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公开(公告)号：CN102255051B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110221584.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/504 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的之一在于提供呈现出高亮度的发光并且能够以低电压驱动的发光元件。此外，本发明的目的之一在于提供使耗电量降低的发光元件或电子设备。在阳极和阴极之间，设置有n(n是2以上的自然数)层的EL层，在第一EL层和第二EL层之间从阳极一侧按顺序具有包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物中的任一种的第一层，与第一层接触并包含高电子传输性物质的第二层，与第二层接触并包含高空穴传输性物质及受体物质的区域。
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公开(公告)号：CN104733631A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510172639.2
申请日：2009-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5068 , H01L51/002 , H01L51/0053 , H01L51/50 , H01L51/506 , H01L51/5092
Abstract: 本发明的一个方式的目的在于提供一种能够抑制驱动电压的上升的发光装置。另外，本发明的一个方式的目的还在于提供一种含有这种发光装置而降低耗电量的发光装置。一种在阳极与阴极之间具有EL层的发光装置，其中在阴极与EL层之间，接触阴极地形成能够产生载流子的第一层，接触第一层地形成授受在第一层中产生的电子的第二层，并且接触第二层地形成将从第二层接受的电子注入到EL层的第三层。
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公开(公告)号：CN101752510B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN200910251244.6
申请日：2009-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5068 , H01L51/002 , H01L51/0053 , H01L51/50 , H01L51/506 , H01L51/5092
Abstract: 本发明的一个方式的目的在于提供一种能够抑制驱动电压的上升的发光元件。另外，本发明的一个方式的目的还在于提供一种含有这种发光元件而降低耗电量的发光装置。一种在阳极与阴极之间具有EL层的发光元件，其中在阴极与EL层之间，接触阴极地形成能够产生载流子的第一层，接触第一层地形成授受在第一层中产生的电子的第二层，并且接触第二层地形成将从第二层接受的电子注入到EL层的第三层。
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公开(公告)号：CN102450101A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024698.0
申请日：2010-05-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5004 , H01L51/5044 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的是提供一种即使在低电压下也能够进行高亮度发光且使用寿命长的发光元件。该发光元件包括：阳极和阴极之间的n(n为2以上的自然数)个EL层；从阳极一侧起第m(m是自然数，1≤m≤n-1)个EL层和第(m+1)个EL层之间的接触于第m个EL层的包含第一施主物质的第一层、接触于第一层的包含电子传输物质及第二施主物质的第二层、以及接触于第二层及第(m+1)个EL层的包含空穴传输物质及受主物质的第三层。
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公开(公告)号：CN101931050B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010254833.2
申请日：2004-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5278 , H01L51/0021 , H01L51/0512 , H01L51/5203
Abstract: 提供一种有机器件用电极以及具有该有机器件用电极的电子装置。通过将在单一的有机化合物(111)上混合了电子注入用金属(112)(功函数小于等于4.2(eV)的金属)和空穴注入用金属(113)(功函数比4.2(eV)大的金属)的载流子注入电极层(110)设置在有机器件的有机层(100)和金属电极(101)之间、或者第一有机层(100a)和第二有机层(100b)之间，根据施加电压时的极性，发挥电子注入功能或者空穴注入功能，能够扩大有机器件的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101697368B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910159748.5
申请日：2002-12-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L27/3209 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0595 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5052 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5278 , Y02E10/50 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 通过将新概念引入常规有机半导体元件的结构，而不使用常规超薄薄膜，提供更可靠和具有更高成品率的有机半导体元件。而且，尤其提高使用有机半导体的光电子器件的效率。在阳极和阴极之间设置有机结构，该有机结构包括交替层叠的通过使SCLC流动实现各种功能的有机薄膜层(功能有机薄膜层)，和通过用受主和施主掺杂导电薄膜层，或通过类似的方法充满暗电导率的导电薄膜层(欧姆导电薄膜层)。
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公开(公告)号：CN101794865B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010143561.9
申请日：2002-12-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L27/3209 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0595 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5052 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5278 , Y02E10/50 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 通过将新概念引入常规有机半导体元件的结构，而不使用常规超薄薄膜，提供更可靠和具有更高成品率的有机半导体元件。而且，尤其提高使用有机半导体的光电子器件的效率。在阳极和阴极之间设置有机结构，该有机结构包括交替层叠的通过使SCLC流动实现各种功能的有机薄膜层(功能有机薄膜层)，和通过用受主和施主掺杂导电薄膜层，或通过类似的方法充满暗电导率的导电薄膜层(欧姆导电薄膜层)。
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公开(公告)号：CN102255051A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110221584.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/504 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的之一在于提供呈现出高亮度的发光并且能够以低电压驱动的发光元件。此外，本发明的目的之一在于提供使耗电量降低的发光元件或电子设备。在阳极和阴极之间，设置有n(n是2以上的自然数)层的EL层，在第一EL层和第二EL层之间从阳极一侧按顺序具有包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物中的任一种的第一层，与第一层接触并包含高电子传输性物质的第二层，与第二层接触并包含高空穴传输性物质及受体物质的区域。
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公开(公告)号：CN101752512A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253370.5
申请日：2009-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/504 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的之一在于提供呈现出高亮度的发光并且能够以低电压驱动的发光元件。此外，本发明的目的之一在于提供使耗电量降低的发光元件或电子设备。在阳极和阴极之间，设置有n(n是2以上的自然数)层的EL层，在第一EL层和第二EL层之间从阳极一侧按顺序具有包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物中的任一种的第一层，与第一层接触并包含高电子传输性物质的第二层，与第二层接触并包含高空穴传输性物质及受体物质的区域。
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公开(公告)号：CN101409328A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810169771.8
申请日：2003-05-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 筒井哲夫
CPC classification number: H01L51/002 , G11C11/34 , H01L27/28 , H01L27/281 , H01L27/283 , H01L51/0021 , H01L51/0035 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0512 , H01L51/0516 , H01L51/055 , H01L51/102
Abstract: 本发明提供有机场效应晶体管。在有机场效应晶体管中，该有机场效应晶体管包括：在具有绝缘表面的衬底之上，至少栅电极、与该栅电极接触而形成的栅绝缘膜、与该栅绝缘膜接触而形成的有机半导体膜、以及与该有机半导体膜接触而形成的至少一对源－漏电极，在该有机半导体膜之中插入载流子产生电极，响应栅极信号载流子可被注入到该载流子产生电极。
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