公开(公告)号：CN100587966C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200680006918.0

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 鲁鸿飞 ,  神保信一

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/08 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种表现出高击穿电压、极好的热性质、高闩锁承受能力和低导通电阻的半导体器件。根据本发明的包括设置在n-型漂移层3和n-型漂移层3上的第一n型区7之间的埋置绝缘区5的半导体器件便于限制发射极空穴电流、防止闩锁发生、既不增加导通电阻也不增加导通电压。根据本发明的包括设置在埋置绝缘区5和n-型漂移层3之间的p型区4的半导体器件便于在器件的截止状态下耗尽n型漂移层3。根据本发明的包括设置在第一n型区7和n-型漂移层3之间的第二n型区6的半导体器件便于将沟道区中或第一n型区7中产生的热经由第二n型区6、n型漂移层3和n型缓冲层2消散到作为半导体衬底的p+型集电层1a。

公开(公告)号：CN101133497A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200680006918.0

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 鲁鸿飞 ,  神保信一

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/08 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种表现出高击穿电压、极好的热性质、高闩锁承受能力和低导通电阻的半导体器件。根据本发明的包括设置在n－型漂移层3和n－型漂移层3上的第一n型区7之间的埋置绝缘区5的半导体器件便于限制发射极空穴电流、防止闩锁发生、既不增加导通电阻也不增加导通电压。根据本发明的包括设置在埋置绝缘区5和n－型漂移层3之间的p型区4的半导体器件便于在器件的截止状态下耗尽n型漂移层3。根据本发明的包括设置在第一n型区7和n－型漂移层3之间的第二n型区6的半导体器件便于将沟道区中或第一n型区7中产生的热经由第二n型区6、n型漂移层3和n型缓冲层2消散到作为半导体衬底的p+型集电层1a。