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公开(公告)号：CN1731636A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510028755.3
申请日：2005-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在1018cm－3高施主掺杂InP衬底上外延生长1－5×1017cm－3电子浓度的InP缓冲层；(b)所述的另一种结构是在具较高位错密度的1－5×1017cm－3低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8－3×1017cm－3电子浓度的InP缓冲层。该缓冲层可作为降低中红外折射率色散的下波导包裹终止层、有源区电流扩散终止层、腐蚀终止层、改善衬底与外延层界面质量的吸杂层。具有改善、提高InP基异质结构材料与器件性能的多功能、多用途特点。
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公开(公告)号：CN100373724C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510029275.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/GaInAs/AlInAs/InP/InP；(b)只采用硅一种施主掺杂剂；(c)采用InP/InP复合下波导包裹层；在InP和GaInAs间相互过渡时采用InP/GaInAs或GaInAs/InP数字递变超晶格层；(d)在有源区/注入区两侧加预注入加强层。(2)中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构不间断连续生长方法的特点是只用一台气态源分子束外延系统完成整个InP基含砷含磷量子级联激光器结构的不间断连续生长，所研制的QCL器件具有低阈值电流密度的特点。
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公开(公告)号：CN100373722C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510028755.3
申请日：2005-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在1018cm-3高施主掺杂InP衬底上外延生长1-5×1017cm-3电子浓度的InP緩冲层；(b)所述的另一种结构是在具较高位错密度的1-5×1017cm-3低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8-3×1017cm-3电子浓度的InP缓冲层。该缓冲层可作为降低中红外折射率色散的下波导包裹终止层、有源区电流扩散终止层、腐蚀终止层、改善衬底与外延层界面质量的吸杂层。具有改善、提高InP基异质结构材料与器件性能的多功能、多用途特点。
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公开(公告)号：CN1731638A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510029275.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/ GaInAs/AlInAs/ InP/InP；(b)只采用硅一种施主掺杂剂；(c)采用InP/InP复合下波导包裹层；在InP和GaInAs间相互过渡时采用InP/GaInAs或GaInAs/InP数字递变超晶格层；(d)在有源区/注入区两侧加预注入加强层。(2)中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构不间断连续生长方法的特点是只用一台气态源分子束外延系统完成整个InP基含砷含磷量子级联激光器结构的不不间断连续生长，所研制的QCL器件具有低阈值电流密度的特点。
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