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公开(公告)号：CN105280221A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510394733.2
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2213/71
Abstract: 提供了电阻型存储器装置和操作电阻型存储器装置的方法。操作电阻型存储器装置的方法包括：响应于写命令来对存储器单元执行预读取操作；对将被执行重置写操作的一个或更多个第一存储器单元执行擦除操作，所述一个或更多个第一存储器单元是基于得自预读取操作的预读取数据与写数据的比较结果而确定的；对被擦除的所述一个或更多个第一存储器单元之中的至少一些存储器单元并且对将被执行设置写操作的一个或更多个第二存储器单元执行设置方向编程。
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公开(公告)号：CN104036815A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410049098.X
申请日：2014-02-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0061 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C2213/72
Abstract: 公开了一种用于降低访问延时的非易失性存储装置和相关方法。所述非易失性存储装置包括：存储器核，包括多个可变电阻存储单元；输入/输出（I/O）电路，被构造为依次接收第一数据包信号和第二数据包信号，第一数据包信号和第二数据包信号共同包括用于存储器存取操作的信息，输入/输出电路还被构造为在解码第一数据包信号时发起核存取操作，在解码第二数据包信号时选择性地继续或停止核存取操作；读取电路，被构造为在解码第二数据包信号之前响应于第一数据包信号执行部分核存取操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104036815B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201410049098.X
申请日：2014-02-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0061 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C2213/72
Abstract: 公开了一种用于降低访问延时的非易失性存储装置和相关方法。所述非易失性存储装置包括：存储器核，包括多个可变电阻存储单元；输入/输出（I/O）电路，被构造为依次接收第一数据包信号和第二数据包信号，第一数据包信号和第二数据包信号共同包括用于存储器存取操作的信息，输入/输出电路还被构造为在解码第一数据包信号时发起核存取操作，在解码第二数据包信号时选择性地继续或停止核存取操作；读取电路，被构造为在解码第二数据包信号之前响应于第一数据包信号执行部分核存取操作。
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公开(公告)号：CN105280221B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510394733.2
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了电阻型存储器装置和操作电阻型存储器装置的方法。操作电阻型存储器装置的方法包括：响应于写命令来对存储器单元执行预读取操作；对将被执行重置写操作的一个或更多个第一存储器单元执行擦除操作，所述一个或更多个第一存储器单元是基于得自预读取操作的预读取数据与写数据的比较结果而确定的；对被擦除的所述一个或更多个第一存储器单元之中的至少一些存储器单元并且对将被执行设置写操作的一个或更多个第二存储器单元执行设置方向编程。
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公开(公告)号：CN105320471A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455794.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G11C13/004 , G06F11/00 , G06F11/1048 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054
Abstract: 提供了一种操作存储装置的方法和一种操作存储系统的方法，以执行读取重试操作。操作存储装置的方法包括：开始读取重试模式；利用不同的读取条件读取多个单元区域的数据；以及根据针对从单元区域读取的数据的数据确定操作的结果，针对单元区域设置最终读取条件。
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公开(公告)号：CN105244055A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510394397.1
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/0038 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/0407 , G11C2029/5006 , G11C2213/71
Abstract: 提供了一种电阻型存储器装置和一种电阻型存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：向电阻型存储器装置的存储器单元阵列施加偏置控制电压；测量响应于施加的偏置控制电压在存储器单元阵列中出现的漏电流，以产生测量结果；基于测量结果来产生控制信号；响应于控制信号来调节偏置控制电压的电平。
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