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公开(公告)号：CN115542013A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211096674.7
申请日：2022-09-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本申请提供一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在片开路校准件的测量值；基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片开路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感；根据在片负载校准件的当前负载电感对被测件进行校准。本申请能够提高在片S参数测量系统的测量可靠性。
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公开(公告)号：CN111983312B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202010717525.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波、毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数的确定方法及终端设备，该方法包括：获取阻抗调配器内部探针位置以及每个探针位置对应的第一源阻抗值；根据确定的最佳源反射系数估计值、幅度参数列表、相位参数列表以及最大幅度值，计算第二源阻抗值；根据每个第二源阻抗值，确定第一源阻抗值对应的源阻抗点中与每个第二源阻抗值对应的源阻抗点距离最近的源阻抗点为目标源阻抗点；确定每个目标源阻抗点对应的目标源阻抗值对应的内部探针位置；根据每个目标源阻抗值对应的内部探针位置，计算噪声参数。本发明减少了用于计算噪声参数的待测量参数的数量，大大提高测量效率，降低了噪声参数的计算复杂度，且计算的噪声参数的准确度高。
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公开(公告)号：CN115219816A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210743221.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于外接圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的外接圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN115219815A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210743203.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种基于内切圆心的波导端口S参数校准方法及装置。该方法包括：获取负载校准件第一反射系数。获取负载校准件在第一相位偏置下的第二反射系数。获取负载校准件在第二相位偏置下的第三反射系数。计算由第一反射系数、第二反射系数和第三反射系数在史密斯圆图中构成的三角形的内切圆圆心坐标，作为负载校准件修正后的反射系数。根据修正后的反射系数校准矢量网络分析仪波导端口的S参数。本发明能够通过负载校准件在不同相位偏置下的反射系数获得修正值，以修正值作为负载校准件实际反射系数为0时测得的反射系数，修正波导端口校准过程中由于负载校准件的反射系数不是理想的0带来的校准误差，得到更准确的波导端口S参数测量结果。
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公开(公告)号：CN115183863A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210635538.4
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01H17/00
Abstract: 本发明提供一种低温波导噪声源。该噪声源包括：矩形波导、匹配负载和控温装置；矩形波导包括依次连接的输入段、过渡段和输出段；匹配负载设在输入段的内部；输入段用于置于液氮内冷却匹配负载；过渡段的导热性低于输入段和输出段的导热性；控温装置设在输出段；控温装置用于控制输出段的输出端温度处于设定的温度。本发明能够通过控温装置控制输出端温度恒定；通过过渡段减少输入端和输出端的热传导，减少输入端对输出端温度的影响，确保稳定输出低反射系数热噪声。同时过渡段减少输出端的热量损耗，降低控温装置的功耗。另外，过渡段的隔热作用，可以减少输入端的热量增加，进而减少冷却输入端的液氮挥发，节省了液氮的用量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114993460A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210633571.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01H17/00
Abstract: 本发明提供一种抗结霜低温波导噪声源。该噪声源包括矩形波导，矩形波导的输入端设置有刀口法兰密封模块，矩形波导内部气压大于设定的正气压时，刀口法兰密封模块的刀口处产生漏气，矩形波导内部气压小于等于设定的正气压时，刀口法兰密封模块的刀口处于密封状态。矩形波导的输出端依次设有第一波导法兰和第二波导法兰，波导法兰之间设有用于密封波导法兰中心通孔的聚四氟乙烯薄膜。矩形波导的侧壁设置有气孔。气孔用于对矩形波导吹填氦气或抽真空。本发明能够通过在输入端设置刀口法兰密封模块，吹填氦气大于设定的正气压时在刀口处排出空气，抽真空时大气压强压紧刀口、构成真空腔。实现了既可以采用吹填氦气方式又可以采用抽真空方式抗结霜。
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公开(公告)号：CN114114120A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111291413.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种校准件制备的方法及校准件。该方法包括：确定传输线横截面尺寸；当所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线，并基于所述目标传输线确定对应的校准件尺寸；根据所述校准件尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值。本发明能够提高设计成功率和效率，有效克服工艺误差带来的偏差。
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公开(公告)号：CN110174634B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910439443.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种负载牵引测量系统及测量方法，测量系统包括矢量网络分析仪、源端阻抗调配器、负载端阻抗调配器、源端双定向耦合器和负载端双定向耦合器；源端阻抗调配器的第一端用于连接源端信号源，源端阻抗调配器的第二端连接源端双定向耦合器的第一端，源端双定向耦合器的第二端连接第一探针；负载端阻抗调配器的第一端用于连接负载端信号源，负载端阻抗调配器的第二端连接负载端双定向耦合器的第一端，负载端双定向耦合器的第二端连接第二探针；源端双定向耦合器的第三端和第四端、负载端双定向耦合器的第三端和第四端分别连接矢量网络分析仪的四个内部接收机的端口。本发明不受阻抗调配器机械重复性的影响，提高测试准确度。
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公开(公告)号：CN111983539A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010707691.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了一种在片S参数测量系统校准方法，该方法包括：采用未校准的在片S参数测量系统测量LRRM校准标准的直通标准、匹配负载、两个反射标准，得到直通原始转移参数矩阵、匹配负载的阻抗测量值、两个反射标准的阻抗测量值；根据直通原始转移参数矩阵、匹配负载的阻抗测量值、两个反射标准的阻抗测量值、以及预设的参量转换关系式确定八项误差模型和误差网络的比例关系；基于比例关系对直通原始转移参数矩阵进行修正，得到修正后的转移参数矩阵，并根据开关项修正方法以及修正后的转移参数矩阵对在片S参数测量系统进行校准。本发明提供的在片S参数测量系统校准方法能够实现在片S参数的准确测量。
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公开(公告)号：CN111983312A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010717525.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波、毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数的确定方法及终端设备，该方法包括：获取阻抗调配器内部探针位置以及每个探针位置对应的第一源阻抗值；根据确定的最佳源反射系数估计值、幅度参数列表、相位参数列表以及最大幅度值，计算第二源阻抗值；根据每个第二源阻抗值，确定第一源阻抗值对应的源阻抗点中与每个第二源阻抗值对应的源阻抗点距离最近的源阻抗点为目标源阻抗点；确定每个目标源阻抗点对应的目标源阻抗值对应的内部探针位置；根据每个目标源阻抗值对应的内部探针位置，计算噪声参数。本发明减少了用于计算噪声参数的待测量参数的数量，大大提高测量效率，降低了噪声参数的计算复杂度，且计算的噪声参数的准确度高。
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