公开(公告)号：CN102084718A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980116835.0

申请日：2009-08-19

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 永井优

IPC: H05B33/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: G02B5/201 ,  G02B2207/113 ,  H01L27/322 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明提供一种不使色变换层的膜厚极端地增大、且可以在制造工序中容易地制作实现高效的色变换特性的色变换层的方法。另外，本发明还提供通过该方法制造的色变换层、以及包括该色变换层的有机EL元件。使具有特定范围的重均分子量的高分子材料与色变换材料层接触，利用扩散现象使该高分子材料向色变换层中侵入，通过该方法可以抑制色变换层的浓度消光，使荧光量子产率增大。

公开(公告)号：CN102084716A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125797.5

申请日：2009-04-06

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 安达和哉

IPC: H05B33/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L51/524 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明的目的在于提供能够长期间维持优异的发光效率的有机EL元件，特别是顶部发射型有机EL器件，本发明的有机EL器件，包括基板和形成在基板上的有机EL元件，其特征在于：有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成，保护层是SiON:H膜，通过红外吸收光谱测定所求出的拉伸方式的峰值面积比为：SiON:H膜中的N-H键与Si-N键的吸收面积比大于0.05小于等于0.07，并且Si-H键与Si-N键的吸收面积比小于等于0.15。

公开(公告)号：CN102075105A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010555938.1

申请日：2010-11-15

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 田畑壮章 ,  藤田光悦

IPC: H02M7/487

CPC classification number: H02M7/487 ,  H02M2007/53876

Abstract: 在多电平变换设备中，尽管将电容器串联电路用于直流部分，将例如半导体开关和电抗器的部件追加至外部以平衡电压，但这导致设备的尺寸增加和成本上升。一种电力变换设备，电容器串联电路并联于直流电源，该电力变换装备用电容器串联电路作为直流输入而在半循环周期内输出具有三个或更多个电位的交流电压，其中交流负载的中性点和电容器串联电路的中间连接点是直接连接的，检测每个电容器的电压，并根据电压之间的差调节通过使每个交流输出处于相同电位而获得的零电压矢量。

公开(公告)号：CN1685772B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN03823511.0

申请日：2003-06-13

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 木村浩

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/322 ,  H01L51/5262 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/558

Abstract: 由In2O3-ZnO、In2O3-SnO2、ZnO、SnO2中的任何一种材料构成的透明导电膜，设置在有机EL元件的金属电极的发光层侧的一面，将该透明导电膜的膜厚设定成可满足下列公式，其中，L为从上述有机发光层至上述金属电极的光学距离，λ为上述有机发光层的发光波长，被金属电极所反射的光线，在元件内部干涉加强，由此，提供一种有机EL元件及使用该元件的有机EL面板，不仅能够提高外部量子效率而不使亮度劣化，还能够改善对比度。L＝(2n+1)λ/4 (n＝0、1、2……)

公开(公告)号：CN101170107B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200710167431.7

申请日：2007-10-24

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 滨敏夫

IPC: H01L25/04 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3209 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5265

Abstract: 本发明提供的白色发光有机EL元件的制造方法是，至少顺序设置有反射电极，发出第一色光的第一有机EL层，中间电极基板，发出与第一色不同的第二色光的第二有机EL层，以及第二透明电极，所述反射电极与第二透明电极具有相同的极性，所述中间电极基板具有与所述反射电极、第二透明电极不同的极性的白色发光有机EL元件的制造方法。其具有以下工序，(1)准备设置有反射电极与第一有机EL层的第一有机发光基板的工序；(2)准备设置有第二透明电极与第二有机EL层的第二有机发光基板的工序；(3)准备在两面设置有第一透明电极的中间电极基板的工序；以及(4)在第一有机发光基板和第二有机发光基板之间配置中间电极基板，使第一有机EL层和第二有机EL层分别面对中间电极基板的工序。由此提供能够容易地形成作为不伴随有驱动电压上升的白色发光元件的具有发出相互不同色的光的多个有机EL层的有机EL元件的制造方法。

公开(公告)号：CN101937191A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010219833.9

申请日：2010-06-25

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 藤田宪司 ,  佐藤以久也 ,  高桥弘 ,  鹰见裕一

