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公开(公告)号：CN107431331A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680012598.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/10
Abstract: 一种波长可变激光元件，具备：衍射光栅和包含环形谐振器滤波器的反射镜所构成的激光谐振器、增益部和相位调整部，衍射光栅生成第一梳状反射光谱，环形谐振器滤波器具备环状波导和两个臂部，并生成第二梳状反射光谱，第二梳状反射光谱具有与第一梳状反射光谱的波峰相比半峰全宽窄的波峰，且波长间隔与第一梳状反射光谱不同，使第一梳状反射光谱的一个波峰和第二梳状反射光谱的一个波峰在波长轴上重叠，谐振器模式的模式间间隔比第一梳状反射光谱的波峰的半峰全宽窄。
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公开(公告)号：CN116802532A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202280010807.6
申请日：2022-02-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G02B6/125
Abstract: 光学设备(10)例如具有：多模干涉波导路(11)，具有第一方向(D1)的第一端部(11a)和与第一方向相反方向的第二端部(11b)；第一端口(p1)，在第一端部中，从与第一方向交叉的第二方向(D2)的中央向该第二方向偏移；第二端口(p2)，在第一端部中，相对于第二方向的中央而位于与第一端口相反一侧；第三端口(p3)，在第二端部中，位置第二方向的中央；以及两个第四端口(p4)，在第二端部中，相对于第三端口向第二方向的两侧偏移，多模干涉波导路构成为，输入到第一端口以及第二端口的光的同相位分量在第三端口耦合，输入到第一端口以及第二端口的相反相位分量在两个第四端口耦合。
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公开(公告)号：CN106605340B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201680002145.2
申请日：2016-08-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 一种光半导体装置，构成为具备：振荡波长不同的多个半导体激光元件；和阵列波导路衍射光栅，其将从多个半导体激光元件射出的激光汇合到同一点，来自属于第1组的半导体激光元件的激光，在阵列波导路衍射光栅内通过第1衍射次数的衍射而被汇合到同一点，来自属于第2组的半导体激光元件的激光，在阵列波导路衍射光栅内通过与第1衍射次数不同的第2衍射次数的衍射而被汇合到同一点。
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公开(公告)号：CN118414564A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202180105016.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光模块(100)具备：调制器(2)，包括InP系半导体材料，具备对所输入的光进行调制的调制信号赋予部；和光集成电路(3)，与所述调制器(2)进行光学耦合，集成有包括硅系半导体材料的多个波导以及多个光学元件，所述光集成电路(3)向所述调制器(2)输出通过了所述波导的任一者或者所述光学元件的任一者的光，接受所述调制器(2)对所述光进行调制而生成的调制光，输出通过了所述波导的其他任一者或者所述光学元件的其他任一者的所述调制光。
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公开(公告)号：CN106663916B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201680001891.X
申请日：2016-02-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 半导体激光装置具备半导体光集成元件，该半导体光集成元件将具有多个半导体激光元件的半导体激光器阵列和半导体阵列波导衍射光栅在同一基板上集成为单片，从输出端面输出由所述半导体激光元件振荡得到的激光，该半导体阵列波导衍射光栅由半导体构成，具有：输入侧平板波导，其与所述多个半导体激光元件连接；阵列波导，其与所述输入侧平板波导连接，由长度彼此不同且并列排列的多个波导构成；和输出侧平板波导，其与所述阵列波导连接，所述半导体光集成元件的所述输出端面包含所述输出侧平板波导的输出端而构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107431331B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201680012598.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/10
Abstract: 一种波长可变激光元件，具备：衍射光栅和包含环形谐振器滤波器的反射镜所构成的激光谐振器、增益部和相位调整部，衍射光栅生成第一梳状反射光谱，环形谐振器滤波器具备环状波导和两个臂部，并生成第二梳状反射光谱，第二梳状反射光谱具有与第一梳状反射光谱的波峰相比半峰全宽窄的波峰，且波长间隔与第一梳状反射光谱不同，使第一梳状反射光谱的一个波峰和第二梳状反射光谱的一个波峰在波长轴上重叠，谐振器模式的模式间间隔比第一梳状反射光谱的波峰的半峰全宽窄。
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公开(公告)号：CN106663916A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201680001891.X
申请日：2016-02-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 半导体激光装置具备半导体光集成元件，该半导体光集成元件将具有多个半导体激光元件的半导体激光器阵列和半导体阵列波导衍射光栅在同一基板上集成为单片，从输出端面输出由所述半导体激光元件振荡得到的激光，该半导体阵列波导衍射光栅由半导体构成，具有：输入侧平板波导，其与所述多个半导体激光元件连接；阵列波导，其与所述输入侧平板波导连接，由长度彼此不同且并列排列的多个波导构成；和输出侧平板波导，其与所述阵列波导连接，所述半导体光集成元件的所述输出端面包含所述输出侧平板波导的输出端而构成。
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公开(公告)号：CN115088148A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202180013696.X
申请日：2021-02-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 半导体光器件例如具备：基座，与第一方向交叉；第一突出部，从基座向第一方向突出，具有平面光波电路，该平面光波电路具备芯层和将芯层包围的包层；第二突出部，从基座向第一方向突出，且与第一突出部排列在与第一方向交叉的第二方向上，第一方向上的距基座的高度要低于第一突出部；光半导体元件，被载置于第二突出部的第一方向的端面上，且与芯层光学性地连接；以及标记，在端面上露出地设置于第二突出部，且用与芯层相同的材料来制作。
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公开(公告)号：CN110088995B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201780078544.1
申请日：2017-12-19
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光集成元件具备：在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、以及上部包覆层而成的无源波导区域、在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、通过注入电流而放大光的量子阱层、以及上部包覆层而成的活性区域，第1芯层与量子阱层之间在对第1芯层进行波导的光的模场的范围内相接近，无源波导区域的至少一部分以及活性区域具有上部包覆层突出为台面状的第1台面构造，无源波导区域包含除了第1台面构造还具有第1芯层、下部包覆层以及第2芯层突出为台面状的第2台面构造的第2光点尺寸变换区域，第2台面构造的宽度比第1台面构造的宽度宽，并且具有第2台面构造的无源波导区域中，第1台面构造的宽度连续地变化。
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公开(公告)号：CN110088995A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078544.1
申请日：2017-12-19
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光集成元件具备：在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、以及上部包覆层而成的无源波导区域、在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、通过注入电流而放大光的量子阱层、以及上部包覆层而成的活性区域，第1芯层与量子阱层之间在对第1芯层进行波导的光的模场的范围内相接近，无源波导区域的至少一部分以及活性区域具有上部包覆层突出为台面状的第1台面构造，无源波导区域包含除了第1台面构造还具有第1芯层、下部包覆层以及第2芯层突出为台面状的第2台面构造的第2光点尺寸变换区域，第2台面构造的宽度比第1台面构造的宽度宽，并且具有第2台面构造的无源波导区域中，第1台面构造的宽度连续地变化。
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