-
公开(公告)号：CN101005110A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710036455.9
申请日：2007-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法。本发明采用扩散键合形式的金属键合工艺使在蓝宝石上生长制作的氮化镓发光二极管键合到低阻硅片上并实现欧姆接触。本发明通过采用扩散键合形式的金属键合工艺实现硅基氮化镓发光二极管的制作，具有键合工艺稳定、器件良率高、面积小且充分利用发光层的材料、衬底导电且导热性好的优点。
-
公开(公告)号：CN117608358A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311491009.2
申请日：2023-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F1/02
Abstract: 本发明涉及一种可重构片上任意波形生成器及其制备方法，其中，可重构片上任意波形生成器包括：n个延时单元和波形合成器；所述n个延时单元依次连接；所述延时单元包括光开关、延时结构和可调光衰减器；所述光开关与所述延时结构依次连接；所述延时结构包括两条不同长度的延时路径；所述光开关用于调节所述延时路径的切换实现延时量的调节；所述可调光衰减器设置在每条延时路径上，用于抑制串扰弥补消光比和调节每个延时量对应的光强度；所述波形合成器用于对不同延时量对应的波形相加得到多个互不重叠的波形，并取多个互不重叠的波形的包络面生成指定形状的波形。本发明具有高带宽、低噪声、低耗能、低成本的特点。
-
公开(公告)号：CN117589300A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311490775.7
申请日：2023-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可见光片上光谱仪及其制备方法，其中，片上光谱仪包括：输入耦合器，用于导入可见光；分光器组，输入端与所述输入耦合器的输出端耦合，共有2n个输出端，用于将所述可见光分为2n束；随机波导阵列，由2n个随机波导构成，2n个随机波导的输入端分别与所述分光器的2n个输出端耦合，2n个随机波导的输出端均集成有一个光电探测器；控制器，用于控制所述随机波导的通断形成不同的随机波导采样矩阵，并通过算法重构所述可见光的光谱。
-
公开(公告)号：CN116430395A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310246952.0
申请日：2023-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相干接收硅光芯片及激光雷达系统，硅光芯片包括光端口、分束模块、混频模块、探测模块和电端口；所述光端口包括光输入端口、光输出端口、第一反射光输入端口和第二反射光输入端口；所述分束模块用于对从所述光输入端口进入的信号光进行分束，得到测量光和本振光；所述测量光经过所述光输出端口输出；混频模块，用于将经过第一反射光输入端口和第二反射光输入端口的两路TE偏振光分别与本振光进行光学混合，得到两路混频光束；探测模块，用于接收两路混频光束得到拍频信号，并由所述电端口输出至外部；所述光端口与光纤阵列相互耦合并固定。本发明实现了3μmSOI工艺应用于激光雷达系统。
-
公开(公告)号：CN115799983A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211671448.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于光放大器和硅光微腔的激光器，包括：衬底；反射型半导体光学放大器，置于所述衬底上，并在光输入侧镀有抗反射膜，在所述光输入侧的对侧镀有高反射膜；基于亚微米SOI平台的光学微腔，置于所述衬底上，并与所述反射型半导体光学放大器进行倒装焊耦合。本发明能够提高器件集成度，降低耦合损耗与封装成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113189706B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110371170.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成可调硅光延时单元及延时线，其中，延时单元包括依次相连的光开关、延时结构和可调光衰减器；光开关包括多模干涉输入器和多模干涉输出器，多模干涉输入器与多模干涉输出器通过两段厚膜深刻蚀的硅光波导分别连接，两段厚膜深刻蚀的硅光波导中有一段的上方设置有氮化物电极；延时结构包括两条不同长度的延时路径，延时路径为厚膜深刻蚀的硅光波导；可调光衰减器集成在每条延时路径后通过自由载流子吸收机制实现非开关切换路径的光衰减；多模干涉输入器、多模干涉输出器和可调光衰减器均采用厚膜深刻蚀。本发明能够满足低损耗、大范围可调延时、高精度、高集成度等需求。
-
公开(公告)号：CN114927939A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210324698.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法，包括硅衬底，二氧化硅绝缘层以及III‑V纳米盘/柱结构。本发明具有良好的光致发光特性，器件结构简单，结构纳米级别且易于制作，能实现大规模集成，在解决硅基片上光源方面有着巨大的潜力。
-
公开(公告)号：CN112383358B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011254630.3
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04B10/40 , H04B10/572 , G01K13/00
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种集成光收发器，该集成光收发器包括集成连接的滤波件、交织滤波器和温度传感器；该滤波件用于实现不同波长的光的合波或者分波；该温度传感器用于监测该集成光收发器的温度；该滤波件与该交织滤波器波导连接，该交织滤波器用于接收该温度传感器监测的温度，当该温度小于预设温度时，调整波长偏离的光的波长于原波长的位置，从而本申请提供的集成光收发器具有成本高、尺寸小和性能好的特点。
-
公开(公告)号：CN113189706A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110371170.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成可调硅光延时单元及延时线，其中，延时单元包括依次相连的光开关、延时结构和可调光衰减器；光开关包括多模干涉输入器和多模干涉输出器，多模干涉输入器与多模干涉输出器通过两段厚膜深刻蚀的硅光波导分别连接，两段厚膜深刻蚀的硅光波导中有一段的上方设置有氮化物电极；延时结构包括两条不同长度的延时路径，延时路径为厚膜深刻蚀的硅光波导；可调光衰减器集成在每条延时路径后通过自由载流子吸收机制实现非开关切换路径的光衰减；多模干涉输入器、多模干涉输出器和可调光衰减器均采用厚膜深刻蚀。本发明能够满足低损耗、大范围可调延时、高精度、高集成度等需求。
-
公开(公告)号：CN108153001B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201611103311.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
IPC: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
155
records
(took 0.055 seconds)
