发明公开
CN101409328A 有机场效应晶体管
失效 - 权利终止
- 专利标题: 有机场效应晶体管
- 专利标题(英): Organic field-effect transistor
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申请号: CN200810169771.8申请日: 2003-05-21
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公开(公告)号: CN101409328A公开(公告)日: 2009-04-15
- 发明人: 筒井哲夫
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县厚木市
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县厚木市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 王忠忠
- 优先权: 2002-146428 2002.05.21 JP
- 分案原申请号: 031368808
- 主分类号: H01L51/05
- IPC分类号: H01L51/05 ; H01L51/10
摘要:
本发明提供有机场效应晶体管。在有机场效应晶体管中,该有机场效应晶体管包括:在具有绝缘表面的衬底之上,至少栅电极、与该栅电极接触而形成的栅绝缘膜、与该栅绝缘膜接触而形成的有机半导体膜、以及与该有机半导体膜接触而形成的至少一对源-漏电极,在该有机半导体膜之中插入载流子产生电极,响应栅极信号载流子可被注入到该载流子产生电极。
公开/授权文献
- CN101409328B 有机场效应晶体管 公开/授权日:2011-05-11
IPC分类: