-
公开(公告)号：CN103943512A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410189193.X
申请日：2014-05-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/41
Abstract: 本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法，包括步骤：首先，提供衬底，在所述衬底上形成石墨烯；然后，在所述石墨烯表面形成暴露出石墨烯两端的边缘的BN薄膜，；接着，定义源、漏电极区域，形成金属催化层，并在氢气气氛中进行退火，使所述金属催化层团聚形成催化颗粒，所述氢气沿着所述催化颗粒的边缘与石墨烯及BN反应，在石墨烯及BN表面形成锯齿状结构的孔洞；形成源、漏金属电极、栅介质层以及栅极。本发明采用金属催化层刻蚀石墨烯，在氢气氛围下退火的过程中，金属催化层团聚形成小的颗粒，氢气沿着颗粒的边缘刻蚀BN/石墨烯表面，形成具有Zigzag边缘结构的孔洞，并能与随后沉积的源、漏金属电极形成极强的化学键，使金属电极与石墨烯接触更好。
-
公开(公告)号：CN103935998A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410196389.1
申请日：2014-05-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯水溶液的制备方法，其特征在于利用石墨烯量子点作为分散剂，在水溶液中与石墨烯片发生非共价结合，促进石墨烯在水中的分散，从而获得可稳定分散的石墨烯水溶液。本发明的技术方案包括以下步骤：(1)制备石墨烯粉体、石墨烯量子点水的混合物，得到石墨烯悬浊液；(2)机械分散上述混合物，获得稳定的石墨烯水溶液。与现有石墨烯水溶液的制备技术相比，本发明充分利用石墨烯量子点在水中良好的分散性，辅助分散在水中难以分散的石墨烯粉体，获得稳定分散的石墨烯水溶液，工艺简单。克服了以往在水中分散石墨粉体中必须引入表面活性剂和聚合物等难以去除的难题，非常适合石墨烯水溶液的批量生产。
-
公开(公告)号：CN103708446A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310740350.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种氧化石墨烯量子点粉体的制备方法，至少包括：提供氧化石墨烯量子点水溶液；在所述氧化石墨烯量子点水溶液中加入铵盐，以形成所述氧化石墨烯量子点和铵盐的混合溶液；向所述氧化石墨烯量子点和铵盐的混合溶液中加入非质子极性溶剂，以得到所述氧化石墨烯量子点和铵盐的混合沉淀；热处理所述氧化石墨烯量子点和铵盐的混合沉淀，以去除所述铵盐，并得到氧化石墨烯量子点粉体。该氧化石墨烯量子点粉体的制备方法适用性广，可从各种方法制备得到的氧化石墨烯水溶液快速获得蓬松的氧化石墨烯量子点粉体，且操作工艺简单、耗时短，适合氧化石墨烯量子点粉体的大规模生产。
-
公开(公告)号：CN102426343B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110254091.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种基于SQUID偏置电压反转的读出电路及低频噪声的抑制方法，其特征在于通过偏置反转电路，实现偏置反转，从而抑制低频噪声的产生，具体是所述的读出电路是由SBC构型SQUID低温部分和偏置反转读出电路两部分构成。抑制方法主要过程包括：(1)放大器输入偏置电压调整；(2)交流方法偏置电压加在；(3)磁通相位调整与直流磁通补偿；(4)载波消除；(5)积分反馈输出。本发明所涉及的电路结构相对简单，便于多通道集成，可广泛应用于生物磁、物探等低频测量。
-
公开(公告)号：CN103646855A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310713413.X
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L21/7813 , H01L21/2007 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供一种石墨烯器件的制作方法，所述石墨烯器件的制作方法至少包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成PVA层；在所述PVA层上形成PMMA层；在所述PMMA层上形成石墨烯器件；将所述第一衬底、所述PVA层、所述PMMA层和所述石墨烯器件放入去离子水中，以溶解所述PVA层，使得所述PMMA层和所述石墨烯器件与所述第一衬底脱离；将所述PMMA层和所述石墨烯器件转移第二衬底上。本发明采用PMMA做支撑层，同时利用PVA作为牺牲层，然后，再通过去除PVA，使得形成在PMMA层上的石墨烯器件连同所述PMMA层一同脱离第一衬底，再与第二衬底（本实施例中为聚酰亚胺衬底）黏结，从而实现将石墨烯器件形成在第二衬底上。这样可以扩大石墨烯器件的应用范围。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151245A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310103325.8
