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公开(公告)号：CN101868888B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN200880117257.8
申请日：2008-11-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L21/318 , H01S5/028 , H01S5/16
CPC classification number: H01S5/16 , H01L21/02057 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/2068
Abstract: 一种在结构中包括半导体层和其上堆积的电介质层的半导体器件的制造方法，包括：半导体层形成步骤，形成半导体层；表面处理步骤，对于所述半导体层形成步骤中形成的所述半导体层的表面，实施用于除去残留碳化合物的表面处理；电介质膜形成步骤，在所述表面处理步骤中实施过表面处理的半导体层的表面的至少一部分，以对应于所述表面处理后的表面状态的堆积条件，形成电介质膜；热处理步骤，通过对所述电介质膜形成步骤中形成了电介质膜的所述半导体层实施热处理，使所述半导体层的至少一部分区域的结晶状态改变。由此，可以使电介质膜的作用充分发挥。
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公开(公告)号：CN101868888A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880117257.8
申请日：2008-11-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L21/318 , H01S5/028 , H01S5/16
CPC classification number: H01S5/16 , H01L21/02057 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/2068
Abstract: 一种在结构中包括半导体层和其上堆积的电介质层的半导体器件的制造方法，包括：半导体层形成步骤，形成半导体层；表面处理步骤，对于所述半导体层形成步骤中形成的所述半导体层的表面，实施用于除去残留碳化合物的表面处理；电介质膜形成步骤，在所述表面处理步骤中实施过表面处理的半导体层的表面的至少一部分，以对应于所述表面处理后的表面状态的堆积条件，形成电介质膜；热处理步骤，通过对所述电介质膜形成步骤中形成了电介质膜的所述半导体层实施热处理，使所述半导体层的至少一部分区域的结晶状态改变。由此，可以使电介质膜的作用充分发挥。
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公开(公告)号：CN101796699B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200780100504.9
申请日：2007-09-04
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/164 , H01S5/0421 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2072 , H01S5/3054 , H01S5/3223 , H01S5/3427
Abstract: 本发明公开一种半导体激光元件(1)，其具备包含由III族空穴的扩散形成的混晶化部分的窗口区域(23)、和具有量子阱构造的有源层(15)的非窗口区域(24)，在窗口区域(23)上设置对规定的原子进行吸收而促进III族空穴的扩散的促进膜而形成混晶化部分，在有源层(15)的近旁侧的层掺杂对V族位置优先进行置换的杂质，窗口区域中的能带间隙和非窗口区域中的能带间隙的差是50meV以上。
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公开(公告)号：CN101796699A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200780100504.9
申请日：2007-09-04
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/164 , H01S5/0421 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2072 , H01S5/3054 , H01S5/3223 , H01S5/3427
Abstract: 本发明公开一种半导体激光元件(1)，其具备包含由III族空穴的扩散形成的混晶化部分的窗口区域(23)、和具有量子阱构造的有源层(15)的非窗口区域(24)，在窗口区域(23)上设置对规定的原子进行吸收而促进III族空穴的扩散的促进膜而形成混晶化部分，在有源层(15)的近旁侧的层掺杂对V族位置优先进行置换的杂质，窗口区域中的能带间隙和非窗口区域中的能带间隙的差是50meV以上。
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