公开(公告)号：CN100587966C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200680006918.0

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 鲁鸿飞 ,  神保信一

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/08 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种表现出高击穿电压、极好的热性质、高闩锁承受能力和低导通电阻的半导体器件。根据本发明的包括设置在n-型漂移层3和n-型漂移层3上的第一n型区7之间的埋置绝缘区5的半导体器件便于限制发射极空穴电流、防止闩锁发生、既不增加导通电阻也不增加导通电压。根据本发明的包括设置在埋置绝缘区5和n-型漂移层3之间的p型区4的半导体器件便于在器件的截止状态下耗尽n型漂移层3。根据本发明的包括设置在第一n型区7和n-型漂移层3之间的第二n型区6的半导体器件便于将沟道区中或第一n型区7中产生的热经由第二n型区6、n型漂移层3和n型缓冲层2消散到作为半导体衬底的p+型集电层1a。

公开(公告)号：CN101236991A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810005436.4

申请日：2008-01-30

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 杉祥夫 ,  永冈达司 ,  鲁鸿飞

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在具有沟槽栅极结构的MIS类型的半导体器件中，可在不改变漂移层厚度的情况下确保耐压，并可在不施加高栅极驱动电压的情况下减小导通电阻。用相对介电常数高于氧化硅膜，较佳的是高于氮化硅膜的高介电常数电介质35填充延伸通过p基区22进入n漂移区21的沟槽28的下半部，并在高介电常数电介质35上制造包括栅极绝缘体26和栅电极27的绝缘栅极结构。将高介电常数电介质35的最深部分的深度d2设计成比远离高介电常数电介质35的半导体区域中的耗尽层的深度d1深。

公开(公告)号：CN101288176A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200580051823.6

申请日：2005-10-12

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 鲁鸿飞

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368

Abstract: 本发明涉及SOI沟槽横型IGBT。在IGBT中，以能够实现高耐压且大电流的驱动，提高抗闭锁能力，降低每单位面积的导通电阻为目的，为了达成该目的，在n+发射极区域6a和p+集电极区域12a之间的晶片整个面上形成由上层沟槽16a和下层沟槽16b构成的沟槽，通过埋入沟槽绝缘膜17埋入其中，由此将维持耐压的漂移区域在晶片的深度方向上弯折，使实效的漂移长度变长。在埋入沟槽绝缘膜17内，埋入发射极侧场电极15，遮蔽在埋入沟槽绝缘膜17的发射极侧产生的横电场，由此缓和由n－漂移区域3a与p基极区域4a的PN结产生的电场。

公开(公告)号：CN101133497A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200680006918.0

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 鲁鸿飞 ,  神保信一

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/08 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种表现出高击穿电压、极好的热性质、高闩锁承受能力和低导通电阻的半导体器件。根据本发明的包括设置在n－型漂移层3和n－型漂移层3上的第一n型区7之间的埋置绝缘区5的半导体器件便于限制发射极空穴电流、防止闩锁发生、既不增加导通电阻也不增加导通电压。根据本发明的包括设置在埋置绝缘区5和n－型漂移层3之间的p型区4的半导体器件便于在器件的截止状态下耗尽n型漂移层3。根据本发明的包括设置在第一n型区7和n－型漂移层3之间的第二n型区6的半导体器件便于将沟道区中或第一n型区7中产生的热经由第二n型区6、n型漂移层3和n型缓冲层2消散到作为半导体衬底的p+型集电层1a。