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公开(公告)号：CN116577703A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310506335.X
申请日：2023-05-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/022 , G01R33/035 , G01R33/10
Abstract: 本发明提供一种磁探测元件、芯片、磁场旋度及磁梯度张量探测模块，包括：设置于同一平面上的第一、第二梯度线圈，均包括沿主对称轴对称分布的第一、第二超导线圈；第一、第二超导线圈绕向相反；第一超导线圈的第一端与第二超导线圈的第一端相连，第二端在主对称轴处分别引出，作为对应梯度线圈的输入端和输出端；第一、第二梯度线圈的主对称轴相互垂直。本发明充分利用集成梯度计的高平衡性，减小测量误差，提高SQUID梯度计的环境适应性；本发明的磁场旋度探测模块构型简单，且扩展了SQUID梯度计的应用场景；本发明的超导磁梯度张量探测模块基于本身自带冗余设计抵御芯片故障或受损的风险，增加了模块的实用性。
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公开(公告)号：CN104545913A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310492564.7
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: A61B5/04005 , A61B5/7296
Abstract: 本发明提供一种应用于环境磁场抑制的自适应补偿方法及系统，该方法包括：采集一探测系统输出的信号通道信号和参考通道信号获得信号通道数据和参考通道数据；利用长度固定的窗口从初始时刻点开始对所述参考通道数据进行提取，随着初始时刻点从0开始以1为梯度逐渐增加，依次获得多个补偿通道数据；构造包含补偿系数的误差函数，以最小方差为准则求解误差函数获得补偿系数；利用补偿系数对所述信号通道数据进行环境噪声抑制。本发明只需设置窗口长度一个参数，无需设定相减系数的初始值，不存在收敛的过程，即可稳定自适应地获取最佳的相减系数，实现高性能的梯度输出。
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公开(公告)号：CN104545875A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310492676.2
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/04 , G01R33/02 , G01R33/022
CPC classification number: A61B5/04005
Abstract: 本发明提供一种用于生物磁检测的全张量空间梯度补偿方法及系统，该方法包括：根据三维直角坐标系xyz确定环境磁场的9个全张量一阶梯度分量，为x方向磁场分别在x、y和z方向的一阶梯度分量，y方向磁场分别在x、y和z方向的一阶梯度分量，z方向磁场分别在x、y和z方向的一阶梯度分量；根据环境磁场的无源性和无旋性，确定9个全张量一阶梯度分量中的5个独立的一阶梯度分量，利用磁强计构建5个独立的一阶梯度分量，对一环境磁场的信号通道进行补偿，通过最小均方误差求得补偿系数，实现对环境磁场的信号通道的全张量一阶梯度的补偿。本发明实现了空间全张量的一阶梯度补偿，可以更加有效地抑制环境噪声，提高了梯度计的噪声抑制性能。
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公开(公告)号：CN103016611A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210546662.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于心磁图仪的减震装置及减震方法，所述的减震装置由两个同心圆环板材与若干个弹簧阻尼器构成，其中若干个弹簧阻尼减震器均匀分布在两片同心圆环板材之间，构筑成三明治结构。使用所述的减震装置的方法特征是减震橡胶为天然橡胶NR、顺丁橡胶BR或丁苯橡胶SRR。利用本发明提供的减震装置及方法可有效地衰弱振动传递且不额外引入噪声干扰，达到振动隔离的效果，从而衰弱耦合进人梯度计的振动噪声，提高了心磁信号信噪比，增强了心磁图仪的系统稳定性和可靠性，为心磁图仪的推广普及提供了良好的技术保障。
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公开(公告)号：CN100583397C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200510029096.5
申请日：2005-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/22 , H01L33/00 , H01S5/343 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III-V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元系III-V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范围(0≤XAl≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在保持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相差2至4个数量级。本发明三种含铝三元系材料为中红外、远红外(THz)激光器势叠层和波导层材料，也是高速器件的垒层材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100373723C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510029274.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷含磷量子级联激光器结构原子层尺度外延材料质量控制方法。包括：(1)外延层原子层界面砷/磷原子混凝控制方法；(2)外延层的组份均匀性的控制；(3)外延层厚度的控制以及(4)外延层施主掺杂的控制方法。上述四方面质量控制已成功地用气态源分子束外延一步生长方法制备出一系列25级至100级含400-2200层的中红外波段InP基含砷含磷InP/InAlAs/InGaAs量子级联激光器结构材料。所制备的400-2200层的QCL结构都能做出优质器件，表明本发明的QCL原子层尺度外延材料质量控制方法是成功的。其思路也适合于其它III-V族化合物半导体材料与器件。
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公开(公告)号：CN1737998A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510029096.5
申请日：2005-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/22 , H01L33/00 , H01S5/343 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III－V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元系III－V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范围(0≤XAl≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在保持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相差2至4个数量级。本发明三种含铝三元系材料为中红外、远红外(THz)激光器势叠层和波导层材料，也是高速器件的垒层材料。
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公开(公告)号：CN116224183A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310225080.X
申请日：2023-03-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种SQUID检测模块、芯片、传感器及磁测量系统，包括：反馈线圈、SQUID器件及第一约瑟夫森结，SQUID器件包括并联的第二约瑟夫森结及第三约瑟夫森结；反馈线圈、SQUID器件及第一约瑟夫森结的第一端连接在一起，并作为SQUID检测模块的第一连接端子；反馈线圈的第二端作为SQUID检测模块的第二连接端子；SQUID器件的第二端作为SQUID检测模块的第三连接端子；第一约瑟夫森结的第二端作为SQUID检测模块的第四连接端子。本发明能有效抑制直流偏移，引线电阻产生的直流偏移不影响传感器的工作点；运行简单，只需调节直流偏置电压，无需处理工作点电压偏移问题，大大降低系统操作难度，提高系统运行和维护效率。
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公开(公告)号：CN102988041B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201210465494.1
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/0402
Abstract: 本发明涉及一种心磁信号噪声抑制中的信号选择性平均方法，其特征在于所述的方法基于模版匹配的方式，通过计算模版信号与被检信号之间的相似系数，经阀值判断剔除部分干扰周波进行平均，以实现可选择信号平均。本方法的特点是利用模版匹配剔除信号中存在噪声干扰或异常信号的周波，避免对平均信号结果引入不必要的噪声引发信号失真，灵活度大，适用于实际采集心磁信号过程中遇到的各种干扰问题。
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公开(公告)号：CN100373724C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510029275.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/GaInAs/AlInAs/InP/InP；(b)只采用硅一种施主掺杂剂；(c)采用InP/InP复合下波导包裹层；在InP和GaInAs间相互过渡时采用InP/GaInAs或GaInAs/InP数字递变超晶格层；(d)在有源区/注入区两侧加预注入加强层。(2)中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构不间断连续生长方法的特点是只用一台气态源分子束外延系统完成整个InP基含砷含磷量子级联激光器结构的不间断连续生长，所研制的QCL器件具有低阈值电流密度的特点。
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