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公开(公告)号：CN113394082A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110653982.4
申请日：2017-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在被处理体上的图案形成中能够应对伴随高度集成化的微细化和多样的形状图案的形成的等离子体处理装置和被处理体的处理方法。在实施方式的被处理体的处理方法中，被处理体包括第一凸部、第二凸部、被蚀刻层和槽部，槽部设置在该被处理体的主面并设置在该被蚀刻层，被夹在该第一凸部和该第二凸部之间，槽部的内侧的表面包含在该被处理体的该主面，该方法反复执行N次第一流程，其中，N为2以上的整数，第一流程包括：(a)在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内在该被处理体的该主面保形地形成保护膜的步骤；和(b)在上述步骤(a)的执行后，由在处理容器内产生的气体的等离子体对被处理体中的槽部的底部蚀刻的步骤。
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公开(公告)号：CN112786441A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011216388.0
申请日：2020-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模含有碳。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含卤素元素及磷。在工序(b)中，在掩模的表面上形成碳与磷的键合。
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公开(公告)号：CN111326414A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911249113.4
申请日：2019-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应层的形成工序；和向基板供给能量而除去反应层的除去工序。
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公开(公告)号：CN107026081B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201610873459.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种用于在被处理体上的图案形成中实现高精度的最小线宽的控制和稳定的最小线宽的再现性等的对被处理体进行处理的方法。该方法包括：形成工序，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括：第1工序，将第1气体向等离子体处理装置的处理容器内供给；第2工序，对处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，对处理容器内的空间进行吹扫；准备工序，其在将被处理体收容于处理容器内之前进行；处理工序，对收容到处理容器内的被处理体进行蚀刻处理，准备工序在处理工序之前进行，形成工序在准备工序中执行，且在处理工序中执行，在第1工序中不生成第1气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN110004431A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811580087.9
申请日：2018-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 为了在被处理基片上形成图案时实现随高度集成化带来的精细化，提供一种用于抑制颗粒产生的技术。一实施方式的方法是一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，被处理基片被配置在载置台上，载置台被设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间配置有与载置台相对的能够供给高频电力的上部电极。该方法反复执行下述流程，其中该流程包括：在被处理基片的图案上形成沉积膜的第一步骤；和仅对上部电极供给电力来在空间中产生等离子体，从而对空间进行清扫的第二步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109494153A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811060888.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供在调整掩模的开口宽度的基础上，对于等离子体蚀刻提供更牢固的掩模的方法。在一个实施方式的方法中，在被加工物上形成钨膜。被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模。钨膜包括沿着划分出开口的掩模的侧壁面延伸的第1区域和在基底膜上延伸的第2区域。接着，以保留第1区域的方式执行钨膜的等离子体蚀刻。在钨膜的形成中，对被加工物提供含有钨的前体气体。并且，为了对被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体。
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公开(公告)号：CN106098523B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610268935.7
申请日：2016-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/402 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种处理被处理体的方法，该方法包括：第一步骤，向收纳有被处理体的处理容器内供给包含含硅气体的第一气体；在执行第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；在执行第二步骤之后，在处理容器内生成含有氧气的第二气体的等离子体的第三步骤；和在执行第三步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤。该方法反复执行包括所述第一～第四步骤的流程，由此形成硅氧化膜。另外，在该方法中，在第二步骤、第三步骤和第四步骤的至少任一者中，对电容耦合型的等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压。
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公开(公告)号：CN119698688A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380059416.8
申请日：2023-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种对具有不同的开口尺寸的区域进行蚀刻的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，该蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，在腔室内的基板支承部上准备具有含硅膜和掩模的基板，该含硅膜具有第一凹部以及开口尺寸比第一凹部的开口尺寸小的第二凹部，该掩模设置在含硅膜上且具有使第一凹部和第二凹部露出的开口；工序(b)，在腔室内，使用从第一处理气体生成的等离子体至少在第一凹部形成沉积膜，第一处理气体包含从由C3F6气体、C4F6气体、C4F8气体、异丙醇(IPA)气体、C3H2F4气体以及C4H2F6气体构成的组中选择的至少一种气体；以及工序(c)，在腔室内，使用从第二处理气体生成的等离子体在第一凹部和第二凹部中对含硅膜进行蚀刻，其中，在工序(b)中，基板支承部的温度被设定为0℃以下，并且腔室内的压力比工序(c)中的腔室内的压力高。
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公开(公告)号：CN116805579B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202310255900.X
申请日：2023-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：工序(b‑1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；以及工序(b‑2)，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，第二处理气体不包含含钨气体、或者以比第一处理气体中的含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。
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公开(公告)号：CN111261514B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910857745.2
申请日：2019-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。
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