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    激光加工装置以及耦合器
    1.
    发明公开
    激光加工装置以及耦合器 审中-实审

    公开(公告)号：CN116867599A

    公开(公告)日：2023-10-10

    申请号：CN202280012632.2

    申请日：2022-02-10

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 川崎浩平 ,  森肇 ,  厚味泰辅

    IPC: B23K26/064

    Abstract: 激光加工装置例如具备：第一输入光纤及输出光纤，其是多模光纤；耦合器，其将至少两个第一输入光纤以沿周向排列的方式捆扎而成的捆扎部的第一端部与输出光纤的第二端部光学地耦合；至少一个第一光源，其是多模光源，分别与一个第一输入光纤光学地连接并输出激光；以及光学头，其与输出光纤光学地连接，输出第一光源输出且经由了第一输入光纤及输出光纤的激光，在第一端部的与轴向交叉的截面中，第一输入光纤的包层在周向上相邻的两个第一输入光纤的纤芯之间具有沿与轴向交叉的方向呈线状地延伸的延伸部。

    激光装置及光源装置
    4.
    发明公开
    激光装置及光源装置 有权

    公开(公告)号：CN109983638A

    公开(公告)日：2019-07-05

    申请号：CN201780071878.6

    申请日：2017-11-24

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 石毛悠太 ,  片山悦治 ,  小栗淳司 ,  森肇

    IPC: H01S5/022 ,  G02B6/42 ,  H01S3/067 ,  H01S3/0941

    Abstract: 提供一种组装性良好而能够廉价地进行制造的激光装置及使用该激光装置的光源装置。激光装置具有：底板部；半导体激光元件，设置于底板部上；盖部，设置于设置有半导体激光元件的底板部上，并且具有顶板部；以及侧壁部，覆盖底板部与顶板部之间的空间的侧方的一部分或全部，顶板部与侧壁部的一部分或全部一体地形成。

    激光装置
    5.
    发明授权
    激光装置 有权

    公开(公告)号：CN108604775B

    公开(公告)日：2020-10-30

    申请号：CN201680080941.8

    申请日：2016-11-30

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 小栗淳司 ,  片山悦治 ,  石毛悠太 ,  木村俊雄 ,  大木泰 ,  森肇

    IPC: H01S5/14 ,  H01S5/022 ,  H01S5/40

    Abstract: 激光装置具有：多个光源元件，它们分别输出激光；波长选择单元，其配置在各所述激光的光路上，选择性地使规定波段的光透射；以及部分透射反射体，其配置成被输入透射过所述波长选择单元的光，且将所述输入的光中的一部分朝向所述波长选择单元反射，使其余部分透射，所述波长选择单元选择性地使从各所述光源元件输出的各激光的一部分透射，所述部分透射反射体反射所述透射的各激光的一部分，所述波长选择单元使所述反射的各激光的一部分透射，使其返回到输出了各激光的各所述光源元件，由此，各所述光源元件以所述波长选择单元的透射波段内的波长优先进行振荡。

    光纤与半导体激光器的光耦合结构
    8.
    发明授权
    光纤与半导体激光器的光耦合结构 有权

    公开(公告)号：CN108474918B

    公开(公告)日：2021-03-23

    申请号：CN201780007379.0

    申请日：2017-01-24

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 三浦雅和 ,  三代川纯 ,  山岡一树 ,  森肇

    IPC: G02B6/42 ,  G02B6/26 ,  H01S5/02251 ,  H01S5/02326

    Abstract: 在从子基座(5)的端部至预定的范围内形成非镀敷部(21)。非镀敷部(21)是未设置镀层(17)且子基座的母材露出的部位。中间层(13)形成于镀层(17)上。另外，在中间层(13)上形成镀层(19)。半导体激光器(11)形成于镀层(19)上。半导体激光器(11)的端部位置与镀层(19)(中间层13)的端部位置大致一致。即，即使在中间层(13)的端面与半导体激光器(11)的端面存在偏移的情况下，该偏移量也足够小于从子基座(5)的端面起的中间层(13)的缩回量。

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