公开(公告)号：CN104851879A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510080384.7

申请日：2015-02-13

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： M·施庞 ,  E·法勒 ,  L·罗伊瑟

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/49 ,  H01L23/538

CPC classification number: H05K1/111 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H02M7/003 ,  H05K2201/09236 ,  H05K2201/10053 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10174 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供一种功率半导体模块，包括实施为线式接合连接的内部负载连接装置和辅助连接装置。基片具有多个负载电势区域和辅助电势区域，其中功率开关安排在第一负载电势区域上，所述功率开关实施为串联安排的多个可控功率子开关。功率子开关具有负载接合连接，该负载接合连接由到第二负载电势区域的多个负载接合线构成，其中第一接合基部安排在该第二负载电势区域上并且对应的负载接合线的相邻的第二接合基部安排在该功率子开关的接触区域上。特别地，控制接合线使两个分配的辅助电势区域彼此电连接并且平行接合线是平行于所述控制接合线安排的，所述平行接合线仅电连接到负载电势区域中的一个负载电势区域。

公开(公告)号：CN104639127A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410602630.6

申请日：2014-10-31

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： S·比托 ,  R·魏斯

IPC: H03K17/14

CPC classification number: H02M1/08 ,  H02M2001/0054 ,  H03K3/011 ,  H03K17/082 ,  H03K17/14 ,  H03K17/16 ,  H03K17/56

Abstract: 本发明涉及一种大功率半导体电路，该大功率半导体电路包括具有控制端子和第一、第二负载电流端子的大功率半导体开关以及触发电路；其中，在触发电路和控制端子之间电联接与温度相关的控制端子电阻元件；和/或其中，在触发电路和第二负载电流端子之间电联接与温度相关的负载电流端子电阻元件；和/或其中，控制端子通过第一电流支路与第二负载电流端子电连接，其中，与温度相关的控制负载电流端子电阻元件电联接到第一电流支路中。本发明在大功率半导体开关变热时降低大功率半导体开关的开关损耗。

公开(公告)号：CN102157457B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201010576622.0

申请日：2010-12-01

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 马可·莱德雷尔

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/32 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有部分带状负载接头元件的压力接触的功率半导体模块，功率半导体模块具有至少一个基底、布置在基底上面的功率半导体器件、壳体和导向外部的负载接头元件和压力装置，基底在其面向功率半导体模块内部的第一主面上具有带负载电位的导电带。第一负载接头元件和至少一个另外的负载接头元件各自构成为具有带状区段和从带状区段伸出的触脚的金属成型体，相应的带状区段平行于基底表面并与基底表面相距开地布置，并且触脚从带状区段延伸至基底并与基底符合线路要求地接触连通。从至少一个第一带状区段到另一个相邻的带状区段的压力传递借助于压力传递装置在部分面积上进行，压力传递装置要么构成为压力中间件和/或者构成为带状区段自身的变形部。

公开(公告)号：CN104253600A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410295545.X

申请日：2014-06-26

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 哈拉尔德·科波拉 ,  冈特·柯尼希曼 ,  京特·卡岑贝格尔 ,  雅伊尔·多·纳西门托-辛格

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H02M1/088 ,  H03K17/127

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体电路，其具有：多个电并联的功率半导体开关，其中，功率半导体电路构造成：在其中单个功率半导体开关中对涉及的功率半导体开关的出现在第一和第二负载电流接头之间的功率半导体开关电压进行监控，和驱控单元，其构造用以产生用于驱控功率半导体开关的驱控信号，驱控单元与功率半导体开关的控制接头和第二负载电流接头电连接，其中，共模扼流圈分别电联接在功率半导体开关电压不被监控的功率半导体开关与驱控单元之间，并且没有共模扼流圈电联接在功率半导体开关电压被监控的功率半导体开关与驱控单元之间。本发明的功率半导体电路实现了功率半导体开关间尽可能均匀的电流分布及对其中一个开关上的开关电压的可靠监控。

公开(公告)号：CN104157635A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410190878.6

申请日：2014-05-07

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 克里斯蒂安·约布尔 ,  赖纳·波普 ,  马可·莱德雷尔 ,  斯特凡·魏斯

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/473 ,  H01L23/42 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/433 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L24/72 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种压力接触形式的用于布置在冷却构件上的功率半导体模块，其具有功率电子开关装置、壳体、第一负载联接元件以及第一压力装置。开关装置具有基底、内部的连接装置、内部的第二负载联接装置和第二压力装置。连接装置构造成复合薄膜。第二压力装置具有压力体，该压力体具有在朝向功率半导体结构元件的方向上凸出的第一压力元件，压力元件压到连接装置的区段上，这个区段在沿着功率半导体结构元件的法向方向的投影中布置在功率半导体结构元件的面之内。第一负载联接装置与第二负载联接装置的布置在压力体的上侧上的负载接触部位极性正确地直接电连接。本发明还涉及具有多个所述的功率半导体模块(1)以及冷却装置(7)的系统。

