-
公开(公告)号：CN103871976A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410095131.2
申请日：2014-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种经改进的高温SQUID的封装结构及方法，其特征在于所述改进的封装结构是在底板（2）上放置中间层（4），将顶层盖板（1）放置于中间层（4）的上面；所述的中间层由内壁和外壁两部分构成，内壁和外壁之间形成一个槽形结构，槽形结构与顶层盖板和底板密封封闭在一起。在内壁上制作有均匀的小孔，中间层的内壁和外壁之间的槽形结构通过内壁的小孔的孔洞与器件封装的空间相通。槽形结构的内部填充活性吸附物质。由于中间层增加了槽形结构，虽对高温SQUID器封装器件体积影响不大，但与现有没有填充活性吸附物质的封装结构相比，显示出降低水分与芯片接触几率方面有很大优势，延长了HTS？SQUID器件的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN103820387A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410086554.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种锗基石墨烯的成骨促进用途。锗基石墨烯能够明显促进骨髓间充质干细胞早期的碱性磷酸酶表达及后期的骨钙素表达，具有明显的促进骨髓间充质干细胞向成骨方向分化的能力。可以将锗基石墨烯负载到硬组织植入体表面并植入人体或动物体，提高成骨性能和使用效果，促进植入体与骨头的骨整合，促进新骨头的长出。也可以将锗基石墨烯作为成骨促进成分用于治疗骨缺损药物的制备，或者将锗基石墨烯作为成骨促进成分用于治疗骨质疏松药物的制备。此外，锗基石墨烯中的Ge元素还具有抗癌抗衰老的保健功能。
-
公开(公告)号：CN103721574A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310753534.7
申请日：2013-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米过滤膜及其制备方法、荧光石墨烯量子点的制备方法，所述纳米过滤膜至少包括：功能层，包括若干贯穿所述功能层的第一过滤孔；支撑层，与所述功能层相连，包括若干贯穿所述支撑层的第二过滤孔；所述第二过滤孔的孔径大于所述第一过滤孔的孔径，且一所述第二过滤孔与至少一个第一过滤孔互相连通。所述纳米过滤膜能够有效实现纳米级微粒的分离，并且分离后的微粒尺寸统一。本发明还提供一种利用上述纳米过滤膜制备荧光石墨烯量子点的方式，最终得到的荧光石墨烯量子点的发光效率高，量子产率高。
-
公开(公告)号：CN102426342B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110254078.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明公布了一种基于三端变压器的SQUID前端电路与其调整方法。三端变压器由绕制在同一个磁环上的三组线圈构成，三端变压器原边(1)和(2)用于实现SQUID磁通信号传输和方波偏置波形的补偿，副边主要用于信号输出；通过在SQUID并联支路加入合成波形，可实现SQUID偏置为理想的方波偏置电流，并可借助补偿支路对输入前置放大器的偏置载波进行补偿。本发明还提供了前端电路的调整方法，主要思路是采用低频调节-高频使用，包括偏置电流调整与工作点测定、合成波形调整、波形补偿和高频微调步骤。
-
公开(公告)号：CN103389482A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210427979.1
申请日：2012-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及一种超导量子干涉仪的数字化模拟器，其特征在于通过ADC、微处理器和DAC数字电路在常温下实现SQUID的电特性模拟；所述模拟器，采用嵌入式系统架构，通过模数转换的方式将读出电路的反馈信号按照微控制器内部建立的在线更新SQUID特性参数库进行磁通换算，再与内置的测试磁通信号进行代数运算，最后根据基于SQUIDV-Φ特性曲线建立的数学模型进行反馈输出，从而在同一平台实现不同特性的SQUID在磁通锁定环读出电路中的硬件在环仿真。本发明极大地提高了SQUID模拟器的集成度、灵活性、通用性和量程，有效地简化SQUID读出电路的测试。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103293493A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310183181.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/022 , G01R33/10
Abstract: 本发明涉及一种基于空间相关性的空间磁场及全张量梯度测量系统及方法，其特征在于，所述测量系统包括第一磁通门计、第二磁通门计、电动驱动器和数字采集系统，所述的第一磁通门计和第二磁通门计之间相距一定距离，并且三轴方向相互平行；其中，所述的第一磁通门计在测量过程中保持静止不动，作为参考；所述的第二磁通门计固定在电动驱动器的活动端，可作平行往复运动；每一磁通门计各三轴输出。本发明的系统易于搭建、成本低、操作简单，并能够获得精确的空间磁场分布，同时该方法避免了磁通门计近距离摆放，可以最大程度地消除磁通门计之间的相互干扰，在极低场核磁共振及其成像、生物磁研究以及磁法地球物理勘探等应用中有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103280404A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310185311.5
申请日：2013-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法，以耐酸性不同的金属为过渡图形化掩模层，首先利用两步图形化技术，在非金属衬底表面将图形转移到光刻胶上，沉积金属并剥离，得到有图形化金属的衬底，再在留有金属图形的衬底上沉积竖直石墨烯材料，经过酸液腐蚀，去除反应活性较高的金属，以实现薄膜材料的图形化。本发明提供的图形化技术使用于各种非金属衬底尤其是绝缘衬底上二维晶体材料的器件加工工艺。
-
公开(公告)号：CN103176354A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310090689.7
申请日：2013-03-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，所述电子束曝光图形化方法包括以下步骤：1）提供一绝缘衬底；2）在所述绝缘衬底上旋涂电子束光刻胶；3）在所述电子束光刻胶上表面形成金属薄膜；4）进行电子束曝光得到所需光刻图形；5）在得到的光刻图形上沉积金属层，形成金属电极；6）剥离，去除光刻胶及多余金属后得到所需金属图形。本发明采用双层电子束光刻胶进行曝光，显影可以获得有利于后续金属剥离工艺的undercut结构，在双层胶上蒸发不连续的金属薄膜，再进行电子束曝光，能有效地将绝缘衬底表面的电荷导走，形成精确的曝光图形。本发明提供的图形化技术适用于各种绝缘衬底上的微纳器件加工工艺，克服了现有技术中的缺点而具高度产业利用价值。
-
公开(公告)号：CN103143057A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110448776.6
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/生物活性干凝胶及其制备工艺与应用。其组分包括石墨烯和生物活性干凝胶，所述生物活性干凝胶包含如下摩尔百分含量的组分：CaO25~80mol%，SiO20~70mol%，B2O30~70mol%，P2O52~10mol%；所述石墨烯的含量为0.0024-0.024wt%。本发明将石墨烯引入生物活性干凝胶中，使其矿化时间从正常的7-30天缩短到0.5到5小时；所用的溶胶凝胶制备工艺可以彻底避免高温合成过程，从而满足了与药物、细胞或生长因子复合制成具有骨组织生长促进和治疗功能的生物医用修复或填充材料的要求。
-
公开(公告)号：CN103072977A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310036671.9
申请日：2013-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/184
Abstract: 本发明涉及一种在空气气氛中快速热处理制备石墨烯粉体方法，为将石墨烯的前驱体置于非密封有盖坩埚中，然后在空气气氛中进行热处理，即得到石墨烯的粉体；或者将石墨烯前驱体与含氮化合物均匀混合再置于非密封有盖坩埚中热处理即制得氮掺杂的石墨烯粉体；本发明不需要惰性气体或还原性气体保护，因而对于设备的要求降低，将石墨烯的热处理温度降低到250-850℃，极大地扩展了石墨烯的热处理温度区间，并且降低了能耗；实现石墨烯的可控氮掺杂，可控掺杂有利于拓展石墨烯粉体的应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
439
records
(took 0.069 seconds)
