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公开(公告)号：CN106816525B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710031318.X
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法，包括：首先在衬底上沉积氮化铌‑绝缘层‑氮化铌三层薄膜结构，然后制备SQUID器件超导环和底电极结构；接着制备多个并联的约瑟夫森结；再在器件表面沉积绝缘薄膜，并在每个约瑟夫森结表面和底电极表面开孔，以使得后续步骤中引出顶电极；再沉积金属薄膜，制备金属旁路电阻；最后沉积氮化铌薄膜，制备梳状顶电极。通过本发明的制备方法和参数后处理方法，若测试发现NbN SQUID器件的临界电流和旁路电阻数值与设计值有较大偏差时，可以对器件进行后期处理以使得临界电流和旁路电阻数值接近设计数值，从而提高器件一致性。
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公开(公告)号：CN105489750B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610023704.X
申请日：2016-01-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/04 , H01L39/22 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器件的封装结构，包括：封装槽，底部和侧壁形成有低通滤波层；底板，固定于所述封装槽底部的低通滤波层表面，且制备有器件引出电极；超导量子干涉器件，固定于底板上，并实现电性连接；盖板，密封覆盖于封装槽上形成容置空间，以将超导量子干涉器件封装于该容置空间内，且盖板朝向封装槽的一面形成有低通滤波层，所述低通滤波层包括金属粉末与低温胶的混合物层。本发明在超导量子干涉器件的封装结构中加入由金属纳米粒子构成的屏蔽层，可以有效防止外界射频电磁场进入到超导量子干涉器件中，同时低温胶的绝缘特性使得屏蔽层不能构成导通回路因此不产生金属涡流，从而提高了超导量子干涉器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN106816525A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710031318.X
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L39/025 , H01L39/12 , H01L39/223 , H01L39/2416 , H01L39/2493
Abstract: 本发明提供一种氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法，包括：首先在衬底上沉积氮化铌‑绝缘层‑氮化铌三层薄膜结构，然后制备SQUID器件超导环和底电极结构；接着制备多个并联的约瑟夫森结；再在器件表面沉积绝缘薄膜，并在每个约瑟夫森结表面和底电极表面开孔，以使得后续步骤中引出顶电极；再沉积金属薄膜，制备金属旁路电阻；最后沉积氮化铌薄膜，制备梳状顶电极。通过本发明的制备方法和参数后处理方法，若测试发现NbN SQUID器件的临界电流和旁路电阻数值与设计值有较大偏差时，可以对器件进行后期处理以使得临界电流和旁路电阻数值接近设计数值，从而提高器件一致性。
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公开(公告)号：CN105702849A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610070503.5
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L39/2493 , H01L39/025 , H01L39/223
Abstract: 本发明提供一种台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；2）分别刻蚀第二超导材料层、第一绝缘材料层及第一超导材料层以形成下电极及约瑟夫森结；3）在步骤2）得到的结构表面形成第二绝缘材料层；4）沉积旁路电阻材料层，并刻蚀旁路电阻材料层以形成旁路电阻；5）沉积第三超导材料层，并刻蚀第三超导材料层形成配线层及超导覆盖层。本发明可以确保位于下电极表面的旁路电阻与位于第二绝缘材料层表面的旁路电阻的导通，避免出现断路故障，保证了旁路电阻连通的稳定性，提高了超导电路结构的工作性能。
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公开(公告)号：CN103245928B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310195809.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及一种方向可调的均匀磁场和均匀一阶梯度磁场的方法及相应的装置，其特征在于将均匀磁场和梯度磁场发生装置与磁场方向调节装置结合在一起，构成一个方向可调的磁场和梯度磁场产生装置；所述的装置由两部分组成：一部分是均匀磁场和均匀一阶梯度磁场产生装置，在装置中通入电流时，在装置内部产生均匀磁场或均匀一阶梯度磁场，根据具体使用要求，在线圈的不同端子通入同向或反向电流，以满足使用要求；另一部分是调节磁场方向装置，以调节磁场和全张量一阶梯度磁场的方向；将这两部分集成在一起，构成方向可调节的磁场和梯度磁场发生装置。应用于磁传感器标定或多通道复杂结构的SQUID探测模块的标定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103389478B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210427956.0
