公开(公告)号：CN101414599A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810144945.5

申请日：2008-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金德起 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  宋利宪 ,  金元主 ,  陈暎究 ,  崔赫洵 ,  金锡必

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5252 ,  G11C17/16 ,  H01L27/1021 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种反熔丝结构和反熔丝阵列结构。反熔丝结构包括：位线，在半导体基底内被形成为第一扩散区；绝缘层，形成在位线上；字线，形成在绝缘层上。反熔丝阵列结构包括以阵列形式布置的多个反熔丝结构。

公开(公告)号：CN101335301A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810088615.9

申请日：2008-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  姜东勋 ,  金昌桢 ,  朴宰撤

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。

公开(公告)号：CN1825210A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610059996.9

申请日：2006-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张丞爀 ,  宋利宪 ,  金元柱 ,  金锡必 ,  金勋

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70233

Abstract: 一种离轴投影光学系统包括：离轴设置并共用一共焦点的第一和第二反射镜，它们布置成减小线性象散。假设物面和第一反射镜之间的距离是l1，光从物面到第一反射镜的入射角是i1，第一反射镜和共焦点之间的距离是l1’，共焦点和第二反射镜之间的距离是l2，光从第一反射镜到第二反射镜的入射角是i2，第二反射镜和像面之间的距离是l2’，则第一和第二反射镜的布置满足等式a。

公开(公告)号：CN1821868A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008641.7

申请日：2006-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  宋利宪 ,  金锡必 ,  张丞爀 ,  柳元壹 ,  金勳

IPC: G03F1/00

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种光掩模及其方法。在示例方法中，该光掩模可以通过以下步骤制造：在表面上形成氧化物层；构图所述氧化物层以形成氧化物图案，所述氧化物图案包括多个氧化物图案主体和多个氧化物窗口；用吸收剂填充所述多个氧化物窗口以形成吸收剂图案；以及减少所述多个氧化物图案主体。示例的光掩模可以包括基于氧化物图案的吸收剂图案，其包括多个吸收剂图案主体和多个吸收剂图案窗口。

公开(公告)号：CN1797192A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510124778.4

申请日：2005-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  宋利宪 ,  金元柱 ,  张丞爀 ,  金勋

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G21K2201/067

Abstract: 提供一种反射光掩模，允许在光刻中将用于吸收EUV射线的吸收剂图形的设计形状正确转移到硅晶片，所述光掩模包括：衬底，由反射EUV射线的材料构成、形成在衬底上的反射层，以及通过使用离子注入注入吸收EUV射线的吸收剂的离子形成在反射层上的具有预定图形的离子区段。本发明还提供一种制造反射光掩模的方法。

公开(公告)号：CN1734773A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510092281.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  金元柱 ,  蔡熙顺 ,  蔡洙杜 ,  宋利宪

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系。

公开(公告)号：CN1538539A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410039761.4

申请日：2004-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄淳元 ,  宋利宪 ,  金泰完

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/70 ,  G11C11/14

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种形成磁性随机存取存储器(MRAM)的磁性隧道结(MTJ)层的方法。在衬底上顺序形成下部材料层、绝缘层和上部材料层。在上部材料层的预定区域上形成掩模图案。使用由蚀刻气体产生的等离子顺序去除环绕掩模图案形成的上部材料层、绝缘层和下部材料层，其中，蚀刻气体是具有预定混合比的主要气体和附加气体的混合物，但是不包括氯(Cl2)气。去除掩模图案。这样可以在室温下执行蚀刻处理。因此，有可能避免对MTJ层产生热损伤。蚀刻处理的副产品不稳定，可以避免副产品沉积在MTJ层的两侧，MTJ层具有良好剖面。由于氯(Cl2)气不用作蚀刻气体，因此可避免在MTJ层的两侧产生阶差，并且可避免MTJ层受到不必要的腐蚀。