公开(公告)号：CN104124877A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410166703.1

申请日：2014-04-23

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 英戈·施陶特

IPC: H02M7/00 ,  H01L25/07

CPC classification number: H02M7/003 ,  H01L23/3735 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/0002 ,  H02M1/32 ,  H02M7/487 ,  H03K17/567 ,  H03K17/74 ,  H03K2217/0009 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种三级变流器半桥，其带有第一基底(2)和与该第一基底(2)分开布置的第二基底(3)，其中，三级变流器半桥(1)的功率半导体开关(T1、T2、T3、T4)和二极管(D1、D2、D3、D4)以如下方式分配到第一基底(2)和第二基底(3)上，即，在三级变流器半桥(1)以高的功率因数进行优选的运行时，在布置在第一基底(2)上的功率半导体开关(T1、T2)和二极管(D1、D3)之间以及在布置在第二基底(3)上的功率半导体开关(T3、T4)和二极管(D2、D4)之间不出现或仅极少出现电流换向。本发明提供一种具有降低的开关过压的三级变流器半桥。

公开(公告)号：CN104114002A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410155405.2

申请日：2014-04-17

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 彼得·贝克达尔 ,  拉尔夫·埃勒

IPC: H05K7/00 ,  H05K7/20 ,  H02M7/00 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及功率半导体装置，其带有形成结构单元的功率半导体模块和电容器模块，功率半导体模块具有第一和第二外联接区段，电容器模块有电容器，电容器模块与功率半导体模块能拆卸地机械连接，电容器模块有第三和第四直流电压负载联接元件，第三直流电压负载联接元件与电容器的第一电接头导电连接，第四直流电压负载联接元件与电容器的第二电接头导电连接，第三直流电压负载联接元件有第三外联接区段并且第四直流电压负载联接元件有第四外联接区段，第一外联接区段与第三外联接区段有导电接触并且第二外联接区段与第四外联接区段有导电接触。功率半导体模块可以简单且快速地与不同的电容器可靠地导电连接。本发明还涉及功率半导体装置系统。

公开(公告)号：CN104064538A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410105647.0

申请日：2014-03-20

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 格雷戈尔·克莱姆 ,  斯特凡·施米特 ,  乌尔里希·扎格鲍姆

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/4985 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种具有构造为膜复合物的连接装置的功率组件，其带有具有功率半导体器件的衬底和被设计成膜复合物的连接装置，该膜复合物具有绝缘膜和导电膜，它们与功率半导体器件的接触面或与衬底的导体轨迹的接触面连接，其中，膜复合物具有：若干彼此以相同间距延伸的基本狭缝，其中，两个相邻的基本狭缝不具有连续笔直的延伸；和/或第一宽狭缝，其从接触面出发突出超过接触面的边沿；和/或第二宽狭缝，其把导电膜的与接触面形成接触的区段断开为两个不直接彼此导电连接的膜导体轨迹。

公开(公告)号：CN101859753B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201010143190.4

申请日：2010-03-24

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 马库斯·克内贝尔 ,  彼得·贝克达尔

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/538 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/041 ,  H01L23/48 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/72 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01R13/2421 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种具有连接装置和内部接头元件的功率半导体模块，功率半导体模块具有至少一个功率半导体部件，功率半导体模块具有与功率半导体部件相接触的、由层复合体组成的连接装置，层复合体由至少一个面向功率半导体部件的、构成至少一个第一导体带的第一导电层和在层复合体中接下来的绝缘层以及在层复合体中再接下来的远离功率半导体部件的、构成至少一个第二导体带的第二层组成。此外，功率半导体模块具有至少一个内部接头元件，内部接头元件构成为具有第一接触区段和第二接触区段以及有弹性的区段的接触弹簧，此处第一接触区段具有与连接装置的第一导体带或第二导体带共同的接触面。根据本发明的功率半导体模块减少了引线接合连接部的数量。

公开(公告)号：CN103812485A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310549758.6

申请日：2013-11-07

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 莱茵哈德·赫策 ,  马蒂亚斯·罗斯贝格 ,  巴斯蒂安·福格勒

IPC: H03K17/689

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H03K5/003 ,  H03K17/689

Abstract: 本发明涉及一种具有传输电路的操控电路和运行方法，用于越过势垒将信号从具有第一基础电位的第一电位侧传输至具有第二基础电位的第二电位侧，具备带第一与第二电位侧之间的电容耦合的电容式起作用的传输装置。传输装置具有正好一个或者两个分支，它们本身分别具有第一和第二子分支，第一与第二电位侧之间的电容耦合在每个子分支中都通过串联多个第一高压电容器及第二高压电容器来构造，高压电容器又与第二电位侧上配属的电容器一起形成各一个串联电路；在相应的传输分支内部，信号直接接在第一子分支上且经由第二反相器接在第二子分支上；在两个分支中，输入端上的信号直接接在ON-传输分支上且经由第一反相器接在OFF-传输分支上。