申请日：2012-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种超导磁传感器的数字化实时磁补偿装置及方法，其特征在于在传统磁通锁定环读出电路的基础上引入具有不同通带特性的两级负反馈，分别实现高灵敏度待测磁场信号的读取和低灵敏度待补偿磁场干扰的补偿，采用ADC、微处理器、DAC及其附属器件组成的数字电路构建磁补偿电路，并增加了可提高磁补偿装置可靠性的软启动和磁通锁定环直流偏置自动消除功能。其补偿方法特征在于通过ADC采集磁通锁定环的输出信号，然后由微处理器进行直流偏置消除、滤波、反转、积分，最后由DAC输出磁补偿反馈需要的信号。充分利用SQUID Feedback（反馈）线圈进行反馈，极大地简化了磁补偿装置的结构，提高了它的可维护性、可靠性和待补偿信号的提取能力。
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公开(公告)号：CN103220047B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310153611.5
申请日：2013-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于超导SQUID阵列的低频透地通信系统及方法，其特征在于所述的系统依次由低频信号发射、无线传输大地信道以及基于超导SQUID阵列的信号接收和分析构成，其中基于超导SQUID阵列的信号接收集成了多个超导SQUID器件集成与SQUID阵列匹配的读出电路以及为超导SQUID阵列提供低温环境的杜瓦构成。所述的系统使用时需考虑①多通道串扰解决方法以及微弱信号处理方法。本发明在上述基础上能提高信号接收的信噪比和信号接收的准确性，降低通信误码率。
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公开(公告)号：CN103616650A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310602036.2
申请日：2013-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种基于预失真的超导磁补偿装置及方法，其特征在于所述的装置由参考磁传感器、磁补偿电路和补偿线圈三部分组成，其中参考磁传感器用于测量待补偿区域的磁场信号；磁补偿电路则从参考磁传感器测得的磁场信号中提取出待补偿频段的信号，然后通过补偿线圈形对特定区域的磁场进行补偿。提供的补偿方法特征在于首先通过模数转换器获取外部参考磁传感器的测量值后在控制器中进行降噪或阈值判断数字信号处理；然后由数模转换器经功率放大器和反馈电阻驱动一个比SQUID器件自身反馈系数高几十倍的线圈对其输入信号选择性地进行预失真，最后通过同步数据采集设备对磁通锁定环和功率放大器的输出信号采样。提供的装置简单、体积小、稳定性高，适合在运动和野外环境下使用。
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公开(公告)号：CN103245928A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310195809.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及一种方向可调的均匀磁场和均匀一阶梯度磁场的方法及相应的装置，其特征在于将均匀磁场和梯度磁场发生装置与磁场方向调节装置结合在一起，构成一个方向可调的磁场和梯度磁场产生装置；所述的装置由两部分组成：一部分是均匀磁场和均匀一阶梯度磁场产生装置，在装置中通入电流时，在装置内部产生均匀磁场或均匀一阶梯度磁场，根据具体使用要求，在线圈的不同端子通入同向或反向电流，以满足使用要求；另一部分是调节磁场方向装置，以调节磁场和全张量一阶梯度磁场的方向；将这两部分集成在一起，构成方向可调节的磁场和梯度磁场发生装置。应用于磁传感器标定或多通道复杂结构的SQUID探测模块的标定。
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公开(公告)号：CN102483444A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980161327.4
申请日：2009-09-09
Applicant: 于利希研究中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
CPC classification number: G01R33/0356
Abstract: 本发明涉及一种SQUID自举电路(SBC)，其包括互相耦合的dc-SQUID和反馈线圈。SQUID和线圈串联连接。反馈线圈可以由超导体或常规金属制成，也可以集成在SQUID芯片上，或邻近SQUID分开地布置。SQUID和线圈一起形成新型的称为SBC的双端子器件。本发明集合了APF和NC的优势，避免了其缺陷。有了这种新设计，SQUID的电流-Ф或电压-Ф特性将是非对称性的，且等效动态电阻也将改变。
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