公开(公告)号：CN106058036B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201610404295.8

申请日：2016-06-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  李蕾 ,  王慧山 ,  杨鹏 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01L39/00 ,  H01L39/16 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS2等半导体材料作为器件有效层，利用超导薄膜作为磁场屏蔽，可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性，并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。

公开(公告)号：CN106058036A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610404295.8

申请日：2016-06-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  李蕾 ,  王慧山 ,  杨鹏 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01L39/00 ,  H01L39/16 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/00 ,  H01L39/16 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS2等半导体材料作为器件有效层，利用超导薄膜作为磁场屏蔽，可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性，并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。