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发明公开
一种经改进的高温SQUID的封装结构及方法无效

公开(公告)号：CN103871976A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410095131.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 亢心洁 , 王会武 , 应利良 , 高波 , 谢晓明

IPC: H01L23/28 , H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种经改进的高温SQUID的封装结构及方法，其特征在于所述改进的封装结构是在底板（2）上放置中间层（4），将顶层盖板（1）放置于中间层（4）的上面；所述的中间层由内壁和外壁两部分构成，内壁和外壁之间形成一个槽形结构，槽形结构与顶层盖板和底板密封封闭在一起。在内壁上制作有均匀的小孔，中间层的内壁和外壁之间的槽形结构通过内壁的小孔的孔洞与器件封装的空间相通。槽形结构的内部填充活性吸附物质。由于中间层增加了槽形结构，虽对高温SQUID器封装器件体积影响不大，但与现有没有填充活性吸附物质的封装结构相比，显示出降低水分与芯片接触几率方面有很大优势，延长了HTS？SQUID器件的使用寿命。

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