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公开(公告)号:CN107462759A
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201610392043.8
申请日:2016-06-06
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: G01R19/0061 , G01R19/04
Abstract: 本发明提出用于CDM(Charged Device Model)模型ESD电流波形检测的测试板结构,以有效捕捉与国际上通用测试规范中典型波形一致的放电电流波形。该结构包括:用于直接接触放电器件的pogo(弹簧单高跷)探针,用于滤除高频干扰的滤波器,用于减小电流峰值方便测试的衰减器,用于转换电流信号的测试电阻以及用于连接所有部分的接地板。所述滤波器和衰减器位于所述接地板上,接地板接金属插座,用以连接示波器。所述接地板含有固定作用的结构,用于与测试系统的其他部分连接。
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公开(公告)号:CN107436382A
公开(公告)日:2017-12-05
申请号:CN201610361369.4
申请日:2016-05-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提出ESD静电防护中的CDM模型的电流检测系统及测试方法,以完成对CDM模型的ESD电流波形的抓取,便于为以CDM模型为基础的ESD静电防护提供数据支持。该系统结构包括:用于支持的测试机台,机台底座上承载测试器件DUT(Device Under Test),机台支架,用于固定系统的检测模块。检测模块包括pogo(弹簧单高跷)探针、测试板等结构。测试机台使用铝合金材质制成,具有螺旋调节升降的功能,同时带有固定装置,可以固定设备的测试板,测试板为双层FR-4板。Pogo探针为手机天线专用探针,可以满足18GHz及以下条件下的信号测试。同轴电缆特性阻抗为50Ω.所使用的校准模块(即校准电容)为FR-4材料,电容值为4pF。
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公开(公告)号:CN107546182A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610460520.X
申请日:2016-06-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明提出一种石墨烯缓冲层结构,以提高功率器件的散热效率,增强导电性及应力释放。该结构包括:包围管芯的石墨烯缓冲层结构及其与管芯接触的触点。所述石墨烯缓冲层结构尺寸根据管芯尺寸不同而变化,略大于管芯尺寸,将整个管芯包裹在内。所述触点根据不同类型的管芯,其数目和位置也略有不同。
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公开(公告)号:CN107544011A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610464305.7
申请日:2016-06-24
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提出用于预测芯片寿命的芯片内建自检电路,为维护人员提供维护依据,提前做好防范,减小不必要的损失。该结构建立于芯片上,包括:阈值设置模块,参数检测模块,比较模块,信息发送模块等。所述阈值设置模块,用以选择可以用来检测芯片状态的模块以及失效值;所述参数检测模块,用以实时获取芯片工作状态参数;所述比较模块,用以将即时的芯片工作参数与阈值数值进行比较;所述信息发送模块,可以将比较结果发送到相关人员设备处,由工作人员决定具体的维护工作内容。
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公开(公告)号:CN105097732A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410216640.6
申请日:2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/762
Abstract: 一种用于减小自加热效应的SOI高压结构,本发明公开了该结构的原理示意图及其制造方法,以减弱SOI高压结构中埋层存在的自加热效应。其中该结构,包括通常的传统的SOI高压结构以及由新材料以不同于传统埋层结构的新型埋层。该材料在不影响或者少量影响器件其他原有属性的情况下,明显降低了自加热效应。该专利包括这种新型结构的材料、结构以及制备方法。
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