公开(公告)号：CN100583397C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200510029096.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李爱珍 ,  郑燕兰 ,  李华 ,  胡雨生 ,  张永刚 ,  茹国平 ,  陈正秀

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III-V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元系III-V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范围(0≤XAl≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在保持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相差2至4个数量级。本发明三种含铝三元系材料为中红外、远红外(THz)激光器势叠层和波导层材料，也是高速器件的垒层材料。

公开(公告)号：CN1737998A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510029096.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李爱珍 ,  郑燕兰 ,  李华 ,  胡雨生 ,  张永刚 ,  茹国平 ,  陈正秀

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III－V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元系III－V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范围(0≤XAl≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在保持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相差2至4个数量级。本发明三种含铝三元系材料为中红外、远红外(THz)激光器势叠层和波导层材料，也是高速器件的垒层材料。