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    半导体激光模块
    55.
    发明公开
    半导体激光模块 有权

    公开(公告)号：CN105518505A

    公开(公告)日：2016-04-20

    申请号：CN201480049363.2

    申请日：2014-09-12

    申请人： 古河电气工业株式会社

    发明人： 石毛悠太 ,  早水尚树 ,  片山悦治 ,  木村俊雄

    IPC分类号： G02B6/42 ,  H01S5/022

    CPC分类号： G02B6/4296 ,  G02B6/262 ,  G02B6/4206 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4043

    摘要： 半导体激光模块(100)具备：半导体激光元件(104-1～6)，其输出激光；光纤(112)，其具备芯部、和形成在芯部的外周的包层部，从一端入射所述激光，将该激光导波到该半导体激光模块的外部；光学部件(116)，其配置在所述光纤的外周，将所述光纤固定；第1固定剂，其将所述光学部件和所述光纤粘固；光吸收体(117)，其配置在所述光学部件的外周，将该光学部件固定；第1光阻断部(113)，其配置在所述光纤的所述激光的入射端与所述光学部件之间；和筐体(101)，其在内部收容所述半导体激光元件、所述光纤的入射所述激光侧的一端、和所述第1光阻断部，所述光学部件在所述激光的波长下有光透过性，所述光吸收体在所述激光的波长下有光吸收性。由此提供可靠性高的半导体激光模块。

    激光元件和用于制造激光元件的方法
    56.
    发明公开
    激光元件和用于制造激光元件的方法 有权

    公开(公告)号：CN105453350A

    公开(公告)日：2016-03-30

    申请号：CN201480046192.8

    申请日：2014-08-14

    申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

    发明人： J.米勒 ,  M.霍恩

    IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/22 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/40

    CPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02484 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/4043 ,  H01S2301/176

    摘要： 本发明涉及一种包括边缘发射第一激光芯片（100）的激光元件（500）。所述边缘发射第一激光芯片具有上侧（101）、下侧（102）、端面（103）和侧面（104、105）。发射区（131）形成在端面上。侧面被定向成垂直于上侧和端面。第一金属化层（170）被布置在上侧上。台阶（153）形成在侧面上，侧面的邻近上侧的部分借助于该台阶而凹陷。钝化层（160）被布置在侧面的凹陷部中。激光芯片被布置在载体（400）上，其例如由金刚石构成。第一激光芯片（100）的侧面（104）面向载体（400）的表面。被布置在载体的表面上的第一焊接接触件（410）以导电的方式连接到第一金属化层（170）。借助于第一激光芯片（100）的第一金属化层（170）到第三激光芯片（300）的第一金属化层的电连接并且借助于藉由焊接接触件（410、420、430）的SMD安装，可提供具有高功率、改进的冷却并且没有令人烦恼的干扰的激光元件，因为两个发射区（131）定位成彼此至多相隔20μm（501）。