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公开(公告)号：CN108649955A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810450368.6
申请日：2018-05-11
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H03M1/38 , A61B5/0402
Abstract: 本发明实施例提供了一种逐次逼近型模数转换器、心电信号采集设备及方法，所述逐次逼近型模数转换器包括多路复用器、N位加法器、采样时钟和逻辑控制单元。该方法能够适用于大量心电信号数据采集传输的应用下，与传统的心电信号采集方法相比，该方法的数据压缩比是传统信号采集方法的7.5倍，且能够节省90%的电量。
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公开(公告)号：CN107546182A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610460520.X
申请日：2016-06-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明提出一种石墨烯缓冲层结构，以提高功率器件的散热效率，增强导电性及应力释放。该结构包括：包围管芯的石墨烯缓冲层结构及其与管芯接触的触点。所述石墨烯缓冲层结构尺寸根据管芯尺寸不同而变化，略大于管芯尺寸，将整个管芯包裹在内。所述触点根据不同类型的管芯，其数目和位置也略有不同。
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公开(公告)号：CN107545081A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610467274.0
申请日：2016-06-24
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出一种在射频集成电路中广泛使用的螺旋电感的高精度等效集总参数模型及参数提取方法。其主要步骤包括：（1）片上螺旋电感的数学模型建立。建立精确的RF螺旋电感RLC集总参数模型，包含相关RF寄生效应如涡流效应、趋肤效应、衬底损耗等。（2）根据工艺库建立其物理模型，并对版图进行S参数的仿真。（3）采用模拟的S参数提取电感RLC集总参数模型里的元件参数。本发明的有益效果是，可将高频情况下的片上电感的各种寄生效应考虑到模型中，并通过数值仿真的S参数来提取元件参数从而建立高精度的电感集总参数模型，此模型可方便地进行放入SPICE等EDA软件中用来做电路的时序和频域仿真。
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公开(公告)号：CN107539039A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610459495.3
申请日：2016-06-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: B60C23/04
Abstract: 本发明涉及胎压监测系统领域，提供了一种胎压监测系统中传感发射模块结构及安装方法，能安全可靠地固定胎压传感发射模块和为传感发射模块供电的电池，实时监测汽车轮胎的气压和温度等数据，并且能够方便快捷地更换电池。所述结构包括汽车胎压传感发射模块、两块外接电池和保护外套。传感发射模块的两个侧面各引出电极，用于连接外部电池。保护外套用于放置传感发射模块。保护外套侧面分别设计了用于放置电池的腔体。保护外套的底部涂胶，即可粘附到汽车轮胎的内壁上。电池电量耗尽，只需将保护外套铲下，更换新的电池，重新粘附到轮胎内壁，操作简便，无需更换传感发射模块，节约了成本。所述传感发射模块安装结构可用于各种型号的汽车轮胎。
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公开(公告)号：CN105097642A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410216627.0
申请日：2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105095551A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410216649.7
申请日：2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出了一种面向SOI工艺的供电电源电压的系统级优化方法，对基于SOI工艺的电路芯片在早期设计阶段进行考虑热效应的供电电源电压的优化设计，其主要步骤包括：芯片热模型的建立；芯片总功耗模型的建立；功耗关于和温度作为自变量的函数表达式；经由热模型建立与的自相关方程；建立温度意识的时延模型；定义有关时延与功耗的优化函数FOM；通过计算FOM的最小值从而求得的最优值。本发明的有益成果是，考虑了温度对SOI工艺下的芯片的功耗和电路性能的影响，在此基础上，对电源供电电压进行系统级的优化以最大化电路性能及最小化电路功耗。该优化方法的价值是尽可能早地以定量方式看到优化结果，以助于设计者的初期架构。
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公开(公告)号：CN105093003A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410216906.7
申请日：2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提出了一种高压环境对标准单元库影响的测试方法，考虑到SOI低压与高压器件共存的工作环境，该方法通过测量被测单元的延迟和信号的波动，实现对高压环境下，单元工作情况的检测。通过设置高压器件与低压器件的多种距离，以及通过缓冲器设置高压器件的开启时刻，测试高压环境对测试单元的不同种类的影响。在测试芯片中添加选择器来减少PAD的个数，达到了减少芯片面积的目的。
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公开(公告)号：CN103258811A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110394946.7
申请日：2012-02-16
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/544 , G01R27/26 , G06F17/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种基于raphael仿真和互连线测试结构的无SEM数据的ITF电容参数的提取结构和方法，以精确有效的提取ITF电容参数。该方法包含了五种电容的测量和仿真，在raphael仿真时逐渐改变部分ITF参数，并将仿真结果和实测值进行对比，取仿真值和实测值最小误差所对应的ITF参数作为有效值；该方法仅仅结合实测电容值和raphael仿真结果、并且不使用SEM数据。
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公开(公告)号：CN103137693A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110395526.0
申请日：2011-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提供了一种纳米工艺下提高有源器件性能的设计方法，该方法设计条形衬底（B）并将之位于NMOS器件漏端（D）一侧，与D端相隔的距离为所采用工艺的设计规则最小值。该方法设计条形衬底（B）并将之位于PMOS器件源端（S）一侧，与S端相隔的距离为所采用工艺的设计规则最小值。这种有源器件结构可以提高NMOS器件性能，也不会削弱PMOS器件性能,同时不会增加额外的面积。由于实验表明NMOS和PMOS器件主要受D端方向STI应力的影响，因此在纳米级工艺节点中，位于NMOS器件D端方向的条形衬底结构，对NMOS器件能在该方向减小STI应力，提高NMOS器件驱动能力。而位于PMOS器件S端方向的条形衬底结构，在D端为开放状态而S端STI应力的减小并不明显影响PMOS性能，因此不会削弱PMOS器件驱动能力。随着工艺节点的降低，STI应力对器件性能的影响越来越显著，此结构器件在更小的工艺节点上对提高器件性能有着很大的提高。
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公开(公告)号：CN103136400A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110395447.X
申请日：2011-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出了一种生成精确的互连线电阻（R）电容（C）工艺角解析模型的方法。该方法改变传统互连线工艺角模型方法PRCA方法中设置的偏移量（skew）值，通过解析方程和统计模拟生成新的skew表达式，建立与实际结果相近的更为精确的互连线工艺角模型。该方法将给定金属层的互连几何参数（W、T、H）设为独立的正太分布变量，并采用统一的偏移量（skew值）作为全局参数。通过利用一阶Taylor展开获得互连线电学参数R、C的线性逼近方程，结合正太分布的数学特性，分别计算出电阻R、电容C以及两者的乘积RC在最差/最好工艺角下几何参数波动的全局skew值。再采用MonteCarlo方法对一组不同W的互连线电学参数进行仿真确定实际的R、C以及RC乘积的最差/最好工艺角。最后引用regression技术以MonteCarlo方法的模拟结果为基准对此前计算的skew值进行微调，则可获得精确的工艺角参数解析模型。与现有技术相比，本发明的有益效果是，生成了合理的工艺角模型，避免过于悲观的预测结果而浪费了设计空间。
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