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公开(公告)号:CN101933397A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN200980103551.8
申请日:2009-01-21
Applicant: 富士电机控股株式会社
CPC classification number: H01L51/504 , C09K11/06 , G02B5/223 , H01L27/322
Abstract: 本发明提供一种色变换膜,其吸收来自进行蓝绿色发光的有机EL发光部的光,并将该光变换为波长更长的可见光,该色变换膜由2种色素构成,第一色素是吸收入射到色变换膜的入射光并使其能量向第二色素移动的色素,第二色素是从第一色素接收该能量并放射光的色素,第一色素是平均分子量为1000~1000000的高分子色素。根据包含这样构成的色变换膜的多色发光的有机EL设备,能够不像现有类型的粘合剂树脂方式的设备那样增大色变换膜厚度地实现优异的变换效率。
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公开(公告)号:CN101543133B
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200880000684.8
申请日:2008-01-24
Applicant: 富士电机控股株式会社
Inventor: 金井直之
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L27/322 , H01L51/0014
Abstract: 提供了一种使有机EL器件的颜色转换层图案化的方法以及使用该图案化方法制造多颜色发光有机EL显示器的方法。该图案化方法包括在具有有机层的基底上形成颜色转换层并通过实施热循环纳米刻印技术图案化该颜色转换层。
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公开(公告)号:CN101743782A
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200880024466.8
申请日:2008-03-07
Applicant: 富士电机控股株式会社
CPC classification number: H01L27/322 , G02B5/201 , G02B5/223 , H01L51/5284
Abstract: 本发明提供色变换滤光片、以及色变换滤光片和有机EL显示器的制造方法。本发明提供即使不另外形成间隔壁也能够在期望的位置形成色变换层的使用喷墨法的色变换滤光片的制造方法。本发明的方法的特征在于,包括:(a)在透明基板上形成具有多个开口部的黑矩阵的工序;(b)独立形成至少2种彩色滤光片层,并在不同种的彩色滤光片层邻接的黑矩阵上,将至少2个彩色滤光片层重合而形成间隔壁的工序;和(c)使用喷墨法在至少1个彩色滤光片层上形成色变换层的工序。另外,本发明提供有机EL显示器的制造方法。
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公开(公告)号:CN101543133A
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200880000684.8
申请日:2008-01-24
Applicant: 富士电机控股株式会社
Inventor: 金井直之
CPC classification number: H01L27/322 , H01L51/0014
Abstract: 提供了一种使有机EL器件的颜色转换层图案化的方法以及使用该图案化方法制造多颜色发光有机EL显示器的方法。该图案化方法包括在具有有机层的基底上形成颜色转换层并通过实施热循环纳米刻印技术图案化该颜色转换层。
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公开(公告)号:CN101910885A
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200980102068.8
申请日:2009-03-27
Applicant: 富士电机控股株式会社
CPC classification number: G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3283
Abstract: 提供一种使用喷墨方法形成低成本高分辨率色变换层的方法,所述层具有一致的厚度并且不会泄漏至相邻子像素。色变换层(1000)的特征在于,形成堤层(60),所述堤层(60)包括含多个平缓的弯曲突起(63)的突起层(60A),每个堤层(60)具有第一层(61)和第二层(62),在基板上离散地存在所述突起(63)。
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公开(公告)号:CN101803057A
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200880106741.0
申请日:2008-10-31
Applicant: 富士电机控股株式会社
IPC: H01L51/50 , C07D471/04 , C09K11/06
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/002 , H01L51/5004 , H05B33/10
Abstract: 公开一种具有低驱动电压和高发光效率的有机EL器件。具体地公开一种有机EL器件,其中在阳极和阴极之间设有空穴注入层、空穴传输层、光发射层、电子传输层和电子注入层。这种有机EL器件的特征在于,空穴注入层通过用电子接受杂质掺杂空穴注入层材料而获得,且空穴注入层材料的电离电位Ip(HIL)、空穴传输层材料的电离电位Ip(HTL)以及光发射层材料的电离电位Ip(EML)各自满足Ip(EML)>Ip(HTL)≥Ip(HIL)≥Ip(EML)-0.4eV的关系。
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