-
公开(公告)号:CN102090142A
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200980106115.6
申请日:2009-09-29
Applicant: 富士电机控股株式会社
Inventor: 安达和哉
CPC classification number: H05B33/04 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供一种有机EL器件,其包括:基板;形成在上述基板上的有机EL元件;和形成在上述有机EL元件之上的密封膜,其中,上述密封膜是含有H的氮化硅膜,上述含有H的氮化硅膜中的H含量为0.85~0.95at%。
-
公开(公告)号:CN102084716A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200980125797.5
申请日:2009-04-06
Applicant: 富士电机控股株式会社
Inventor: 安达和哉
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L51/524 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明的目的在于提供能够长期间维持优异的发光效率的有机EL元件,特别是顶部发射型有机EL器件,本发明的有机EL器件,包括基板和形成在基板上的有机EL元件,其特征在于:有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成,保护层是SiON:H膜,通过红外吸收光谱测定所求出的拉伸方式的峰值面积比为:SiON:H膜中的N-H键与Si-N键的吸收面积比大于0.05小于等于0.07,并且Si-H键与Si-N键的吸收面积比小于等于0.15。
-
公开(公告)号:CN102077686A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200980125910.X
申请日:2009-06-29
Applicant: 富士电机控股株式会社
Inventor: 安达和哉
CPC classification number: H01L51/5256 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明的目的是提供一种用于有机EL元件的密封膜,该密封膜由于不存在针孔而具有极佳的耐湿性。本发明的密封膜是用于有机EL元件的密封膜,该密封膜具有至少由三层构成的层状结构,其中氮化硅膜和氧氮化硅膜交替层叠,该密封膜的特征是从有机EL元件侧数起的奇数层是膜厚度(T1)等于或大于200纳米的氮化硅膜,从有机EL元件侧数起的偶数层是膜厚度(T2)等于或大于20纳米且等于或小于50纳米的氧氮化硅膜。
-
-