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公开(公告)号：CN112732172A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011008139.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了一种存储器装置和计算机系统。所述存储器装置包括：存储器区域，存储器区域包括第一存储器区域和第二存储器区域，第一存储器区域包括存储N位数据的第一存储器单元，第二存储器区域包括存储M位数据的第二存储器单元，其中，“M”和“N”是自然数，并且M大于N；以及控制器，被配置为使用第一读取操作读取存储在第一存储器区域中的数据，使用与第一读取操作不同的第二读取操作读取存储在第二存储器区域中的数据，并且基于数据的使用频率(FOU)选择性地将数据存储在第一存储器区域和第二存储器区域中的一个中。
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公开(公告)号：CN112635469A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010820285.9
申请日：2020-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11514 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 一种集成电路装置，包括：外围电路结构；存储器堆叠件，其包括位于外围电路结构上的在竖直方向上与外围电路结构重叠的多条栅极线；上衬底，其位于外围电路结构与存储器堆叠件之间，上衬底包括位于存储器堆叠件的存储器单元区下方的通孔；字线切割区，其跨过存储器堆叠件和通孔在第一横向上纵长地延伸；以及共源极线，其位于字线切割区中，共源极线包括第一部分和第二部分，第一部分在上衬底上在第一横向上纵长地延伸，第二部分一体地连接至第一部分，第二部分从上衬底的上部通过通孔穿透上衬底并且延伸至外围电路结构中。
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公开(公告)号：CN112466876A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010406631.9
申请日：2020-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11521 , H01L27/11548 , H01L27/1157 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 公开了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括穿透堆叠结构并沿与第一基底的顶表面垂直的方向延伸的沟道区、位于堆叠结构上的第一层间介电层以及位于第一层间介电层上的外围电路结构。外围电路结构包括位于第二基底的第一表面上的外围电路元件。外围电路元件电连接到沟道区和栅电极中的至少一个栅电极。第一基底具有与其顶表面平行的第一晶面。第二基底具有与其第一表面平行的第二晶面。第一晶面的原子的布置方向与第二晶面的原子的布置方向交叉。
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公开(公告)号：CN111799272A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201911254549.2
申请日：2019-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：衬底；存储单元串，包括垂直沟道结构和存储单元；电压发生器，包括第一晶体管，并且被配置为向所述存储单元提供各种电压；和垂直电容器结构。所述垂直电容器结构包括：第一有源图案和第二有源图案，布置为在第一水平方向上彼此分开；第一栅极图案，位于所述第一有源图案和所述第二有源图案之间的沟道区上方；第一栅极绝缘膜，在垂直方向上位于所述第一栅极图案和所述衬底之间；和电容器电极，均在所述垂直方向上延伸。所述第一晶体管包括第二栅极图案和在所述垂直方向上位于所述第二栅极图案和所述衬底之间的第二栅极绝缘膜。所述第一栅极绝缘膜在所述垂直方向上的厚度大于所述第二栅极绝缘膜在所述垂直方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN107578793A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710535973.9
申请日：2017-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/3445
Abstract: 提供了非易失性存储器系统和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器系统包括非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的存储器控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块。每个存储器块包括多个存储器单元。每个存储器单元具有擦除状态和多个不同的编程状态中的任意一种状态。非易失性存储器系统的操作方法包括从外部装置接收物理擦除命令。该操作方法也包括：响应于接收的物理擦除命令，针对至少一个存储器块执行快速擦除操作，使得所述至少一个存储器块的第一存储器单元具有与擦除状态不同的快速擦除状态。
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公开(公告)号：CN106328199A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610518434.X
申请日：2016-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储设备提供如下。存储单元区包括多个块，每个块包括多个NAND串。控制逻辑基于相对于存储单元区的第一边缘的第一距离和相对于存储单元区的第二边缘的第二距离中较小的距离将所述多个块划分成多个块区，并且使用用于操作的操作参数的多个偏置集来控制对存储单元区执行的操作。每个偏置集与块区之一相关联。
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公开(公告)号：CN103928052A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410018340.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储系统及其操作方法。一种操作包括非易失性存储装置和控制所述非易失性存储装置的存储控制器的方法包括：以包括多个扇区的页为单位从存储单元阵列读取数据；以页的扇区为单位对读取数据执行纠错解码；选择包括至少一个不可纠正的错误的至少一个目标扇区，并且选择至少一个通过扇区，其中，通过扇区的读取数据的所有错误通过纠错解码是可纠正的；在对连接到所述至少一个目标扇区的目标位线预充电的同时，禁止对连接到所述至少一个通过扇区的位线预充电；以及对所述至少一个目标扇区中的数据执行读取重试操作。
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公开(公告)号：CN101174462B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200710159635.6
申请日：2007-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3404
Abstract: 一种用于编程包括至少一个标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法。每一个存储单元存储最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)的数据。使用LSB数据编程单元，使得编程过的存储单元具有大于VR1的阈值电压。修改阈值电压使得对于第三或第四值具有大于VR2的阈值电压。使用MSB数据编程存储单元，使得阈值电压对于第一值小于VR1，对于第二值大于VR1且小于VR2，对于第三值大于VR2且小于VR3，对于第四值大于VR3。VR1小于VR2，VR2小于VR3。编程标识单元以显示是否已经编程MSB数据。
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