公开(公告)号：CN102903849A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201110215767.2

申请日：2011-07-29

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 胡春华 ,  刘长洪 ,  范守善

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0579 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  Y10S977/742

摘要： 一种肖特基二极管，其包括：一第一金属层，一半导体层及一第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置并分别与所述半导体层电连接，所述第一金属层与所述半导体层的电连接为肖特基接触，所述第二金属层与所述半导体层的电连接为欧姆接触，其特征在于，所述半导体层包括一绝缘高分子材料及分散于该绝缘高分子材料中的多个碳纳米管。本发明还涉及所述肖特基二极管的制备方法。

公开(公告)号：CN101599495B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200810067639.6

申请日：2008-06-04

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 姜开利 ,  李群庆 ,  范守善

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L2251/5338

摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管面板，包括一绝缘基板、及设置于其上的多个源极线、多个栅极线、多个像素电极及多个薄膜晶体管，该多个源极线按行相互平行设置，该多个栅极线按列相互平行设置，该多个栅极线与该多个源极线交叉并绝缘设置，从而将该绝缘基板表面划分成多个网格区域，该每一网格区域中设置一像素电极及一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一源极、一与该源极间隔设置的漏极、一半导体层、以及一栅极，该源极与一源极线电连接，该漏极与一像素电极电连接，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置并与一栅极线电连接，其中，该薄膜晶体管中的半导体层为半导体性碳纳米管层。

公开(公告)号：CN101977985B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200980110088.X

申请日：2009-03-18

申请人： E.I.内穆尔杜邦公司

发明人： C·苏

IPC分类号： C08L65/00 ,  H01B1/12 ,  H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  C08L25/18 ,  C08L27/12

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3221 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/794 ,  C08L25/18 ,  C08L27/12 ,  C08L65/00 ,  H01B1/127 ,  H01B1/128 ,  H01B1/24 ,  H01G11/48 ,  H01G11/56 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/5088 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/31533 ,  C08L27/00 ,  C08L2666/06

摘要： 本发明涉及导电聚合物组合物，以及所述导电聚合物组合物在电子器件中的应用。所述组合物为含水分散体，所述含水分散体包含：(i)至少一种掺入有非氟化聚合酸的导电聚合物；(ii)至少一种高度氟化的酸性聚合物；(iii)至少一种高沸点极性有机溶剂，以及(iv)至少一种半导体金属氧化物的纳米颗粒。所述组合物还可以包含添加剂，所述添加剂可以是富勒烯、碳纳米管或它们的组合中的一种或多种。

公开(公告)号：CN101353165B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200810096685.9

申请日：2008-03-21

申请人： 英特尔公司

发明人： C·马塔亚巴斯 ,  N·拉拉维卡 ,  D·苏

IPC分类号： C01B31/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC分类号： H01L51/444 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0575 ,  H01L51/0579 ,  Y02E10/549

摘要： 本发明涉及形成碳纳米管架构和复合材料的方法和通过其形成的结构。描述形成微电子器件的方法和关联结构。这些方法可以包括形成分层纳米管结构的方法，分层纳米管结构包括设置在纳米管上的润湿层、设置在润湿层上的肖特基层、设置在肖特基层上的势垒层、以及设置在势垒层上的基体层。

公开(公告)号：CN102770959A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180006976.4

申请日：2011-01-21

申请人： 小利兰·斯坦福大学托管委员会

发明人： M·C·勒姆克斯 ,  A·维尔卡 ,  Z·鲍

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L29/15 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/1804 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/442 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 使用一种或多种的各种材料和方法来接合纳米结构。与各个实施方式一致，两个或多个纳米结构在纳米结构之间的连接处接合。所述纳米结构可以在连接处接触或者几乎接触，且接合材料在连接处沉积并成核以将纳米结构连接在一起。在各种应用中，成核的接合材料促进了纳米结构之间的传导性（导热性和/或导电性）。在一些实施方式中，例如通过沿着纳米结构生长和/或掺杂纳米结构，接合材料进一步增强了纳米结构自身的传导性。

公开(公告)号：CN102760795A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110110728.6

申请日：2011-04-29

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 魏洋 ,  范守善

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/36 ,  H01L33/64 ,  H01L33/641 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/742 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，其具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面上悬空设置碳纳米管层；在所述外延生长面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层，所述第一半导体层将所述碳纳米管层包覆于其中，在所述第一半导体层内形成微结构；刻蚀第二半导体层及活性层的部分区域，以暴露部分第一半导体层；形成一第一电极与第一半导体层电连接，同时形成一第二电极与第二半导体层电连接。

公开(公告)号：CN102450101A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080024698.0

申请日：2010-05-10

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 能渡广美 ,  濑尾哲史 ,  大泽信晴 ,  牛洼孝洋 ,  筒井哲夫

IPC分类号： H05B33/12 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/504 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/5278

摘要： 本发明的目的是提供一种即使在低电压下也能够进行高亮度发光且使用寿命长的发光元件。该发光元件包括：阳极和阴极之间的n(n为2以上的自然数)个EL层；从阳极一侧起第m(m是自然数，1≤m≤n-1)个EL层和第(m+1)个EL层之间的接触于第m个EL层的包含第一施主物质的第一层、接触于第一层的包含电子传输物质及第二施主物质的第二层、以及接触于第二层及第(m+1)个EL层的包含空穴传输物质及受主物质的第三层。

公开(公告)号：CN102449748A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080020748.8

申请日：2010-05-07

申请人： 宾夕法尼亚大学理事会

发明人： 阿兰·T·小约翰松 ,  莱恩·A·琼斯 ,  塞缪尔·M·卡米斯

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L21/0271 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： 本发明描述了制造纳米结构、包括由碳纳米管构成的纳米结构的方法，和通过这些方法制备的纳米结构、器件和组件。

公开(公告)号：CN1669160B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN03806292.5

申请日：2003-02-19

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 乔尔格·阿彭泽勒 ,  佩登·阿沃里斯 ,  凯文·K·钱 ,  菲利普·G·科林斯 ,  理查德·马特尔 ,  汉森·P·黄

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L51/20 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： 一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括沉积在衬底(102)上的碳纳米管(104)、分别形成在该碳纳米管(104)的第一端和第二端的源极和漏极(106-107)、以及基本形成在该碳纳米管(104)的一部分上并通过介电膜(111)与该碳纳米管隔开的栅极(112)。

公开(公告)号：CN102334209A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009268.1

申请日：2010-01-12

申请人： 密歇根大学董事会

发明人： 史蒂芬·R·福里斯特 ,  李宁

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0046 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/424 ,  H01L51/441 ,  Y02E10/549

摘要： 本发明涉及光敏光电子器件，其包括电子阻挡层或空穴阻挡层中的至少一个。本发明还公开了通过利用电子阻挡层或空穴阻挡层中的至少一个而增大在光敏光电子器件中的功率转换效率的方法。通过降低光伏电池的暗电流成分，本发明公开的电子阻挡层和空穴阻挡层可以降低电子泄漏电流。该效果显示了降低暗电流以改进光伏电池的功率转换效率的重要性。