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公开(公告)号：CN113555045A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110440919.2
申请日：2021-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器设备，包括：存储器区域，具有第一存储器块和第二存储器块；和控制逻辑，被配置为在第一模式和第二模式下控制第一存储器块和第二存储器块，其中在第一模式下，只有针对第一存储器块的控制操作是可执行的，而在第二模式下，针对第一存储器块和第二存储器块的控制操作是可执行的，其中控制逻辑对在第一模式下对第二存储器块进行的访问的次数进行计数，并将访问次数作为扫描数据存储在第二存储器块中。
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公开(公告)号：CN112447539A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010272747.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体裸片和一种半导体晶圆。所述半导体裸片包括：第一垫；开关，分别与第一垫电连接；测试信号产生器，产生测试信号并将测试信号发送到开关；内部电路，通过第一垫和开关接收第一信号，基于第一信号执行操作，并基于操作的结果通过开关和第一垫输出第二信号；以及开关控制器，控制开关，使得在测试操作期间第一垫与测试信号产生器连通，并且使得在完成测试操作之后第一垫与内部电路连通。
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公开(公告)号：CN113948123A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110320133.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括页面缓冲器的存储装置。存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及页面缓冲电路，所述页面缓冲电路包括：在第一水平方向上的页面缓冲单元，所述页面缓冲单元经由位线连接到所述存储单元；以及在所述第一水平方向上的高速缓冲锁存器，所述高速缓冲锁存器对应于所述页面缓冲单元，其中，每个所述页面缓冲单元包括连接到该页面缓冲单元的感测节点的一个或更多个通道晶体管，所述感测节点电连接到相应的位线。包括在每个所述页面缓冲单元中的感测节点和所述组合感测节点通过所述通道晶体管彼此电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764020A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110563418.3
申请日：2021-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储系统。该存储系统包括：具有多个存储单元的存储器件；以及存储控制器，被配置为控制存储器件以执行以下操作：将写数据存储在多个存储单元中的第一存储单元中，识别包括第一存储单元中的至少一个第一存储单元在内的第一单元串的当前电荷量以及与该第一单元串相邻的第二单元串的当前电荷量，并且基于第一单元串的当前电荷量和第二单元串的当前电荷量，将虚设数据存储在与第一单元串或第二单元串相连的至少一个存储单元中。
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公开(公告)号：CN112732173A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011161755.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/0882
Abstract: 一种存储器设备，包括：第一存储区，包括具有多个每个用于根据N比特数据存取方案存储N比特数据的第一存储器单元的第一存储器单元阵列，和第一外围电路，用于控制第一存储器单元并安置在第一存储器单元阵列之下；第二存储区，包括具有多个每个用于根据M比特数据存取方案存储M比特数据的第二存储器单元的第二存储器单元阵列，和第二外围电路，用于控制第二存储器单元并安置在第二存储器单元阵列之下，第一存储区和第二存储区包括在单个半导体芯片中并共享输入和输出接口；和控制器，通过响应于接收由外部传感器获取的感测数据向感测数据应用存储在第一存储区中的权重生成计算数据，并根据权重将计算数据存储在第一存储区或第二存储区之一中。
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公开(公告)号：CN112466851A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010914039.X
申请日：2020-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/58 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及半导体装置、非易失性存储器装置及存储装置。该半导体装置包括半导体管芯、半导体集成电路、外部裂纹检测结构、多个内部裂纹检测结构和多个路径选择电路。半导体管芯包括中心区域和围绕中心区域的边缘区域。半导体集成电路在中心区域的多个子区域中。外部裂纹检测结构在边缘区域中。所述多个内部裂纹检测结构分别在所述多个子区域中。路径选择电路被配置为控制外部裂纹检测结构与所述多个内部裂纹检测结构之间的电连接。通过外部裂纹检测结构和内部裂纹检测结构的选择性电连接，除了边缘区域中的裂纹之外，还可以有效地检测中心区域中的裂纹。
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公开(公告)号：CN112732173B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202011161755.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/0882
Abstract: 一种存储器设备，包括：第一存储区，包括具有多个每个用于根据N比特数据存取方案存储N比特数据的第一存储器单元的第一存储器单元阵列，和第一外围电路，用于控制第一存储器单元并安置在第一存储器单元阵列之下；第二存储区，包括具有多个每个用于根据M比特数据存取方案存储M比特数据的第二存储器单元的第二存储器单元阵列，和第二外围电路，用于控制第二存储器单元并安置在第二存储器单元阵列之下，第一存储区和第二存储区包括在单个半导体芯片中并共享输入和输出接口；和控制器，通过响应于接收由外部传感器获取的感测数据向感测数据应用存储在第一存储区中的权重生成计算数据，并根据权重将计算数据存储在第一存储区或第二存储区之一中。
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公开(公告)号：CN112732172A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011008139.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了一种存储器装置和计算机系统。所述存储器装置包括：存储器区域，存储器区域包括第一存储器区域和第二存储器区域，第一存储器区域包括存储N位数据的第一存储器单元，第二存储器区域包括存储M位数据的第二存储器单元，其中，“M”和“N”是自然数，并且M大于N；以及控制器，被配置为使用第一读取操作读取存储在第一存储器区域中的数据，使用与第一读取操作不同的第二读取操作读取存储在第二存储器区域中的数据，并且基于数据的使用频率(FOU)选择性地将数据存储在第一存储器区域和第二存储器区域中的一个中。
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