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公开(公告)号：CN111667860A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010484342.0
申请日：2017-07-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN107578793B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201710535973.9
申请日：2017-07-04
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了非易失性存储器系统和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器系统包括非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的存储器控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块。每个存储器块包括多个存储器单元。每个存储器单元具有擦除状态和多个不同的编程状态中的任意一种状态。非易失性存储器系统的操作方法包括从外部装置接收物理擦除命令。该操作方法也包括：响应于接收的物理擦除命令，针对至少一个存储器块执行快速擦除操作，使得所述至少一个存储器块的第一存储器单元具有与擦除状态不同的快速擦除状态。
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公开(公告)号：CN107689236A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710637135.2
申请日：2017-07-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN111667858A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010483932.1
申请日：2017-07-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN107689236B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710637135.2
申请日：2017-07-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN116110449A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211394853.9
申请日：2022-11-08
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种存储器控制器可以包括：权重管理单元，被配置为存储权重，所述权重基于多个存储器块的多条字线中的每一条的读取干扰强度；计数器，被配置为基于从权重管理单元获得的目标字线的权重来增加包括目标字线在内的管理组的读取计数，该计数器被配置为响应于控制器从外部主机设备接收到针对目标字线的读取请求来增加读取计数；以及验证操作确定单元，被配置为基于参考间隔计数与包括目标字线在内的管理组的读取计数的比较，确定是执行还是不执行字线验证操作。
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公开(公告)号：CN111667859A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010483944.4
申请日：2017-07-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN107578793A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710535973.9
申请日：2017-07-04
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11C16/16 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/3445
摘要： 提供了非易失性存储器系统和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器系统包括非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的存储器控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块。每个存储器块包括多个存储器单元。每个存储器单元具有擦除状态和多个不同的编程状态中的任意一种状态。非易失性存储器系统的操作方法包括从外部装置接收物理擦除命令。该操作方法也包括：响应于接收的物理擦除命令，针对至少一个存储器块执行快速擦除操作，使得所述至少一个存储器块的第一存储器单元具有与擦除状态不同的快速擦除状态。
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公开(公告)号：CN116110477A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210867496.7
申请日：2022-07-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 一种存储设备包括非易失性存储器件和存储控制器，该存储控制器允许非易失性存储器件对属于所选择的存储块中的所选择的页的存储单元执行读取操作。在读取操作之后，存储控制器在顺序地选择读取电压集合时允许非易失性存储器件对第一相邻页的存储单元执行第一检查读取操作。在第一检查读取操作之后，存储控制器在顺序地选择读取电压集合时允许非易失性存储器件对第二相邻页的存储单元执行第二检查读取操作。在第二检查读取操作中，存储控制器首先选择在纠错成功的第一检查读取操作中使用的读取电压集合。
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公开(公告)号：CN115718563A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210888609.1
申请日：2022-07-27
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了包括存储控制器的存储装置和用于操作存储控制器的方法。所述用于操作存储控制器的方法包括：接收第一读取命令；使用第一读取电平执行对存储在非易失性存储器中的数据的第一读取，并接收第一读取数据；执行对第一读取数据的第一纠错解码以确定第一纠错解码是否成功；使用预定方法确定第二读取电平，并确定第二读取电平的第一软决策偏移值；使用确定的第二读取电平和第一软决策偏移值读取存储在非易失性存储器中的数据，并接收第一软决策数据；执行对第一软决策数据的第二纠错解码以确定第二纠错解码是否成功；并存储第二读取电平、用于确定第二读取电平的第一方法和第一软决策偏移值。
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