申请日：2013-03-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种薄膜图形化方法，该方法至少包括以下步骤：提供一非金属衬底，并在该非金属衬底上形成光刻胶；进行光学曝光，将预设图形转移至该光刻胶上；在步骤2）之后获得的结构上沉积金属层；然后去除光刻胶并剥离，获得所需金属图形结构；在上述金属图形结构表面沉积薄膜材料，形成薄膜；最后去除剩余金属层得到图形化薄膜。本发明利用通常的图形化技术，实现金属的图形化，再以金属为掩膜板，在衬底上直接沉积高温生长的薄膜材料，该发明即沿用了传统的图形化技术，又克服了光刻胶在高温下无法做掩膜板使用的弊端；与离子束刻蚀方法相比，本发明工艺简单，易于操作，且花费较低。
-
公开(公告)号：CN102839388A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210326035.5
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及新型化学电源和新能源材料领域，具体公开了一种石墨烯/二硫化钼复合电极材料及其制备方法，该制备方法的步骤包括：1）以石墨为原料，通过氧化插层法制备氧化石墨；2）将制备的氧化石墨用去离子水溶解，超声剥离获得氧化石墨烯溶液，然后加入DMF、钼酸盐，最后加入还原剂，分散均匀，获得混合溶液；3）将混合溶液转移到反应釜中，在大于等于180℃的温度条件下保温5～10h，产物离心、洗涤除去DMF，干燥，获得石墨烯/二硫化钼复合电极材料产物。本发明的石墨烯/二硫化钼复合电极材料制备方法简单、反应体系均匀，生产成本低，极适合工业大规模生产的要求；制备产物石墨烯/二硫化钼复合电极材料具有较佳的电化学性能。
-
公开(公告)号：CN102694117A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210167983.9
申请日：2012-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法，该振荡器包括一共面波导，以及位于所述共面波导中心导体带和接地导体之间的超导纳米线，该振荡器的实现原理是基于超薄超导材料的纳米线结构的自热弛豫效应特性。本发明制备的振荡器工艺结构简单，和超导约瑟夫逊振荡器相比，不需要使用多层超导薄膜，不需要制备结构复杂且制备难度较高的超导约瑟夫逊结。同时，其控制简单，不需要外加磁场，仅需控制器件的偏置电压即可实现高频振荡。该振荡器原理适用于所有类型超导材料，包括各种高温超导材料和低温超导材料。
-
公开(公告)号：CN110438567A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910658855.6
申请日：2019-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体硒氧化铋单晶薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：S1：采用固相法烧结Bi2O2Se多晶靶材；S2：提供一立方或四方晶形衬底；S3：用有机溶剂对所述衬底进行清洗处理；S4：在脉冲激光沉积系统中对清洗后的衬底进行退火处理；S5：在脉冲激光沉积系统中烧蚀S1步骤中所述靶材，在上述衬底表面外延生长半导体Bi2O2Se单晶薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术，通过高真空设备、准分子激光器硬件、多晶靶材的合成、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的Bi2O2Se单晶薄膜材料。本发明的制备方法对加快薄膜生长机理研究、提高薄膜的应用水平有极大价值。
-
公开(公告)号：CN106058036B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610404295.8
申请日：2016-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS2等半导体材料作为器件有效层，利用超导薄膜作为磁场屏蔽，可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性，并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
94
records
(took 0.046 seconds)
