与碳纳米结构的光蚀刻划定的接触

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专利标题： 与碳纳米结构的光蚀刻划定的接触
专利标题（英）： Photolithographically defined contacts to carbon nanostructures
申请号： CN201080020748.8

申请日： 2010-05-07
公开(公告)号： CN102449748A

公开(公告)日： 2012-05-09
发明人: 阿兰·T·小约翰松 , 莱恩·A·琼斯 , 塞缪尔·M·卡米斯
申请人： 宾夕法尼亚大学理事会
申请人地址： 美国宾夕法尼亚州
专利权人： 宾夕法尼亚大学理事会
当前专利权人： 宾夕法尼亚大学理事会
当前专利权人地址： 美国宾夕法尼亚州
代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
代理商 张颖; 樊卫民
优先权： 61/177,768 2009.05.13 US
国际申请： PCT/US2010/033968 2010.05.07
国际公布： WO2010/132284 EN 2010.11.18
进入国家日期： 2011-11-11
主分类号： H01L21/36
IPC分类号： H01L21/36

摘要：

本发明描述了制造纳米结构、包括由碳纳米管构成的纳米结构的方法，和通过这些方法制备的纳米结构、器件和组件。

摘要（英）：

Methods for the fabrication of nanostructures, including nanostructures comprised of carbon nanotubes, and the nanostructures, devices, and assemblies prepared by these methods, are described.

公开/授权文献

CN102449748B 与碳纳米结构的光蚀刻划定的接触公开/授权日：2015-06-17

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/36	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长