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公开(公告)号：CN111712976B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201980012972.3
申请日：2019-02-14
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/02255 , H01S5/02251 , H01S5/02253 , H01S5/0239 , H01S5/02216 , G02B6/32 , G02B6/42 , H01S5/40
摘要： 本发明提供一种能够实现光纤激光器的高输出化的半导体激光模块。半导体激光模块具备：被安装构件，具有被安装面；多个半导体激光元件，设置在所述被安装构件的所述被安装面上；透镜，对于从所述半导体激光元件射出的激光进行准直；聚光透镜，对所述激光进行聚光；及光纤，供聚光后的所述激光进行光耦合，所述半导体激光模块还在对所述激光进行聚光的聚光透镜与对从所述半导体激光元件射出的激光进行准直的透镜之间具备限制所述激光的慢速轴方向的光的光阑。
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公开(公告)号：CN101868888B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN200880117257.8
申请日：2008-11-20
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/323 , H01L21/318 , H01S5/028 , H01S5/16
CPC分类号： H01S5/16 , H01L21/02057 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/2068
摘要： 一种在结构中包括半导体层和其上堆积的电介质层的半导体器件的制造方法，包括：半导体层形成步骤，形成半导体层；表面处理步骤，对于所述半导体层形成步骤中形成的所述半导体层的表面，实施用于除去残留碳化合物的表面处理；电介质膜形成步骤，在所述表面处理步骤中实施过表面处理的半导体层的表面的至少一部分，以对应于所述表面处理后的表面状态的堆积条件，形成电介质膜；热处理步骤，通过对所述电介质膜形成步骤中形成了电介质膜的所述半导体层实施热处理，使所述半导体层的至少一部分区域的结晶状态改变。由此，可以使电介质膜的作用充分发挥。
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公开(公告)号：CN1330285A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01121851.7
申请日：2001-06-29
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： H01S3/094003 , H01S3/0941
摘要： 一种小型化、价格低,光纤处理简便,不增加熔接地方,安装性和操作都优良的光纤放大器、激励光源模块和光学系统。本发明的光纤放大器具有激励光源1和通过向第1光纤2供给从该激励光源1输出的激励光,放大输入到上述第1光纤2的信号光并输出的光放大器3,及具有设于连接激励光源1和光放大器3的第2光纤9,并以第2光纤9中的包层模式使从光放大器3侧来的信号光辐射并衰减的滤光器10。
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公开(公告)号：CN115088148A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202180013696.X
申请日：2021-02-08
申请人： 古河电气工业株式会社
摘要： 半导体光器件例如具备：基座，与第一方向交叉；第一突出部，从基座向第一方向突出，具有平面光波电路，该平面光波电路具备芯层和将芯层包围的包层；第二突出部，从基座向第一方向突出，且与第一突出部排列在与第一方向交叉的第二方向上，第一方向上的距基座的高度要低于第一突出部；光半导体元件，被载置于第二突出部的第一方向的端面上，且与芯层光学性地连接；以及标记，在端面上露出地设置于第二突出部，且用与芯层相同的材料来制作。
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公开(公告)号：CN110024240B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780071979.3
申请日：2017-11-24
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/02325 , H01S5/02208 , H01S5/02251 , H01S3/067 , H01S3/0941 , H01S5/40
摘要： 提供一种组装性良好而能够廉价地进行制造的激光装置及使用该激光装置的光源装置。激光装置具有具备被安装面的被安装构件、和设置于被安装构件的被安装面上的半导体激光元件，被安装面上的半导体激光元件的上方及侧方开放。
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公开(公告)号：CN105518505A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049363.2
申请日：2014-09-12
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： G02B6/4296 , G02B6/262 , G02B6/4206 , H01S5/0071 , H01S5/02216 , H01S5/02252 , H01S5/02284 , H01S5/02469 , H01S5/4012 , H01S5/4043
摘要： 半导体激光模块(100)具备：半导体激光元件(104-1～6)，其输出激光；光纤(112)，其具备芯部、和形成在芯部的外周的包层部，从一端入射所述激光，将该激光导波到该半导体激光模块的外部；光学部件(116)，其配置在所述光纤的外周，将所述光纤固定；第1固定剂，其将所述光学部件和所述光纤粘固；光吸收体(117)，其配置在所述光学部件的外周，将该光学部件固定；第1光阻断部(113)，其配置在所述光纤的所述激光的入射端与所述光学部件之间；和筐体(101)，其在内部收容所述半导体激光元件、所述光纤的入射所述激光侧的一端、和所述第1光阻断部，所述光学部件在所述激光的波长下有光透过性，所述光吸收体在所述激光的波长下有光吸收性。由此提供可靠性高的半导体激光模块。
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公开(公告)号：CN107251659B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680010235.6
申请日：2016-02-10
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H05K1/02
摘要： 本发明中，具有绝缘性的片状基材(12)以及形成在片状基材(12)上且包括固定到部件并与部件电连接的第一电连接部(16)的导体层，并且具有：主体部(101)，形成有第一电连接部(16)；以及突出部(102)，设置成从主体部(101)的第一部分(101a)突出，主体部(101)沿着在第一方向上延伸的第一弯曲线弯曲，突出部(102)能够沿着在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二弯曲线弯曲，通过使突出部(102)沿着第二弯曲线弯曲，而缓和在第一电连接部(16)产生的应力。
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公开(公告)号：CN111712976A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980012972.3
申请日：2019-02-14
申请人： 古河电气工业株式会社
摘要： 本发明提供一种能够实现光纤激光器的高输出化的半导体激光模块。半导体激光模块具备：被安装构件，具有被安装面；多个半导体激光元件，设置在所述被安装构件的所述被安装面上；透镜，对于从所述半导体激光元件射出的激光进行准直；聚光透镜，对所述激光进行聚光；及光纤，供聚光后的所述激光进行光耦合，所述半导体激光模块还在对所述激光进行聚光的聚光透镜与对从所述半导体激光元件射出的激光进行准直的透镜之间具备限制所述激光的慢速轴方向的光的光阑。
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公开(公告)号：CN110024240A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780071979.3
申请日：2017-11-24
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/022 , H01S3/067 , H01S3/0941 , H01S5/40
摘要： 提供一种组装性良好而能够廉价地进行制造的激光装置及使用该激光装置的光源装置。激光装置具有具备被安装面的被安装构件、和设置于被安装构件的被安装面上的半导体激光元件，被安装面上的半导体激光元件的上方及侧方开放。
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