IPC: G05B9/02

CPC classification number: G05B9/02

Abstract: 为了准确地确定承担所需标准的安全功能的安全功能单元已正确安装在具有基本控制功能与安全功能分离的构造的安全装置中。一种安全装置由控制器和安全功能单元构成，其中该控制器设置有：选择用于标识应当连接的安全功能单元的类别的单元；向该安全功能单元发送基准信号的单元；基于从安全功能单元返回的用于标识类别的类别标识信号确定所连接的安全功能单元的类别是否与所选类别一致、并输出确定结果的单元；以及在确定结果表示所连接的安全功能单元的类别与所选类别不一致的情况下禁止控制信号的输出的单元，且其中该安全功能单元设置有基于从控制器传送的基准信号并且按照与安全功能单元的类别相适应的过程产生类别标识信号、并将该信号返回控制器的单元。

公开(公告)号：CN101933397A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103551.8

申请日：2009-01-21

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 滨敏夫 ,  永井优 ,  李崇 ,  川口刚司 ,  仲俣祐子 ,  金井直之

IPC: H05B33/12 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/504 ,  C09K11/06 ,  G02B5/223 ,  H01L27/322

Abstract: 本发明提供一种色变换膜，其吸收来自进行蓝绿色发光的有机EL发光部的光，并将该光变换为波长更长的可见光，该色变换膜由2种色素构成，第一色素是吸收入射到色变换膜的入射光并使其能量向第二色素移动的色素，第二色素是从第一色素接收该能量并放射光的色素，第一色素是平均分子量为1000～1000000的高分子色素。根据包含这样构成的色变换膜的多色发光的有机EL设备，能够不像现有类型的粘合剂树脂方式的设备那样增大色变换膜厚度地实现优异的变换效率。

公开(公告)号：CN101521263A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910118307.0

申请日：2009-02-25

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 寺尾丰

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5265 ,  H01L27/322

Abstract: 本发明提供一种能够增强来自色变换层的变换光强度的色变换方式的有机EL元件、和色调视野角依存性小的能够采用简便方法制造的有机EL显示器。该微谐振器色变换EL元件具有至少一对电极、由该一对电极夹持并包含发光层的功能层、吸收从发光层发出的光并发出不同波长的光的色变换层、和一对光反射层，发光层和色变换层配置在一对光反射层中间，一对光反射层由不透过性反射层和半透过性反射层构成，不透过性反射层与半透过性反射层之间的间隔设定为构成微谐振器的光学距离，该微谐振器能够增强从色变换层放射的光中特定波长的光的强度。本发明的显示器使用该微谐振器色变换EL元件。

公开(公告)号：CN101500744A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780025513.6

申请日：2007-07-03

Applicant: 富士电机控股株式会社 ,  日本半田株式会社

Inventor： 山下满男 ,  后藤友彰 ,  浅黄刚

IPC: B23K35/26 ,  B23K1/00 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34 ,  B23K101/42

CPC classification number: H05K3/341 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/36 ,  B23K2101/42 ,  C22C1/0483 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C28/00 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0266 ,  H05K2201/0272 ,  H05K2203/04 ,  H05K2203/12 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明提供了一种膏状钎焊料，其通过在Sn－Ag－Cu系合金中混炼焊剂而形成，前述Sn－Ag－Cu系合金包含第一粉末合金和第二粉末合金的混合物，前述第一粉末合金在Sn－Ag系相图上具有固液共存区域，并且包含Ag量比共晶组成(3.5wt％的Ag)多的规定的Ag量，前述第二粉末合金包含共晶组成(3.5wt％的Ag)或者接近共晶组成并且比所述第一粉末合金少的Ag量，由此所述膏状钎焊料具有优异的强度和热稳定性，粘结性能良好，并且以廉价的Sn－Ag－Cu系软钎料合金为基，是适合于温度分级接合的高温侧无铅软钎料材料，本发明还提供了电子部件的软钎焊方法。

公开(公告)号：CN101288176A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200580051823.6

申请日：2005-10-12

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 鲁鸿飞

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368

Abstract: 本发明涉及SOI沟槽横型IGBT。在IGBT中，以能够实现高耐压且大电流的驱动，提高抗闭锁能力，降低每单位面积的导通电阻为目的，为了达成该目的，在n+发射极区域6a和p+集电极区域12a之间的晶片整个面上形成由上层沟槽16a和下层沟槽16b构成的沟槽，通过埋入沟槽绝缘膜17埋入其中，由此将维持耐压的漂移区域在晶片的深度方向上弯折，使实效的漂移长度变长。在埋入沟槽绝缘膜17内，埋入发射极侧场电极15，遮蔽在埋入沟槽绝缘膜17的发射极侧产生的横电场，由此缓和由n－漂移区域3a与p基极区域4a的PN结产生的电场。