄边微区结构的加热，所述加热的温度范围为100～1200℃。本发明的基于石墨烯场效应管的微区加热方法，操作简单，可以实现不同尺寸的微区加热，并且加热区域可控。另外，微区加热结构的制备方法简单，与现有的MOS工艺兼容，制备的微区加热结构产量高、均匀性好。
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公开(公告)号：CN103792500A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210430981.4
申请日：2012-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 一种基于SBC构型的磁通量子计数的磁场直接读出电路，其特征在于SBC芯片（1）、放大器（2）、积分器（3）、反馈电阻（4）和反馈线圈（5）构成磁通锁定环路，磁通计数单元（6）进行逻辑判定、控制波形发生与整形后，通过放电开关对积分器（3）进行复位操作，实现磁通量子计数，磁通计数单元（6）的计数脉冲包括C+和C-，作为电路输出与积分器输出共同用于波形重构。所述的方法包括（a）利用SBC构型磁通-电流曲线非对称特性，增加磁通量子计数工作稳定性；（b）基于复位开关控制波形整形实现软开关，消除复位浪涌电流/电压。本发明基于SBC和软开关的读出电路构型简单，参数易调整、抗干扰能力强，适合运动平台下的多通道磁场测量与系统集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103708447A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310740378.0
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种氧化石墨烯量子点的提纯方法，所述氧化石墨烯量子点的提纯方法至少包括：提供氧化石墨烯量子点水溶液；在所述氧化石墨烯量子点水溶液中混入表面活性剂以形成混合溶液；向所述混合溶液中加入非极性溶剂，以将所述氧化石墨烯量子点萃取到所述非极性溶剂中，得到氧化石墨烯量子点非极性溶液；干燥所述氧化石墨烯量子点非极性溶液，以得到氧化石墨烯量子点粉体。本发明提供的上述氧化石墨烯量子点的提纯方法可得到高纯度氧化石墨烯量子点粉体。
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公开(公告)号：CN103675744A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310694313.7
申请日：2013-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉传感器的标定设备及标定方法。所述标定设备包括：在三个正交的维度方向设置线圈，各所述线圈所围空间中的磁场均匀区域用于放置所述超导量子干涉传感器；与每个维度方向的线圈相连的信号发生器，用于向各所述线圈输出驱动电流，以使各所述线圈产生电压；与所述超导量子干涉传感器和所述信号发生器相连的标定分析装置，用于根据每个维度方向的线圈的电压及所述超导量子干涉传感器所输出的感应信号来标定所述超导量子干涉传感器的磁场电压转换系数。基于三维投影原理，有效地避免了传统单一方向标定带来的方向和位置校准问题。
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公开(公告)号：CN103553029A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310534290.3
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法，包括步骤：1）对生长衬底进行抛光处理并进行清洗；2）将所述生长衬底置于反应腔中，对所述反应腔进行抽真空后通入还原气体并升温至预设温度，然后对所述生长衬底进行等离子体预处理；3）采用等离子体增强化学气相沉积法于所述生长衬底表面生长竖直石墨烯薄膜；4）将制备出的竖直石墨烯薄膜转移至转移目标上。本发明充分发挥竖直石墨烯薄膜的水平薄膜层的横向散热与竖直方向较大的比表面积带来的纵向散热性，将高功率芯片水平方向的热量通过大的比表面积扩散至周围环境中，从而加快了散热效率。本发明研究了竖直石墨烯薄膜的转移技术，可以很方便的将竖直石墨烯薄膜应用于多种场合中。
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公开(公告)号：CN103523770A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310492787.3
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法，该石墨烯的制备方法至少包括步骤：首先，提供一SiC基底；接着，采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge；最后，对上述形成的结构进行退火处理，注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键，断键后的Si和注入的Ge形成SiGe，断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。本发明只需要常压或低压以及低温就能够制备出石墨烯，对制备仪器的要求较低，并且节约能源、减少成本，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103389478A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210427956.0
申请日：2012-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种超导磁传感器的数字化实时磁补偿装置及方法，其特征在于在传统磁通锁定环读出电路的基础上引入具有不同通带特性的两级负反馈，分别实现高灵敏度待测磁场信号的读取和低灵敏度待补偿磁场干扰的补偿，采用ADC、微处理器、DAC及其附属器件组成的数字电路构建磁补偿电路，并增加了可提高磁补偿装置可靠性的软启动和磁通锁定环直流偏置自动消除功能。其补偿方法特征在于通过ADC采集磁通锁定环的输出信号，然后由微处理器进行直流偏置消除、滤波、反转、积分，最后由DAC输出磁补偿反馈需要的信号。充分利用SQUID Feedback（反馈）线圈进行反馈，极大地简化了磁补偿装置的结构，提高了它的可维护性、可靠性和待补偿信号的提取能力。
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